1、B.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/13097 半导体分立器件3DD159型低频大功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD 159 low - frequency and high power transistor 1997-06-17发布1997-10翩。1民施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DD159到低跟大功率晶体管详细规范1 抱回1. 1 主题内容Semiconductor discrete device
2、s Detail specification for type 3DD159 low甲frequencyand high - power transistor SJ 50033/13097 本规范规定了3DD159A-G型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规mJ直用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质最保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等级为普草、特军和超特军三慨，分别用字母GP、GT和GC丁表示。2 引用文件6日4587947s.极到晶体管GB 7581-87 半导体分
3、立器件外形尺寸GJB 33-85 半导体分立器件总规mGJB 128-86 半导体分立器件试验方法3 离求3.1 详细要求各项要求应符合GJ日怡和本规泡的规定。3.2 设计和节构器件的设计和l皑的M:按GJB33的规定。3.2.1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐，引出端表田为锡底或铺底。3.2.2 器件结构器件为三道扩散命团结构。中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997 -10-01实施时50033/130973.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581中的归一01C型的要求，见因10才|出端极性1.基极2.发财极外亮:集电极3.3 最大额起值和主要电特性3.3.1 最大
4、额定值1) 型号Ptot T =25C w 3DDl59A 3DD159日3DD159C 3DDl59D 75 3DDl59E 3DDl59F 3DDl59G VCF V 80 150 200 250 350 400 500 叫2画叮斗l阁l外形罔VCEO VEF V V 50 100 150 200 5 250 300 400 战:1)丁c25C时，按0.5W/K的速率线性地降锁。一27卖A tPb1 tPb2 D d F L L1 P q R1 R2 S U1 U2 ?气5 mm B2 01B 口unnom max 8.63 12.19 1. 52 0.966 1.092 22.86 5.
5、46愣3.50 8 13.9 1. 52 3.84 4.21 29.90 30.40 13.58 4.82 16.89惕10.13 27.17 Tj T.商E 175 - 55-175 SJ 50033/130幽幽973.3.2 主要电特性(TA = 25t) -1) V剧V就酬R(th)j-c hFE1 Ic:= 2. 5A Ic出2.5AVCE = 10V 极限VCE=5V IB=0.25A IB=0.25A Ic口2AIc=2.5A 25t主运Tc75t型号V V K/W 最大值最大值最大值3DD159A 虹15-253DD1 59B 橙25-403DD159C 货40-553DD159
6、D 绿55-801. 2 1. 5 2.0 3DD159E 商80-1203DD159F 紫120-1803DDl59G 注:1)hrF.1延55时，其误援小子士20%.hFEl55时，其误趋小子土10%0 3.4 11l，测试要求电测试应符合GB4587及本规浓的规定。3.5 标忠器件的标志应符合GJB33及本规蔽的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 怖选(仅对GT和GCT级)筛选按GJB汩的表2和本规泡的规定。其测试应按本规施表1的规定进行，超过本规?在表1极限值的器件应予剔除。川试选睛一)姗即一环
7、一叫川江市跚-MM筛一冲由一间l一井(巾U37 测试或试验试磁条件:晦度:币55-+ 150t.循环次数:20次8.功率老绵lC001和hFEITj = 162.5士12.5tp阳t2月OWVcE=25V 按本规范表1的A2分组Mc1二初始值的100%或200A取较大者IMFElI初始值的20%9.最后测试4.4 质量一致性检验一3一创50033/13097质量致性检验按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规施表1的规定进行。4.4.2 B组检舱日细检验应按GJB33和本规?臣表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验股按GJB33和本规?臣表3的规定进行。4.5
8、 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1 脉冲测试脉冲栅试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1人组检验GB 4587 极限值愉验骂自试验LTPO 符号单位方法条件最小值最大lAl分组5 外观及机械检验GJB 128 2071 A2分组集电极发射极本规范发射极一慕棍开路;5 V(BRlCEO f岛穿电压附录AI = 3mA 300159A 50 V 300159B 100 V 300159C 150 一V 3001590 200 V 3D0159E 250 一V 300159F 300 V 3D0159G 400 V 发射极一荔棍2.9.2.2 集电极一基极开路;V
9、(BR)OO 5 一V 击穿电压I=lmA 集电极基极2.1 发射极一慕极开路;I1 一0.3 mA 截止电疏VB= Vc削集电极一发射极2.14 发射极-在极开路;lCEo 1. 0 mA 截止电流VC =: 0.5 V CEO 集电极一发射极2.3 lc=2.5A V Btot 1. 2 V 饱和电压11 =: O. 25A 脉冲法(见4.5.1)基极一发射极2.4 lc=2.5A V阻tot一1. 5 V 饱和电压lB = 0.25人脉冲法(见4.5.1)正向电流传输比2.8 V=5V hFE1 lc=2.5A 红15 25 脉冲法(见4.5.1) 橙25 40 4一SJ 50033/1
10、30叩97续表1GB 4587 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大假黄40 55 绿55 80 蓝80 120 紫120 180 A3分组5 高温工作TA出125土5C集电极荔棍2.1 发射极基极开路Ic阳一3 mA 截止电流VcB=0.7V州低混工作TA= -55C 正向电流传输比2.8 VCE= 5V hFEo 10 Ic=2.5A 脉冲浩(见4.5.1)A5分组10 安全工作区Tc=25C (直流)t臼ls，再次试验lVCE= 15V, Ic= 5A 试验2VCE =25V. Ic= 3A 试验33DDl59A VcE=50V. Ic= 800mA 300159B VC
11、E= 1Q0V. Ic= 180mA 30Dl59C VCE= 150V, IC = 70mA 3D01590 VcE=200V, Ic= 42mA 30Dl59丑VCE= 250V, Ic= 28mA 30Dl59F VCE出300V.Ic = 17mA 30Dl59G VcE=400V. Ic= 10mA 最后测试见我4步骤i和3-5一臼50033/13097表2日组检验GB 128 极限值检验成试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值日1分组15 可焊性2026 标志耐久性1022 四分组10 热冲击1051 祖皮:- 55-150C; (植皮循环)椭环v;:数20次惺谧各30min转
12、换t ICB01 一0.3 mA 2 集电极革极发射极慕极开路截止电流2.1 VCB = VC.:110 ICB01 一0.6 mA 正向电流传输比2.8 VCB 5V hFE1 Ic口2.5人红15 25 脉冲法(见4.5.1)榄25 40 3 黄40 55 绿55 80 蓝80 120 紫120 180 lE向电流传输比2.8 V=5V |AJIFt1l) | 4 脉Ic=2.5A 初始慎的25%冲浩(见4.5.1)由:1 )本测试越过A翻极限值的器件不应接收。一?一6创50033/13097交货准备5.1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定
13、。5.3 运输要求运输要求成按GJB33的规定。5 说明事项6.1 预定用途符合本规范的器件提供新设备设计使用和供现有的后勤保降用。6.2 订货资料合肉或订货单应规定下列内容:a)本规范的名称或编号;b)等级(见1.3.1);c)数最;d)需要时，其他要求。6.3 对引出端材料和涂恩有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)6.4 如需要时，典型特性盼线等吁在合同或订货单中规定。6.5 交流安全工作区，见阁26 Tc = 25t: 俨亡3士亡?二-.- |剖|飞以i3DD159A 3DD159B ,3DD1S9C 3DD1S9D 333DnDnDD11155599911G 3 r u
14、 .1 0 5 0.1 0.01 1 VJM烧时管制精州曾国峨1000 100 200300 50 10 V ，、刷品PL V 3DD159型直流安全工作区集电极一发射极电压图2-8一S币50033/130叫97附录A集电极白发射极击穿电压测试方法(补充件)A1 日的本测试的目的是为了在规定条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2 测试电路S 1j/ V ，/fll飞性:在测试电流时，电流袤的接头之间实际上可辛苦成短路，或对电压表读作因电流表压降的校正。因Al集电极一发射极击穿电压测试电路图A3 删试步骤限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流所加的电压大于V(llRlCEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阳市穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结翻保持在安全值以内。A4 规定条件也环境温度TA;b.测试电流Ico-9一时50033/130- 97 附加说明:本规?自由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第八七七厂负责起草。本规范主要草人:五保帧、察仁明。计划项目代号:B51049o 10
