1、&.1 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/132 97 半导体分立器件3DD260型低频大功率晶体管详细规范Scmiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD260 low棚-frequency and high power transistor 1997-06-17发布1997翩10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用棉准半导体分立器件3DD260型低频大功率晶体管详细规范1 范回1. 1 主题内容Semiconductor discrete devices
2、 Detail sp时ificationfor type 3DD260 low叩frequecncyand high power-transistor 即50033/132- 97 本规范规定了3DD260型低频大功率晶体管(以下简陈器件)的详细要求。1. 2 适用商围本规?在适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规施根据器件质量保证等级进行分类。1.3. 1 器件的等级投GJB33(半导体分立器件总规部)1.3的规定，提供的质量保证等级为普鄂、特军和施特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 51用文件GB 4587-94 又极型晶体管GB 7581-87 半导体分立器件外形尺
3、寸GJB 33-85 半导体分立器件总规范GJB 128-86 半睁体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规班的规定。3.2 设计和结构器件的设计和结掏应按GJB33和本规洒的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐，引出端表面成为锡展成锦服。3.2.2 器件结掏器件采用三道扩散台商结构。中华人民共和国电子工业部1997嗣06-17发布1997 -10-01实施时50033/132-973.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的出一01C型(见图1)。陆i如s1吻Iz飞11 , 引出端极性1.在极2.发射极集电极接管亮U 盯1口1字卖阳一01
4、C:3卖B2一01Crnm nom 盯lax何unnom 自laxA 12.19 P 3.84 4.21 bl 1. 52 q 29.9 30.40 b2 0.9 1.092 Rt 13.58 一D 22.86 R2 4.82 一一一一一一一一d 5.46 S 16.89 140.13 F 3.5 U1 8.0 13.9 U2 27.17 一一-，-LI 1. 52 一因1夕i形因3.3 最大额定值和主要电特性3.3.1 最大额定值一2SJ 50033/13297 1) 型号p阳tVcoo Vcro VEI Tc=25t w V V v 3DD260A 500 300 3DD260B 7 40
5、0 3DD260C 75 900 500 5 3DD260D 1100 600 3DD260E 1300 700 3DD260F 1500 800 位:l)Tc25t时，按0.5W/K的速率线性地降棚。3.3.2 主接电特性(TA=25t) hFF.J Vcr . t Vsr . t 极限值1c 1. 5A V=5V Is = O. 35A 1c盟1.75A 型号一3DD260A-B 7-180 3DD260C-F 7-50 也栋分棉棕:7-15 虹:15-25 橙:25-40 黄:40-55 绿:55-80 蓝:80-120 紫:120 180 注:hFE55惧援小子士20%hFE55误锺小
6、于土10%。3.4 电测试要求V 最大值1. 5 2.5 电测试应符合GB4587及本规郁的规定。3.5 标志器件应符合GJB33和本规施的规定。4 脱童保证规定4.1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规施的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)1. 5 2.5 1c Tj TsI! A 3.5 175 - 55-175 tr R(t的j哨e1c 1. 75A Vcr= lOV 1st =0.55A 1c= lA Im= -0.7A 25t运Tc75t阳K/W 最大值最大值2 2 筛选应按GJB33的表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1
7、的规定进行，超过本规- 3 范表1极限值的器件应予剔除。筛选见GJB33的费2时50033/132- 97 测试或试验试验条件F-l晦1t:由55t，循环20吹。9.最脂测试4.4 质摸一政性检验1 LB01和hFF.l功率老炼条件如下:Tj= 162.5土12.5tV=50V PIQt50W 按本规施表1的A2分组lCBOl初始值的100%或300队取较大者。I hFF.ll初始值的20%质量去一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规?臣表1的规定进行。4.4.2 B组检验日组检脸应按GJB33和本规?臣表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按
8、GJB33和本规?臣表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A细检验GB 4587 极限值检验成试验LTPD 符号方法条件最小最大Al分组5 外观及机械检验GJB 128 2071 A2分组5 集电极发射极本规范发射极一基极开路;击穿电压附录A10: 3mA 3DD260A V(朋)CEO300 一3D0260日400 3DD260C 500 一 4 曲位V v V 日50033/132叩97续表1GB 4587 极限值抽位检验或试瞌LTPD 符号最小值最大值方法条件3DD260D 600 一
9、v 3DD260E 7 一v 3DD260F 8例 V 发射极基极2.9.2.2 集电板一基极开路;V(BRlEBO 5 一V 击穿电压IE= l mA 集电极一基极2.1 发射极一基极开路;截止电流VCB= VCllO ICllOI 一0.5 mA 集电极一发射极2.14 发射极一基极开路;就止电流VCE在0.5VCEOICEo 一1 mA 集电极一发射极2.3 Ic= 1. 75A 饱和电压IB=0.35A V础.t一3DD260A-B 脉冲法(见4.5.1)1. 5 V 3D阴60C-F2.5 V 基极发射极2.4 Ic口1.75A饱和电压IB=0.35A VBF . t 一3DD260
10、A-B 1. 5 v 3DD260C-F 2.5 V 正向电流传输比2.8 VCE罕10VhFE1 3DD260A-B Ic= 1. 75A 7 180 3DD260C-F 脉冲法(见4.5.1)7 50 A3分组5 商温工作TA: 125士5t集电极一荔极2.1 发射极一基极开路藏11:电流VCB=0.7VCllO 1CB02 一5 mA 低由工作TA -55t 正向电流传输比2.8 VCE: lOV hFEO 4 一Ic= 1. 75A 脉冲法(见4.5.1)A4分组Ic= 1. 75A 5 下降时间A4 1m =0.55A t r 一2 s I即四0.7人A5分组10 安全工作民Tc=2
11、5t (直流)t ls.!再次试验1V出21Vlc=3.5人试验2VCE: 50V lc出1.5A试验33DD260A VCE= 300V. 1c: 59mA 一5时50033/132- 97 续表1GB 4587 极限值单位槛瞌就试验LTPO 符号方法条件睛小值晦大僚300260日VE=400V, Ic=35mA 300260C VE黠500VIc=23mA 3002600 VE=600V, Ic= 16mA 300260E VE= 700V, Ic= 12mA 300260F V=800V， Ic= 10mA 最后测试见亵4步辄1和3表2日细检验GJB 128 极限傻单检验就试验LTPO
12、符号方黯条件最小最大位Bl分割15 可焊性2026 标志耐久性1022 B2分锦10 热冲击1051 除低翻为:-55t外;(翻度循环)其余为试验条件Fl密封1071 a)细检捕试验条件Hb)粗检漏试瞌条件F最后测试:见表4步骤1和3B3分组5 稳态工作寿命1027 Tj口162.5士12.5tV=50V Ptot50W 最后测试见费4步骤2和4B4分组(仅对GCT级)2075 每批一个糯开帽内部自榆件，0失效(设计核实)20(C口。)键合强度2037 试3盘条件AB5分组15 热阻G巴4587VCE= 10V R(由)j-o一2 K/W 2.10 Ic= lA 25tTc75t 一6一创50
13、033/132幽幽97续表2GB 128 极限值单检验或试验LTPD 符号方法条件最小值最大值位B6分组7 高温寿命1032 TA臼175t(非工作状恋)最后测试:览表4步骤2和4表3C组检验GJB 128 检验成试验LTPD 方法条件C1分姐15 外形尺寸2066 见图lC2分组10 热冲击1056 试验条件B(玻璃应力)引出端强度2036 试验条件A受试端数:2加力:20Nt = 10s 密封1071 a)细检捕试验条件日b)粗检漏试验条件F综合植皮/温度1021 周期试验外观及机械检验2071 最崩测试见我4步黯1和3C3分组10 冲击2016 变频振动2056 假定加班度26 最后测试
14、见表4步骤1和3c4分组15 (仅供梅用)盐气(侵蚀)1041 C6分组稳态工作寿命1026 TA=162.5士12.5t= 10 VCE=50V Ptot50W 最后测试:见表4步骤2和4一7创50033/132叩97表4A、B和C组最后测试GB 4587 步骤检验就试磁符号方法条件集电极一基极2.1 发射极一革极开路ICOO1 辙止电流V=v 2 集电极基极2.1 发射极荔极开路I1 戳止电流vcs= VCBO 3 正向电流传输比2.8 V嚣10VhFEI lc= 1. 75A 脉冲法(见4.5.1)4 正向电流传输比2.8 V(E= 10V |Ahm|1 变化最Ic= 1. 75A 脉冲
15、法(见4.5.1)由:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 货准备5.1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求i运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货要求合同或定货单r!i规定下列内辑:a) 本规范的名称或编号;b) 等级(见1.3.1);c) 数量;d) 需要时，其它要求。6.3 对引出端材料和除层有特殊要求时，在合同或定货单中规定(见3.2.1)6.4 如常要时，典型特性曲线吁在合同或订货单中规定。6.5 直流安全工作区，(见回2)。
16、一8一极限值单最小最大优 0.5 mA 一mA 7 180 初始值的25%SJ 50033/132 - 97 lc(A) 10 3DD260A酬3DD260 1:3 呻3DD260C空3DD260D空3DD260E .;L 3DD260F啕1. 0 0 , 1 A H ov 0 , 002 AV i 2 。l 600 V EL ru v 图23DD260人-F在流安全工作区一9一A1 目的时50033/13297附录A集电极由发射极击穿电压测试方法(补充件)本测试的目的是为了在规定条件下确定晶体管的面穿电压是沓大于规定的最低极限值。A2 测试电路S 。注:在测试It!.;瓦时，电、流表的接头之
17、间实际上可以辛苦成短路，或对电压表读数作阳电流程压阵的校正。图1集电极一发射极击穿电压测试电路阁A3 测试步骤限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流?在过晶体管和电流表。施加规定的偏值条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRlCEO的最低极限值，晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。A4 规定条件a.环境阻度TA;b.测试电吭Ico附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规?自由辽宁晶体管厂负责起草。本规班主要起草人:佟桂去、张国俊、赵树启。计划项目代号:BSI052。10一
