1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/ 11897 半导体分立器件2EK31型碑化掠开关二极管详细规范1997-06”17发布Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2EK31 GaAs switching diode 1997-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件2EK31型碑化鲸开关工极管详细规范Semiconductor discrete devices Detail sp创刊icationfor type 2EK3
2、1 GaAs switching diode 1. 1 主题内容SJ 50033/118幽幽97本规？自规定了2EK31型畔化嫁开关工级管（以下简称器件）的详细要求。1. 2 埠用m围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类本规部根据器件质最保证等级进行分类。1. 3. 1 辅件的等级按GJB33-85（华导体分立器件总规范的规定，提供的质盘保证等级为普军级（GP）、特牢银（GT）和姐持率级（GCT）三级。2 引用文仲GB 657086 微波二级管测试方法GB 6571-86 小功本倍号二级管、稳压及基准电压二极管测试方法GJB 3385 半导体分立器件总规施GJB 12886 半导体分
3、立器件试验方法3 摆求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结掏和外形尺寸器件的设计、锚梅和外形尺寸应按GJB33和本规疮的规定。3. 2. 1 引线材料和除展引线材料为可伐，引绒徐鹿为镀金。中华人民共和国电子工业部19976斗7发布1997-10-01实施SJ 50033/ 11897 3.2.2 器件结协叫化惊外延材料，丰田肖特基势企结构，陶黠扁平微带空院判装。3.2.3 外形尺寸器件的外形尺寸应按本规？区的规定（见图1)。;o 臼L 叫叫.4.叫“阳叫“单位：mm过之mm no1 nax D 2.8 3.2 H 1. 3 一1.8 B 0.6 一0.9 c
4、 0.1 一0.14 L 10.0 一L 1.2 1.5 因1外形图3.3 最大概定值和主要电特性3. 3. 1 最大概值MmA附hm-K M V吨vmT 叩 叩50125n 同CJ一”，、JW3.3.2 主要电特性（TA=25） - 2 时50033/118-97Vp Ve隙cjo ctol trt v v pF pF ns . IF= lOOmA IR. lOA VR=O VR嚣。lp=20mA f= lMHz /=lMHz irt= lmA 最小最大最小最大最小最大最小最大最小慑大一1. s 50 一一2 - 2.3 一60 3.4 电测试擦求电测试应按GB6570、GB6571及本规班
5、的规定进行。3.5 标志根据器件的特点，省略GJB33中有关器件上的标志，极性标志按图1识别，器件包装盘上的标志应按GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33和本规括我1、表2、表3和表4的规定。4.3 筛选（仅对G丁级和GCT级）筛选的步骤和条件按照GJB怡和本规范的规定，其测试应按本规范表1的规定进行，超过表2的极限值的器件应予剔除。筛选见（GJB33我2)2 商晦寿命3 热冲击（温度循环）4 假定加速度5 封a.细检捕b.粗检捕? 中间测试8电;it炼9 最后测试4.4 质盘一致性检验试验方法GJB
6、 128 测1032 I 15024h 1os1 I 除最低晦皮伸到，循环20次外，其余同试捡条件F2006 I Yl方向，196000m/s21071 试a.试验条件日，最大捕惑：510寸Pa.cm3/s试验条件CVF 1038 I TA =25IF= lOOmA t = 96h lVF/VFI5%其它参数投本规范表1的A2、A4分组质盘一致性检验应按GJB33和本规范的规定。4.4.1 A姐检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 8组检验B细检验应按GJB33和本规施表2的规定进行。一3一SJ 50tr33/ 118 97 4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和
7、本规施表3的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法战本规施相应表的规寇。褒1A组检瞌检验就试磁方法条件极限值LTPD 符号单位最小最大Al分组s 外观无缺损引钝外观及机械GJB 128 无明显锈蚀检瞌2-071 A2分组s 正向电压GB 6571 IF= lOOmA v, 一1.5 v 2.1.2 齿穿电压GB 6570 IR血lOAV(BR) 50 v 3.1 A3分组5 （商也）TF出125齿3事电压GB 6570 IRlO队V(BR) 40 一v （低晦）3.1 TA申55iE向电服GB 6571 Ip= lOOmA VF 一1.65 v 2.1.2 A4分组GB 6571 5
8、铺电容2.2.4 VR=O,/= lMHz 叫。一2 pF 总电容2.1.3 VR=O,f= lMHz c,.,1 2.3 pF 民向恢复2.1.4 /p=20mA trr 一60 ns 时间irr= lmA 表2B组检验GJB128 检脸就试瞌LTPD 方法条仲Bl分组15 可焊性2026 四分组10 热冲击1051 除最低翻皮55.t极限值二lOmin（温度循环）外，其余阿试磁条件F-1懂封1071 a.细检捕a.试盼条件日最大漏率：510-3Pa.cm3 /s b.粗检捕b.试验条件Co4一SJ 50033/ 118-97 续表2GJB128 检验成试验LTPD 方法条件最后测试；表4步
9、骤1、3阳分割5 稳态工作1027 JF=lOOrnA, t=340h, TA=25 寿命最后测试：表4步骤2、4日6分组7 商也寿命1032 TA= 150，t = 340h （非工作状态）最后测试：表4步骤2、4表3C细检验GJB128 检验就试槛LTPD 方法条仲Cl分组15 外形尺寸2066 战本规？也图lC2fgjl 10 热冲击1056 试验条件A（玻璃应力）引出端强度2036 弯曲试验条件E所加重物为0.833N磁挝1071 a.细检捕a.试验条件日。最大捕惑：50寸Paocrn3 / s b.粗检漏b.试验条件C锦合眼皮温度1021 省略韧始条件周期试验外观及机械检验2071
10、外观光缺损，引钱无明显锈蚀最后测试：褒4步牒1、3C3分坦10 冲击2016 不工作，按14700rn/s2,0o51阳在Xl,Yl,Zl方向上各冲击5次颇报功2056 恒起加ill1皮2006 Yl方向，196000m/s2,lmin 最后测试：我4步骤L3C6分组).= 10 稳；$工作寿命1026 IF= lOOmA, t lOOOh, TA口25最后削试：表4步骤2、4一5一SJ 50033/ 118-97 我48组和C组的测试步骤测试方法条件符号1 正向电压GB 6571 IF= lOOmA VF 2.1.2 2 IE向电邱GB 6571 IF口lOOmAVF 2.1.2 3 齿穿电
11、压GB 6570 IRlOIAV(BRl 3.1 4 击穿电压GB 6570 !RlOA v日Rl3.1 5 货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 i运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用渝用于400MHz专项法械器中，也可用于其它设备的开关电路中。6.2 订货资料合同或订货单中应规定下列内容：也本规施的名称和编号：b.产品保证等级（见1.3.1条）；c.数最；d.简要时，其它要求。极限值单位最小最大 1.5 v 一1.65 v 50 v 40 一v 6.3 如果引钱不是镀金，店规定锻段；如果引线长度不同于因1，应规定引线民度；如果使用单位需要时，典出特性曲线等可在台词或订货单中规定。附加说明：本妮范由中国电子技术际准化研究所归口。本规范由民春半导体厂负资起草。本规部主要起草人：陈兰、朱云来。计划项目代号：B51038o一6一
