1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/121 97 半导体分立器件CS3458 cs3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS3458CS3460 silicon N唰channeljunction mode field-effect transistors 1997.06.17发布1997-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准1 范国中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件CS3458 ,_ CS3460型硅N沟通结型场效应
2、晶体管详细规范Semiconductor discrete devic创Detail specification for type CS3458-C53460 silicon N嗣channeljunction mode field-effect transistors 1. 1 主题内容SJ 50033/121 97 本规范规定了C83458-C83460型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规?在根据器件质最保证等级进行分类。1. 3.1 器件的等级按照GJB33 -85(半导体分立器件总规泡)1.3杂的
3、规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特骂王三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4586-94 场效应晶体管测试方法GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33-85 半碍体分立器件总规范GJB 128-86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规施的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规洁的规定。中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施旧50033/121973.2.1 引出端材料和锻涂牍引出端材料应为可伐。引出端表面镀涂照应为镀金、镀锡或搜锡。对引出
4、端涂层要求选择或另有要求时，在合同或订货单中应明确规定(见6.3)。3.2.2 器件结协采用磁N沟道娓尽型结盟结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸按G日7581中的A301日型及如下规定，见阁10于卖mm J-i丑娘幽A 4.32 如飞#1 #2 0.407 D 5.31 D1 4.53 叫1 0.92 1主0.51 L 12.5 L1 引出端极性:1-S(惊极)2-D(漏概)3叩D(栅极)3.3 最大额定值和主要电特性3.3.1 最大额定值P.) 阳t(T A 25t) Vrx; mW V 300 50 即1外形尺寸因Vcs V 50 注:1)A25t时，按1.7mW/K的速率统性降额。3.3
5、.2 主要电特性(TA=2S-C) 一2一ICF Ti mA 50 200 B2-01B nom 口lax5.33 2.54 1. 01 0.508 5.84 4.95 1. 04 1. 15 1. 21 25.0 1. 27 Totg 叫55-200旧50033/121叫97参数极限值符号测试条件Ioss mA VDS 20V Vcs=二。VGS(off) V VDS = 20V 10= ljiA VnV/ /f在VOS= 10V VGS=O f=20日zIY21S1 盯ISVos=20V VGS=O f= 1kHz 3.4 电测试要求电测试应符合GB4586及本规施的规定。3.5 标志标志
6、应符合GJB33的规定。4 质最保证规定4.1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规班的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)型号最小假最大值CS34S8 3 15 CS34S9 0.8 4 CS3460 0.2 CS34S8 呻7.8CS3459 一3.4 CS3460 一叫1.8CS3458 225 CS34S9 一155 CS3460 一155 臼.34582.5 10 CS3459 1. 5 6 CS3460 0.8 4.5 筛选应按GJB33表2和本规范的规定进行，其测试应按本规?臣表1的规定进行，超过本规?在表l极限值的器件应予剔
7、除。筛选试验方法GCT GT 方法号条件(GJ巳33表2)GJB 128 要求要求1 内部目检(封帽前)2072 100% 100% 2 高温寿命(LTPD)1032 T啕=200t: t 24h 100% 100% 3 热冲击1051 除低温应为-55t:，循环20次，t (极限倪)100% 100% (榻皮循环)10min外.其余问试验条件C.2St:时不要求有规则的停顿。一3一旧50033/121-97续表筛选试验方法GCT GT 方法号条件(GJB 33表2)GJB 128 要求要求4 假定加速度2006 Y，方向更少196000mN(20000g)不采用1分钟100% 100% 保持
8、时间的要求。5 封不要求6 高髓反偏不要求7 中间电参数测试I GSS(l)和Ioss同A2分组100% 100% I Y2lS 1 (1)问A4分组100% 100% 8 :t!:炼1039 试验条件A100% 100% (高眼皮偏)VGS=叩40V，VDS=O , TA=150C，t168h 9 最后测试见本规范表l的A2分组;100% 100% MDSS初始值的土10% I Y2lS1(t)运初始值的20%10 密封1071 100% 100% a.细检桶a.试验条件H椭惑5X 1O -3Pacm3/s b.粗检漏b.试验敖件C11 外现及机械检验2071 如志清晰，外观光缺损，惊!言无
9、锈蚀。100% 100% 4.4 质量-i性检验质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A细检验m.按GJB33和本规?臣表1规定进行。4.4.2 日组检验日细检验应按GJB33和本规戒表2规定进行。最后测试和变化最( )要求应按本规施表4的步骤进行。4.3 C组检验C组检验按GJB33和本规?在我2规定进行。最后测试和变化最( )要求应按本规?在表4的步骤进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规市相应的表和下列规定。4.5.1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定进行。一4一时50033/121跚跚97表1A组检验G日4586极限值检验或试验L
10、TPD 符号最小愤|最大值单位方法条件Al分组5 标志清晰，外观外观和机械检GJB 128 目检一无缺损，橡层元一验2071 锈蚀。A2 分组5 棚叩摞t告穿电压本规施附录AVns出。V(BR)GSS 叩50一V IG= -1A 栅极截止电流凹，2.1Vos=甲30VIGSS(1) 一0.25 nA Vns=O 零栅压漏概也流N ,3 Vns=20V I附mA VGS=O 陈冲法(见4.5.1)CS3458 3 15 CS3459 0.8 4 CS3460 . 0.2 栅榄截止电压N,5 Vns=20V VGS(11) v 10口1ACS3458 7.8 CS3459 一 3.4 CS3460
11、 叩1.8A3分组5 高晦工作TA= 150t 栅极截止电流N ,2.1 VGS罕叩30VIaSS(2) 一由0.5P.A Vns=O A4分组5 小信号共晾姐路N, 10 Vns=20V IY2lS I(I) mS IE向传输跨导VGS 0 f= 1kHz 脉冲法(见4.5.1)CS3458 2.5 10 CS3459 1. 5 6 CS3460 0.8 4.5 小吉号共、源短路N,8 Vns口30VIY22S1 S 传输跨导VGS 0 1kHz CS3458 35 CS3459 一20 CS3460 5 一一5SJ 50033/121 97 续表1GB 4586 极限值检验就试验L丁PD符
12、单位方法条件最小值最大值小倍号共惊短路N,7 CllSS pF 输入电容CS3458 VDS=O , Vcs古币10V18 f=1M Hz CS3459 VDS=O , Vcs口时6V18 f= 1MHz CS3460 VDS=O , Vcs= -4V 一18 f= 1Mhz 小借号共惊短路N,9 VDS=30, Vos=O CJ2SS pF 反馈电容f= 1kHz CS3458 5 CS3459 5 CS3460 5 噪声电服N, 12 VDS口10，Vcs 0 Vn nV 1=20日z1Hz CS3458 225 CS3459 155 CS3460 一155 A5和A6分组不适用A7分组1
13、0 低温工作TA口-55t 小借号共惊短路凹，10Vos皿20V，Vcs=O I Y2I S 1 (2) mS IE向传输跨导f出1kHz脉冲法(见4.5.1)CS3458 一15 CS3459 9 CS3460 6.75 一6一时5Q033/121-97表2日组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件B1分组15 可焊性2026 受试引出端数:3标志耐久性1022 B2分组10 热冲击1051 除低温服为申55C外，其余阿试验条(翻度循环)件C响10带封1071 a.细检漏a.试验条件H.最大捕率为5X 1O-3Pacm3/so b.粗检捕b.试验条件C最后测试见表4，步骤1、3和4
14、B3分组5 稳态工作寿命1027 VOS= -40V, V，到=0(高温反偏)TA = 150C t = 340h 最后测试见袭4，步骤2、3、4和5B4分组开帽内部目检2075 自揄标准按鉴定时的设计每批一个器件/0失效(设计核实)键俞强度2037 试跪条件A，每个器件所有20(c= 0) 的内引线分别进行批力试验。BS分组不适用时分组7 高也寿命(不工作1032 T A : 200C t = 340h 最后测试见表4，步骤2和5一7一SJ 50033/ 121 - 97 表3C组检验GJB 128 检瞌或试磁L丁PD方法条件Cl分组15 外形尺寸2066 见图lC2分组10 热冲击1056
15、 试验条件A(玻璃应力)引出端强度2036 试验条件应密封1071 a.细检捕a，试验条件H，最大漏率为5 x 10叩3Pacm3/ 50 b.粗检漏b.试验条件C综合温度/眼皮周期试验1021 省略预处理条件外观及机械检验2071 标志清晰，外阔无缺损，雄居无锈蚀。最后测试见表4.步骤1、3和4C3分组10 冲击2016 不工作，按14700mN(1500g)0.5m3在X)Yt每个方向上冲击5次变频振动2056 恒定加i襄度2006 方向:X)Yt 加速度:196000mN(20000g) t;:1min 最后测试见亵4，步骤1、3和4CA分组15 盐气1041 (适用时)C5分组不适用C
16、6分组 = 10 稳态工作寿命1026 VGS=叩40V.VOS=O (高掘反偏)TA= 150t t 1000h 最后测试见表4，步骤2、3、4和55 货准备-8一时50033/12197表4日组和C组的最后测试GB 4586 极限值步骤测试符号一单位方法条件最小值最大值栅极辙止电流N .2.1 VG咀一30V1 GSS( 1j 叶0.25nA V邓=02 栅极截止电流凹.2.1VGS口30V 1 GSS(3) 币2.5nA Vr均o3 零栅压捕极电流凹，3Vos口20VIoss mA VGS 0 CS3458 3 15 (S3459 0.8 4 CS34iO 0.2 1 4 小的匀-;1，
17、l;明路N. lO VDS口20V1 Y21S 1 (1) mS 正向札:VGS 0 f= 1kHz CS345月2.5 10 (丁334591. 5 6 CS3460 0.8 4.5 3 小借号共源姐路N.I0 VDS= 20V .1 1 Y21S 1 (l) 1) 4豆初始值的25%.E向传输跨导GS= 0 f= 1kHz 注:1)对本试验起过A组极限值的精件.不得向用户提供。5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮非要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。自说明事项6. 1 预定用途符合本规琐的器件供新设备设计使用和供现有设备的后
18、勤保隙用。6.2 货资料合同或订货单中应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3.1); C. 数最;d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端材料有特殊要求时，应在台间或订货单中规定(见3.2.1)，如使用单位需要时，典型特性曲线等盯在合间或订货单中规定。 9 Al 目的SJ 50033/121-97 附录A栅叩源击穿电压的测试方法(补充件)在规定条件下测试场效应管的栅-摞击穿电压。A2 电路阻见图Al)Voo !妇人lA3 遵守的注意事项A3.1 般注意事项(见GB4586第凹章的1.2条); A3.2 电压表VGS为商阻电压表。A4 测量步骤把漏棍和惊极短路，从零开始这渐调节栅叫源电压VGS使栅极电流Ic为规定值。从电压表V上测得V(BR)GSSOA5 规定条件环境也应T川口25t:; 栅极电源Ic=1Ao一10SJ 50033/121 97 附加说明:本规泪由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第七四六广起草。本规范主要起草人:王穆、徐锦仙。计划项目代号:B51006o一11一
