1、BJ 中华人民共和国电子行业黯用标准FL 5961 8J 50033/12897 半导体分立器件2DK15型硅肖特基开关整流二极管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2DK15 SCHOTIKY siJicon switching rectifier diode 1997-06-17发布1997-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围非导体分立器件2DK15型硅肖特器开关黯流工极管详细规范Semiconductor discrete devices Detai
2、l specification for type 2DK15 SCHOTTKY silicon switching rectifier diode 1. 1 主题内容创50033/12897本规fff.规走了2DK15型磁肖特荔开关擦流二极管(以下简称糯件)的详细要求。1. 2 适用?在阁本规施适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规施根据瑞件质量保证等级进行分类。1.3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等级为普罕、特率和姐特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 402386半导体分立器件第2部分整流工极管GB 65
3、71-86 小功率倍号二极管、稳应及基准电压二极管测试方法GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸GB 3385 半导体分立器件总规范GB 12886 半导体分立器件试验方法3 要求3.1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计和结构器件的设计和结构应按GJB33和本规施图1的规定。3.2.1 引出端材料和涂牍中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10翩。1实施时50033/128叩97引出端材料应为柯伐丝，引出端表团镀镰或漫锡。3.2.2 器件锚掏由二个芯片装配，井和底盘、射出端之间采用高损冶金键合结构。器件2DK15C.D. E. F 各档为结构
4、相似锦件，在试验中可以相互替代。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应付合GB7581的回一01C及如下规定。见图10棚中础l.Yel%l斤lU飞 2 l正慨.2-IE概，负极攘外壳阁1外形图3.3 最大额定值和主要电特性3.3.1 最大额定值IY 。型号To=75t A 2DK15C 2DK15D 20 2DK15E 2DK15F 一2VRRM V 50 60 70 80 r J VRWM V 40 50 60 70 mm B2一01Cmm nom max A 8.63 12.19 Pbt 1. 52 非b20.966 1.092 D 22.86 d 5.46 * F 3.50 L 8 13.9 L
5、1 1. 52 p 3圃844.21 q 29.90 30.40 R1 13.58 Rz 4.82 S 16.89 U1 40.13 U2 27.17 IFSM T 呻A 250 - 55-150 200 T . 甲55-175副胁。331t28.;.91按:1)如Te蛐规1st盼、按26宁加Nk钱性地降棚。3.3.2 虫要电特性(tA也站C)峙，鼻，.，吨.崎岖，品也V阳1V附倪Vp附IR1 FM = 2tlA( pk I阳=lAf，帕:，20A1V1t =VRW 型号(pk) (pk) tj=喃sst:飞阻挡v V v mA 最大键最大值最大值最大惊2DK1SC 0.65 0.50 0.8
6、5 2DK15D 3 2DK15E 0.75 0.55 6 .95 2DK15F ，弘咱，呻制+龟，咽，.、飞，3.4 电测试要求电测试应持合GB6571及本规拖的规定。3.5 怀恋标志应符合GJB33和本规班的规定。4 质量保证规定4.1 抽样和检黯IR2 Va =O.8Vaw Tj= 125t mA 最大倪55 65 R(m)j幽CCloI t幢IH=5A f=IMHz IF= 0.5A tH辑50sVR=5.0V K/W pF ns 最大值最大值最大值10 4。1 抽样和检验应按GJB33和本规施的规定，当批最小于$00时，抽样采用小批囊的LTPD抽样和固定抽样相结合的抽样方案。4.2
7、鉴定检验鉴定检脸应按GjB33的规定。4.3 筛选(适用于GT和GCT级)。筛选成符合GJB汩的斑3和本规疏的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。鹉过本规施表1极限值的器件成剔除。 、如筛选试磁方情制试或试验质量保(见GJB33表2)(GJa 128) 证等锻1.内部自槛2013 GT、GCT2.高温寿命1032 试跄条件:175t t=48h GT、GCT3.热冲由(髓皮帽环)HSl 试瞌条件:-55t -150t 橱环20GT、GCT4.假定加速度2(削98刷0m/s1.( 10000日)ZOs60s GT、GCT6.高温反偏1038 Vit=O.tVRWM T.=12St (Gt)
8、 10=0 t出48hGT、GCTT = lS0t (GCT) 7.中间电参曼史测试itt条件见3.3.2GT、GCT8.电者炼10部tc=60ot. f= 50协l器问A.班半周等通姆大子170.GT、GCTVit:O.8VRWM负半周导涌角大于150t =，何h一3一时50033/128叩97镇表筛选试验方法测试骂自试瞌质最保(见GJB33费2)(GJB 128) 证等级9.最后测试!:.IRMI =韧始值的100%就0.8mA.取较大者!:.VFM1 = 100mV GT、GCT10.密却1071 粗检试验条件C锢揄试验条件H漏率运5X10寸Pa.cm3/sGT、GCT11.脉冲反向能:
9、1试瞌试验方怯见4.5.2GT、GCT12.特性曲线捡菇见4.5.3GT、GCT13.外观及机械检验2071 打栋志之后进行，见附录AGT、GCT4.4 质最一致性检验质最一致性检验成符合GJB33和本规范的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规施表1的规定进行。4.4.2 日组检验B组检验应按GJB33和本规施表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应符合相应的袭和下述的规定。4.5.1 图示仪法测VFMO VFM的测量见附件日的规定。4.5.2 脉冲反向能量检验脉冲反向能量试脸应按阁2所示电路实施
10、，利用电感钱围的反向电动势，向肖特基二极管注入脉冲反向能囊，其数值和脉冲被形见图2及试验程序。4.5.3 特性曲线检查特性曲线的检菇应符合附录C的规定。4.5.4 热阻热阻测最按GB4023中2.2.3方法执行，所加功率引起壳温变化范围控制在20-70t拖围内，井能用热电偶测最执行下列试验条件。加热电流:1 R = 5 A t H = 50s 测量电流:IM=10mA 4.5.5 检验条件，除非GJB128和本规范另有规定，所有试验和检验温度均为TA=25士3t。 4 一/输入脉冲:脉宽tp=2s 占空比1:1 脉宽幅度1-3V脉冲个数10个SJ 50033/128-97 L 。UT被测肖特基
11、工极管L:1mH电感Rs出0.10lW Rin= 500 lW R 1. R2:极管荔极分压电阻Vcc S:脉冲输入开关V由电糖10V可调T:大功率-极管黝压500V以上A电流我试验程序:1.调节慕极分压电阻，使二三极管T工作电流达到lAo2.关闭S输入脉冲情号，脉冲倍号个数为10个。3.观察脉冲输入披形，应符合要求。4.检测被测肖特藩二极管VFM和IR服符合要求。图2脉冲反向能最试验电路。表1A细检验NlIL 输出脉忡Vllll 马=1.0 A GB 6571 极限值检瞌或试磁LTPD 符号单位方法条件最小值最大值Al分组5 外现及机械检验GJB 128 中2071和附录AA2分组5 千一一
12、5一刷刷Q31/128-97续表lGB 6571 极限值幢S盘或试瞌LTPD 特号单位方法条件最小值最大值正向电压本规榄IFM宿20A(pk)VFM1 v 附录B图仪端2DK15C 0.65 2DK15D 一0.75 2DK15E 0.75 2DK15F 0.75 2DK15C IFM= lA(pk) VF附0.50 2DK15D 图示仪法0.55 2DK15E 0.55 2DK15F 0.55 反向电流2. 1. 1 VR= VRWM IR1 3.0 mA A3分组5 高晦工作TA = 125t 反向电流2. 1. 1 VR出VRWMXO.8lR2 mA 2DK15C 55 2DK15D 一
13、55 2DK15E 65 2DK15F 65 低温工作TA = -55t 正向电压本规部因仪法附录日IF=20A(pk) VFM3 v 2DK15C 。.852DK15D 0.95 2DK15E 0.95 2DK15F 0.95 反向电流2. 1. 1 VR = VRWM X 0.8 IR3 50 mA A4分组5 脉冲反向本规市10个脉冲IR 1.0 A 能最试瞌4.5.2 脉宽2sVR=V(BRl 电 2. 1. 3 VR 5.0V C1Dt 一4000 pF f= lMHz 反向恢复2. 1. 4 IF=0.5A t霄100 ns 时|可A5分组(不适用)A6分组10 浪捅电流GB 40
14、23 时间间隔为lminN3.1 脉宽为10ms脉冲谁潮10次L_ 一6一时5QOU/128.97 壤表1GB 6511 极限值揄验就试验LTPD 符号最小值最大健单位方撩条仲2DKlSC lFsM= 250A 2DK1SD 1，唰=250A 2DK15E lFSM=2A 2DK15F I酬=20OA最后测试:见费4步骤1和2表2B组检验GJ8128 小批量质检验就试瞌LTPD 量一敖性方踹条件检验n/e81分组15 6(C=0) 可焊性2026 焊接停留时间5立1s.T= 235土5t标志的耐久性1022 四分组10 6(C血。)热冲击(温度循环)1051 除低温为-5st外，其余阿试磁条件
15、Fl密封1071 a.细检捕试舱般件H5x lO-2Pa.em3/s b.粗检捕试磁件C最后测试见费4步黯l和2B3分组5 12(C=0) 稳态工作寿命1026 Tc=60jot f=SOHz 10 = 10A. iE半周等通角大于170.VR坦0.8VRWM负半周导通角大于150.最后测试:见费4步黯1和2B4分组开帽内部自栓2075 自幢标准按鉴定设计n=1 e=O l(C=O) 键合强皮2037 试验条件C键合力3OmN(内n嚣6e=O 6(C=O) 引钱铜片)至少三个器件芯片剪切强度2017 n嚣6e器。6(C黑。)(适用时)部分组15 8(C=O) 热阻G84023 lH出4AtH=
16、50s 1M口10mAlV 2.2.2 R(伽)j跚e15K/w时分组. 7 12(C=O) 高温寿命1032 TA拙17Stt 340h (非工作状态)最后测试:见袭4步骤1和2一7一创50033/128叩97表3C组检验GJB 128 小批撒质检磁或试磁LTPD 撒一敷性方法条件检验旷cC1分组15 6(C=0) 外形尺寸2066 见回1c2分组10 6(C口。)热冲齿(玻璃服力)1056 试跪条仲A.Ot-l00t.循环5次引出端强度2036 !拉力试瞌条件A.W = 25N t = 158 带封a.细榆躏1071 同四分组b.粗检捕同B2分组锦合槌皮/槌度周期1021 兔做预处珊.循环
17、10次试磁外观及机械检验2071 同Al分组最后测试l见褒4步骤1和2C3分组10 6(C=0) 冲击2016 非工作状态.按14700mfs20.5m趴在X1、Y1、ZI三个方向各冲击5变频搬动2056 假定加速度2006 非工作状态在X1、Y1、Zl每个方向各lmin98000m/s2 最后测试:见表4步骤l和2c4分组1S 6(C=0) 就气(适用时)1041 c6分组1) = 10 12(C=O) 稳态工作寿命1026 Tc=60ot f= 50日zt = 1000h 10= 20A. IE半用与李i酷角大于170V R = 0.8 VRWM(pk).负半用导通角大于150最后测试:见
18、褒4步黯l和2表4A组、B组和C组电测试GB 6571 极限值步骤检瞌或试磁符号单位方法条件最小值最大值正向电压本规葡附录日IFM = 20A(pk) VFM1 V B 图示仪挫2DK14C 0.65 一2DK15D 0.75 2DK15E 0.75 8一SJ 50033/128叩97续表4GB 6571 步骤捡破或试磁符号方法条件2DK15F 2DK15C 1 FM = lA( pk) VF阳2DK15D 图示仪法2DK15E 2DK15F 2 反向电流2. 1. 1 VR = VRWM IR 5 3f货准备5.1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33
19、的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6.1 对引出端涂版有特殊要求时，应在合间或订货单中规定。6.2 订货资料a.本规洒的名称和编号b.等级(见1.3.1)C.数最d.需要时其它要求。极限值单位最小值最大值0.75 0.50 0.55 0.55 0.55 3.0 mA 一9时50033/128卢97附录A晶体管的外观及机械检验(补充件)在正常照明和正常视力条件下，进行外部目检，检查项目如下:a.栋志的清晰度;型号、商标、检验批代码、质暨等级标志。b.引出端识别。C.机械缺陷、外观:不得出现引绒断裂、玻璃绝缘珠炸裂、空洞、缺损及外壳缺损、管帽变形等现象。日1测试目的
20、附录B图示仪法测VtM(补充件)在规定的条件下，用图示仪测试二极管的正向电瞬时值。 电原理因83 测:1要求D 为被测二极管Rl:回示仪Y轴取样电阻阳:罔示仪X轴取样电阻因Bl正向电服测试电路83.1 将图示仪正向扫描电压施加到二极管阳极上，并将Y轴电流限制在详细规范的1):额定内，观测图示仪扫描搅形测出正向降V):Q83.2 将测试系统的正极和负极短跑，测出整个测试系统在规定电流1F条件下，串联电阻上压阵V扇。83.3 按下式计算肖特基二极管的正向电压降VFM口VFV串10一SJ 50033/128一97V串IVF:O.IV/l烹因B2肖特J在二极管IFV!M特性曲线附录C特性曲线检验(补充件)反向特性曲线显示和检查采用Y轴，10mA/楠，X轴10V/格作为电流电压选择，调节扫捕电压使itr穿电榄达到40-60mA，观察扫描液形。不得出现曲线抖动，蠕变，双线，周期性的充放电，曲线间断，不连续扫描拐角段噪声和击穿穿i埠，试验持续时间至少为550本试验是筛选盾图示仪检验最后一个项目，必须100%进行。附加说明:本规?自由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由济南半导体无件实验所负责起草。本规范主要起草人:朱忠光、贸葱蓉。计划项目代号:日510570一11一
