1、中巧FL 5961 SJ 50033/104 96 在i11 Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DK002 power switching transistor 1996-08-30发布1997-01-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准 1范1. 1 主题内容半导体分立器件3DK002型功率开关晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DK002 power switching
2、transistor SJ 50033/104 - 96 本规范规定了3DK002型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1 . 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 - 94 GB 7581- 87 GJB 33一85GJB 128一863 要求3. 1 详细要求双极型晶体管半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.
3、2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐，引出端表面应为锡层或镇层。中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布证等级为普军、特军和超特1997 -01-01实施SJ 50033/104 96 3.2.2 器件的结构采用外延平面结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的B2-01B型(见图1) 2-q ;D 于Vl1 基极2发集电极接外壳3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值特Pto. VCBO 性型Tc=25C V 号w 3DK002B 60 3DK002C 30 80 3
4、DKOO2D 100 R t;S t.，吨4 4 (6 2 图1外形图VCEO VEOO V V 60 80 5 100 注:1) Tc25C时.按0.2W/C的速率线性地降额。一2一Ic A 3 盯1口1明吃尺B2-01B mm nam max A 9.8 件611. 52 fb2 0.9 1. 1 1D 15.0 d 3.0份F 3.0 L 8.5 10.5 L、1. 5 tp 4.0 4.2 q 22.8 23.2 R1 9.5 R2 4.3 S 13.1 + U1 31. 4 Uz 19.0 IB Tj T.咱A 1 175 - 55-175 SJ 50033/104 96 3.3.2
5、 主要电特性(TA = 25t:) 特h FF.1 VCE四VBf . , 性1 C = 1A V=3V 1 B = 0.1A 型号1c=1A V 最小值最大值30K002B 30K002C 30 0.5 1. 4 30K0020 3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4质定4. 1 抽悻和检验抽样和检验应按GJB33的规定c4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)t咀t. 1c=1A 1B1 = - I Il2 = O.lA s 最大值0.5 1. 5 tf R(由，)f-c VCE=
6、 10V 1E= 1A C /w 最0.5 5 筛选应按GJB33表2和本规班的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。选(见GB33的表2)3.热冲击温度:- 55-150C (温度循环)次数:207.中间电参数测试1 CJlO1和hFF.18.功率老炼功率老炼条件如下:Tj= 162.5士12.5CVCE= 15V Ptot15W 9.最后测试按本规范表1的A2分组,. 1 C1lO1运初的100%或50A.取较大者。,. h FF.l :;初始的:t20%4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定。3一SJ 50033/104 96 4.4
7、.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定进行。4.5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验GB 4587 极检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小最大Al分组5 外观及机械检验GJB 128 2071 A2分组5 集电极发射极本规范附录A发射极基极开路击穿电压Ic=2mA V(IlR)臼O3DK002B 60 V 3DK002C 80 V 3DK002D
8、 100 v 发射极基极2.9.2.2 集电极基极开路击穿电压IE = lmA V( IlR)EllO 5 V 集电极-基极2. 1 发射极-基极开路电流VCIl= Vc阳】I1lO1 O. 1 mA 集电极-发射极2.14 发射极-基极开路截止电流VcE=0.5VCEO IcEO 0.5 mA 集电极-发射极2.3 Ic = lA 饱和电压I=O.IA V CE.at 0.5 V 脉冲法(见4.5.1)基极-发射极2.4 Ic= lA 饱和电压I=O.IA VBF.sat 1. 4 V 正向电流传1比2.8 VcE=3V hFE1 30 Ic= lA 脉冲法(见4.5.1)A3分组5 I自温
9、工作TA=125 :t: 5t: 集电极-基极2.1 发射极-基极开n截止电流VCB=0.7VCllO I哩1 mA 低泪工作TA = - 55t: 正向电流传输比2.8 VCE= 3V hFEO 10 4一SJ 50033/104 96 续表1吨-GB 4587 限值检验反试验LTPO 符号单位方法条件最小最大Ic= lA 脉冲法(见4.5.1)A4分组5 t出电容2.1 1. 3 VC1l= 10V C曲240 pF IE =0 f= lMHz 开通时间A.4 Ic= lA ton 0.5 s Im= -I2 =O.IA 存储时间A.4 Ic= lA t. 1. 5 s IBJ= -I2
10、=O.IA 下降时间A.4 Ic= lA tf 0.5 s IBJ= -I2 =O.IA A5分组10 安全工作区Tc=25t: (直流)t = Is 单次1 VcE=10V Ic=3A 试验2VcE=20V Ic= 1. 5A 3 30K002B VcE=60V Ic=0.075A 30K002C VCE= 80V Ic=0.032A 30K0020 VCE= 100V Ic = O. 02A 最后试见表4步骤1和3表2B组检验5一SJ 50033/104 96 续表2或试验GJB 128 LTPD 方法条件a.细检漏条件Hb.粗检条件C最后测试见表41和3B3分组5 工作寿命1027 Tj
11、=162.5士12.5tVCE= 15V P =tot15W 最后测试见表4步2和4B4分组(仅对GCT级)2075 每批件/开帽内部目检。失效(设计核实)键合强度2037 试验条件A20(C= 0) B6分组7 高温寿命1032 TA = 175t (非工作状态)最后测试见表4步2和4表3C组检验GJB 128 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条守最小最大Cl分组15 外形尺寸2066 见困1C2分组10 热冲击1056 试条件B(玻璃应力)引出端强度2036 试验条件A受试端数:2加为:20Nt = 10s 密封1071 a.细检漏试验条件Hb.粗检试条件C综合度/湿度1021 期试
12、验外观及机械检验2071 最后试见表4步1和36一SJ 50033/104 96 续表3M . 也如、传GJB 12r, 极限检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小最大，_， d一一，, - C3分组10 冲击2016 按总规范动2056 |按总规范加速度2006 按总规范最后试见表41和3分组15 (仅供用)盐气(浸蚀)1041 C6分组 = 10 作寿命1026 Tj = 162. 5 :t 12 _ 5t: VCF. = 15V P1ut15W 最试J见表4步2和4分组15 热阻GB 4587 V CE 10V R(th)j-c 5 It:/w 2.10 IE= 1A 25t:Tc骂王
13、75t:表4A、B手lC组最后测试步GB 4587 极限值检试验符号单位方法条件最最大集电极-基极2 _ 1 发射极-基极开路ICBOl O. 1 mA 截止电流VCB= VCIlO 2 电极-基极2.1 发射极-基极开路IJ.()l 0.2 mA 截止电流V= VCIlO 3 正向电流传!比2.8 V3V hFE1 30 Ic= 1A 脉冲法(见4，5.1)4 正向电流传t比2.8 V=3V . hFE1 1) 初始值的变化量IC= 1A 士25t:脉冲法(见4.5.1注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求.7
14、一时50033/10496 贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现、有后勤保障用。6.2 订货要求合同或订货单应规定下列内容:本规范的名称和编号;等级(见1.3.1);数亘;时，其它要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，在合同或订货单中规定(见3.2.1)。6.4 如需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。6.5 直流安全工作区(见图2)。8一S.J 50033/104-96 IclA) Tc=2St. 0.1 0.01 10 20 V n:(Vl 2 3DK002B-D直流安
15、全工作区9一Al 目的SJ 50033/104 96 附录A发射极击穿电压测试方法(补充件)本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击A2 S、Rl否大于规定的最低极限。+ G -注:在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。因Al集电极.发射极击穿电压测试电路A3 限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。规定的偏置条件，增加电压达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(R)CEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电及结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. 环境瘟度TA;b. 测试电流lc。附加说明:本规泡由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第八七三厂负责起草。本规范主要起草人:邱芬飞、倪天发。计划项目代号:B41009。一10一
