1、中FL 5961 只叮，日-SJ 50033/105 96 、l口口自日日Semicond uctor discrete devices Detail specification for type 3DK404 power switching transistor 吕1996-08-30发布1997-01-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围1. 1 主题内容半导体分立器件3DK404型功率开关晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DK404 power s
2、witching transistor SJ 50033/105 96 本规范规定了3DK404型功率开关晶体管(以下简陈器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 94 双极型晶体管GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各
3、项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1937 -01翩。1实施一1一SJ 50033/105 96 引出端材料应为可伐，引出端表面应为锡层或镇层。3.2.2 器件的结构采用三重扩散平面结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的血-OlB型(见图1)。口1m尺代B2呵。1Bno町1max A 9.8 bl 1.52 b2 0.9 1. 1 D 15.0 d 3.0铃F 3.0 L 8.5 10.5 L 1.5 P 4.0 4
4、.2 q 22.8 23.2 R1 9.5 R2 4.3 S 13.1 U1 31. 4 U2 19.0 h! 叫争-25t:时，按O.lW/t:的速率线性地降3.3.2 主要电特性(T A = 25C ) 2 SJ 50033/105-96 特h FFI VCF . VBF. 性V= lO V IC = 0.5A IC=0.5A IB=O.IA 型号V 最小值最大值3DK404B 3DK404C 10 1.2 1. 5 3DK404D 3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按G
5、JB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)ton t. Ic=0.5A 1 H1 = - 1 B2 = 0 . 2A 严S最大值I 2 tf R(也)J- C VCE= 10V IE=0.2A C /W 最大值0.8 10 筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其剧试应按本规范表l的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。筛选测试(见GJ33的表2)或试验3.热冲击瘟度:- 55-150C (温度循环)次数:207.中间电参数例试I附和hFE18.功率老炼功率老炼条件如下:TJ = 162.5 1: 12.5C VcE=30V Pto
6、t二三7.5W按本规范表1的A2分组9.最后测试L:. 1 CROl :(;初始值的100%或100A，取较大者。L:. h FFI延中刀始值的1:20% 4.4 质量一致性检验致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。3一SJ 50033/105 96 4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法应按本规范相应的表和下列规定进行。4.5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验GB 4587 检验或试验
7、LTPO I符号Al分组外观及机械检验A2分组集电极-发射极击穿电压30K404B 30K404C 30K4040 发射极，基极击穿电压集电极基极截止电流集电极发射极截止电流集电极.发射极饱和电压基极.发射极饱和电压正向电流传比A3分组俞强工作集电极-基极截止电流低温工作正向电流传输比一4一方法GJB 128 2071 本规范附录A2、9、2、22.1 2.14 2.3 2.4 2.8 2 1 2.8 条件5 5 发射极-基极开路Ic= lmA V(RR)CEO 电极-基极开路IE= lmA I V(阳)FIlO发射极.基极开路VB= V I I CllOl 发射极.基极开路Vr=0.5VVF
8、O I IcFO Ic=0.5A IR=O.lA IVM 脉冲法(见45 1) I= 0.5A I=O.IA 1 VRr.t V(F = 10V 1 hm I=0.5A 脉冲法(见45 1) 5 TA = 125 :t 5C 发射极-基极开路VB=0.7V咀OI I CB02 TA = - 55(; I VcF=10V i hrro I=0.5A 脉冲法(见45 1) 极限值最IJI .ft大单位400 V 500 V 600 V 5 V 0.2 mA 0.5 mA 1. 2 V 1. 5 V 10 2 mA 5 SJ 50033/105 96 续表1GB 45R7 极值或试验LTPD 符号单
9、位方法条件最最大A4分组5 输出电容2.11. 3 V= 10V C呻300 pF lE=O f= lMHz 开通时间A.4 lc=0.5A ton 1 s 1 SI = - 1 B2 = O. 2A 存储时间A.4 lc=0.5A t. 2 s Is1= -1B2=0.2A 下降时间A.4 lC= 0.5A tr 0.8 s 181 = - 1 B2 = 0 . 2A A5分组10 安全工作区Tc= 25t: (直流)t = Is 单次试验1VF= 15V L= lA e 试验2VcF=30V c= 0.5A 试验33DK404B VCF=400V lc= 4.5mA 3DK404C VcE
10、=500V c= 3.0mA 3DK404D VCF = 600V c = 2.0mA 最后测试见表4步骤l和3表2B组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件Bl分组15 可焊性2026 标志耐久性1022 B2分组10 热冲击1051 低温:55t:(温度循环)其余为试验条件F-l密封1071 a. 细检试验条件Hb. 租检试验条件C最后测试见表4步1和35一SJ 50033/105一96绞表2GJ8128 检验或试验LTPD 方法条牛-r 83分组5 稳态工作寿命1027 TJ=162.5土12.5CVcE=30V Pto.;7.5W 最后见表4步2和4B4分组(仅对GCT级)2
11、075 个开帽内部目检牛/(设计核实)。失效合强度2037 试件A20(c=0) 86分组7 寿命1032 TA= 175t: (非工作状态)最后测试见表4步骤2和4表3C组检验GJB 128 极值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最最大Cl分组15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 热冲击1056 试验条件B(玻璃应力)引出端强度2036 试验条件A 数:2加力:20Nt = 10s 密封1071 a. 细检试验条件Hb. 粗试验条件C综合渴度/温度1021 周期试外观及机械检2071 最后试见表4步1和3C3分组10 j中击2016 按总规洁变振动2056 按总规范亘定加速度2006
12、 按总规市最后测试见表4步1和36一SJ 50033/105 96 续表3GJB 128 极限检验或试验LTPD 符号单位方法条件最最大c4分组15 (仅供海用)盐气(浸蚀)1041 C6分组 = 10 态工作寿命1026 T , = 162.5土125t: VCF = 30V Ptot二二7.5W最后测试见表4步骤2和4C8分组15 热阻GB 4587 V= 10V R (th)J - c 10 t:/w 2.10 IE = 0.2A 25t: T c75t: 表4A、B和C组最后测试GB 4587 值步检验或试验符号单位方法条件最最大1 集电极.基极2.1 发射极.基极开路1 CR01 0
13、.2 mA 截止电流VB= V宵。2 集电极.基极2.1 发射极，基极开路1 CB01 0.4 mA 截止电流V民=Vo号。3 正向电流传t比2.8 VF= lO V hFE1 10 Ic= 0.5A 脉冲法(见45 1) 4 正向电流传l比2.8 VF= lOV hFE1 1) 初始值的变化量I= 0.5A 土o25% 脉冲法(见45 1) 注:1 )本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项7一时50033/10596 6. 1 预定
14、用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有后勤保障用。6.2 订货要求合同或订货单应规定下列内容:本规范的名称和编号:等级(见1.3.1);数!K;需要时，其它要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，在合同或订货单中规定(见3.2.1)06.4 如需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。6.5 直流安全工作区(见图2)。Ic( CE(V) 1 0.1 o. aaT nu -nu -000 0.00 1 3DK404B-D直吭安全工作区一8一Al 目的SJ 50033/105 96 附录A电极，发射极击穿电压测试方法(补充件)试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于
15、规定的A2 测试电路S Rl + G -注:在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图Al集电极-发射极击穿电压测试电路A3 测试步骤限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。限。施加规定的偏置条件，增加电压达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(RlCEO的最低极限.晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况F必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。_.9一SJ 50033/105 96 A4 规定条件a. 环境温度TA;b. 测试电流Ic。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第八七三厂负责起草。本规范主要起草人:邱芬飞、倪天发。计划项目代号:B41008。一10一
