1、B.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/13397 半导体分立器件SY5629 5665A型瞬态电压抑制二极管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type SY5629 ,.,5665A tramsient voltage suppr创siondiodes 1997-06-17发布1997翩10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件SY5629 ., 5665A型瞬态电压抑制工极管详细规范1 范围Semiconductor discre
2、te devices Detail specification for types SY5629.5665A transient voltage suppression diodes 1. 1 主题内容日50033/13397本规?在规定了SYS629-S665A型瞬态电压抑制工极管(以下简称棉件)的详细哥哥求。1. 2 适用眼脂本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规?在根据器件顶撞保证等级进行分类。1. 3. 件的等级按GJB33-85(半导体分立器件总规泪)1.3的规定，提供的质黯保证等级为曾写二、特军和超特年二级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 51原文件GB 65
3、71-86 小功率信号二极管、稳压及基?在电压二极管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GB 33-85 半导体分立器件总规部GB 128-86 半导体分立器件试验方法3 求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规班的规定。3.2 设计和结构器件的设计和结构应按本规班的规定。3.2.1 引出端材料和涂层引出端材料下引钱为无氧锵搓、上号|线为铜包钢丝，引出端表面应为锡展和媒层。中华人民共和国电子工业部19976-17发布1997-10-01实施SJ 50033/13397 3.2.2 器件结掏器件结构是金属企密封空腔结梅，芯片为外服或扩散台商型，芯片和引线之间采用高温冶金键
4、合。3.2.3 外形尺寸外形尺寸成符合GB7581的。2一09A型和本规池的规定(见回1)。.s 喃.L h之兰兰二mm D2 09A 盯laxG1 L 份份z b， 0.64 0.95 3.3 最大额定僚和支耍电特性3.3.1 最大额定值PRWM 1) PR2) L rD1 5.96 2.54 因1外形图TA=25土3tTA 25士3tkW w G G1 9.06 15.01 TOP 1. 5 甲55-150垃:1)tp= ms、tr=10间，当TA带25t时，峰值脉冲功率见回302) 当TA25t时，按8mW/K线性降额。3.3.2 主要电特性主要电特性应符合本规班要求，见表5第2栏第4栏
5、。3.4 电测试要求电测试应符合GB6571及本规蔽的规定。3.5 际志标志应符合GJB33和本规浓的规定。4 质提保证规定4.1 抽样和检验一2一L 25 .4 L1 L2 25.4 4.77 T啕 -55-175 SJ5阅33/133-97抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检瞌鉴定检验应按GJB33的规边。4.3 筛选(仪对GT和GCT级)。筛选应符合GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规抱我1极限值的器件股予剔除。筛选试验方法条件测试(见GJB33表2)(GJB 128) 3.热冲击1051 低瘟:-55t 循环:20次，其余间F6.高由反偏1
6、038 与第8项合并进行7.中间电参数VR= VRWM(表5第4栏的值)IR IR = I(BR)(表5第3栏的债)VBR 8.功惠者;炼见4.5.4、时间:96h9最后测试按表1规定IMRI不大于初始值的50%或1A.取较大者。I.1 V(BR) 1.不大于初始值的2%。10.密封1071 a) 细检漏试验条件Hb) 粗检漏试验条件C11.外现及机2071 打栋志后进行械检验4.4 质量一致性检验质最一致性检验应符合GJB33的规定。4.4.1 A细检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 日组检验B细检验应按GJB33手日本规施表2的规定进行。4.4.3 C组检验C细检
7、验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验和试验方放检验和试验方法按本规程相应的表和下列的规定进行。4.5.1 脉冲测试(正向压降)脉冲测试EY按GJB128中3.3.2.1的规定。4.5.2 最大峰值脉冲电流(Ip)应在反向偏压不低于VRWM的问时，反向施加相应的峰值电流。在反向施加具有下述电流与时间关系波形的峰值电流。一3SJ 50033/13397 a) 在tr8s时，脉冲电流应达到Ip的100%而在tp20$时，应下降到Ip的100%(见图2)。b) 在trlO时，脉冲电流应达到Ip的100%。而在tp;:1rns时，应下降到Ip的50%(见图3)。技:时间(t)的公提为.i
8、E公盏，允许小子等于百分之十。4.5.3 f在位电压应在1rns的时间间隔内，在二极管两端测最峰值脉冲箱位电压，响应检测器应证明设备精度为土3%0脉冲持镇时间定义为脉冲电流下降到50%时的点(上升到100%Ip的时间延8s)80 40 50 60 100% 50% 制常阳岛M聪耐梵捶70 时间t(p.s)胁。;二.1.-OE波形2U -1 1 因2脉冲持烧时间定义为陈冲电流下降到50%时的点(上升到100%Ip的时间:;10)民% 50% 据也阳苟KN姆倒觉捶4 时间t()脉冲电流放形回3功率:t炼和稳态工作寿命4 4.5.4 SJ 50033/133-97 a) 在TA=25土3C下测试IR
9、和V(BRHb) 在TA=25土31:下，按4.5.2中b的规定施加脉冲20次，施加脉冲的速率应为每分钟最多一个脉冲;c) 在TA=25士31:下测试IR和V(BR)剔除失效器件。d) 在TA口125士5C下，施加VRWM(表5第4栏的值).进行高掘反偏试验;e) 在TA=25士3C下测试IR和V(肌).判断失效器件。4.5.5 c6分组稳态工作寿命4.5.5.1 c6分组稳在工作寿命按4.5.4进行1000h;4.5.5.2 若用日3分组样品雄旗作c6分组稳奋工作寿命时，在B3分组结束后，从4.5.4中的c开始进行直至e结束。表1A组检验GB 6571 极限值单位检验或试验LTPD 符号方法
10、条件最小最大Al分组5 外观及机械检翰GJB 128 2071 A2分组5 民向电流2.2.5 直流法VR=VRWM IR 一表5第5P.A VRWM骂我5第4祀的值栏的值齿穿电压2.2. 1. 2 脉冲法tw300msV(BR) 表5第2表5第2V D2% 栏的值栏的值I(BR)出褒5第3栏的值A3分组5 低温工作TA器-55C 击穿电压2.2. 1. 2 脉冲措tw300msV(BR) 表5第9一V D2% 柜的值I(BR)目表5第3栏的值A4分组5 最大精位电压本规戒TA=25土3CVC(max) 一表5第6V 附录Atp= lms 柜的值Ip出表5第7祀的值IE向电压2.2.6 脉冲法
11、IFM=10QA VFM 3.5 V tW= 10ms(max) D2% A6)组10 正象搜捕电流GB 4023中TA=25士3CIV 3.1 IF=O VR 0 IF酬=20OA臆冲和周被数均为一次最后测试见表4步辘1和3一5一SJ 50033/133甲97表2B组检验检验就试验GB 128 方法条件LTPD Bl分组15 可t辱性2026 标和耐久性1022 m分组10 热冲击1056 低谧:血55t(由度确环)密封1011 其余同F町1a) 细检捕试验条件日b) 粗检捕试验条件C最后测试见表4步骤1、3、4和6日3分组5 稳f5工作寿命见4.5.4340h 最后测试见表4步骤2.4和5
12、B4分姐每批一个器件(仅对GCT银)/0失效开帽内部目检2075 (设计核实)B6分组7 高槌寿命1032 T A;:; 175t 340h (非工作状f5)最后测试:见我4步骤2、4和5表3C组检验GB 128 极限慌单位检验或试磁L丁PD符号方法条件最小最大Cl分组15 外形尺寸2066 见回1C2分组10 引出端强度2036 试验条件A(拉力)拉力F=9.8Nt = 10土Is弯由2036 试验条件应(寻|钝疲劳)密封1071 a) 细检楠试验条件Mb) 粗检捕试验条件C锦合榄皮/i显度1021 不要求预处理周期试验外观及机械检验2071 最后测试见表4步黯1和3- 6 SJ 50033
13、/133 - 97 续表3GB 128 极限值单位检翰或试验LTPD 符号方法、 件最小最大C3分组10 冲击2016 加速度:14700mN 时间:0.5ms方向;XLY!-Zl次数;5次变频振动2056 按总规班假定加速度2006 按总规市最后测试见表4步骤1、3和4C6分组 = 10 稳太工作寿命见4.5.5、1000h最后测试见费4步骤2、4和5C7分组10 击穿电压的翻GB 6571 I(BR) = lmA 。V(BR0-4/K 度系数2.2.3.2 T1 25士3tT2 =75土3tc8分组10 最大峰值脉冲见4.5.2巾的a)电流1个脉冲最后测试见费步辘l和3表4A、日和C组检验
14、最脂测试骤步GB 6571 极限值单位检验就试验符号方法条件最小值最大值1 反向电压2.2.5 直流法VR=VRWM IR 一我5第5A (我5第4栏的值)栏的值2 反向电流2.2.5 直梳法VR= VRWM IR A组极限值的2倩A (我5第4栏的值)3 击穿电压2.2. 1. 2 脉冲法tw300msV(BR) 表5第2V D2% 栏的值I(BR) 表5第3栏的假4 lE向电压2.2.6 IFM= lOOA VFM 一3.5 V 脉冲怯twlOms(max)D2% I(BR) ;:表5第3栏的债5 f好穿电压变化2.2. 1. 2 脉冲怯tw300msI.1V唰I-1) 一初始值V D运2
15、%的5%I(BR)目表5第3栏的值注;1)对立非洲战甜霄，跑过A组极限值的器件不予接收。 7 时50033/133】97表5电特性1祀2栏3栏4栏5栏6栏7栏8栏9栏10栏(BRl时的击穿试验电反向工VRWM 在pJ;J 最大峰值脉冲电流V(酬的(BRl时f流旨穿1(电BRl tp口1m3型电压V(BRl流I(BR)作峰值时的最下时最的值大p 最大温最小击TA= tw 电压大反向度系数穿电服25t 号延300m3电流精位电tp=20IlSI tp 1m3 TA= 大时电的直最班班最小值最大值D2% VRWM IR 压t，=8slt，=10 aV(BR) 叫55tVC(阳对V V mA V(pk
16、l A V(pkl A(pk) A(pkl 10-4) /K v mA SY5629 6.12 7.48 10 5.50 1000 10.8 790 139 5.7 5.74 140 SY5629A 6.45 7.14 10 5.80 1000 10.5 810 143 5.7 6.05 140 SY5630 6.75 8.25 10 6.05 500 11. 7 730 128 6.1 6.28 125 SY5630A 7.13 7.88 10 6.40 500 11.3 750 132 6.1 6.66 125 SY5631 7.38 9.02 10 6.63 200 12.5 680 1
17、20 6.5 6.85 116 SY5631A 7.79 8.61 10 7.02 200 12.1 700 124 6.5 7.24 116 SY5632 8.19 10.01 7.37 50 13.8 610 109 6.8 7.53 104 SY5632A 8.65 9.55 7.78 50 13.4 630 112 6.8 7.94 104 SY5633 9.00 11.00 8.10 10 15.0 570 100 7.3 8.28 95 SY5633A 9.5 10.5 8.55 10 14.5 585 103 7.3 8.75 95 SY5634 9.9 12.1 8.92 5
18、16.2 530 93 7.5 9.12 86 SY5634A 10.5 11.6 9.40 5 15.6 545 96 7.5 9.65 86 SY5635 10.8 13.2 1 9剑725 17.3 495 87 7.8 9.92 73 SY5635A 11. 4 12.6 10.2 5 16.7 510 90 7.8 10.4 73 SY5636 11. 7 14.3 10.5 5 19.0 450 79 8.1 10.6 70 SY5636人12.4 13.7 1 11. 1 5 18.2 465 82 8.1 11. 3 70 SY5637 13.5 16.5 1 12.1 5 2
19、2.0 380 68 8.4 12.3 63 SY5637A 14.3 15.8 12.8 5 21. 2 400 71 8.4 13.0 63 SY5638 14.4 17.6 12.9 5 23.5 360 64 8.6 13.1 59 SY5638A 15.2 16.8 1 13.6 5 22.5 375 67 8.6 13.7 59 SY5639 16.2 19.8 14.5 5 26.5 320 56.5 8.8 14.6 53 SYS639A 17.1 18.9 15.3 5 25.2 335 59.5 8.8 15.4 53 SY5640 18.0 22.0 16.2 5 29.
20、1 290 51. 5 9.0 16.2 47 SY5640A 19.0 21. 0 17.1 5 27.7 305 54 9.0 17.1 47 SY5641 19.8 .24.2 17.8 5 31. 9 265 47 9.2 17.8 43 SY5641A 20.9 23.1 18.8 5 30.6 275 49 9.2 18.8 43 SY5642 21. 6 26.4 l 19.4 5 34.7 240 43 9.4 19.4 39 SY5642A 22.8 25.2 20.5 5 33.2 255 45 9.4 20.5 39 8一时50033/133叩97镇表51栏2柜3校4栏5
21、栏6桂7栏8栏9栏10栏I(BR)时的击穿试瞌电反向工VRWM |在Ip为最大峰值脉冲电流V(酬的I(BR)时l击流穿I(电BR) tp= lm8 型电压V(BR)榄I(BR)作峰值时的最下的值I p 最大温最小击TA出tw 电大反向时最大皮系数电压25t 4苦300ms 电流指位电tp=2081 tp= 1ms TA= 时的最最小值最大值VRWM IR 压t ,= 8s I t,= 10 aV(BR) 大直流D2% Vrr阳叫55t电流V v mA V(pk) P.A V(pk) A(pk) A(pk) 1旷的/KV mA SY5643 24.3 29.7 21. 8 5 39.1 210
22、38.5 9.6 22.3 35 SY5643A 25.7 28.4 23.1 5 37.5 225 40 9.6 23.0 35 SY5644 27.0 33.0 24.3 5 43.5 196 34.5 9.7 24.1 31 SY5644A 28.5 31. 5 1 25.6 5 41. 4 205 36 9.7 23.5 31 SY5645 29.7 36.3 26.8 5 47.7 176.5 31. 5 9.8 24.4 28 SY5645A 31. 4 34.7 28.2 5 45.7 185 33 9.8 28.0 28 SY5646 32.4 39.6 29.1 5 52 1
23、64 29 9.9 28.8 26 SY5646A 34.2 37.8 30.8 5 49.9 170 30 9.9 30.5 26 SY5647 35.1 42.9 31. 6 5 56.4 150 26.5 10.0 31. 2 24 SY5647A 37.1 41. 0 1 33.3 5 53.9 159 28 10.0 33.1 24 SY5648 38.7 47.3 34.8 5 61. 9 135.7 24 10.1 34.5 22 一SY5648A 40.9 45.2 36.8 5 59.3 145 25.3 10.1 36.4 22 SY5649 42.3 51. 7 l 38
24、.1 5 67.8 124 22.2 10.1 37.6 20 SY5649A 44.7 49.4 l 40.2 5 64.8 130 23.2 10.1 39.8 20 一一SY5650 45.9 56.1 41. 3 5 73.5 114 20.4 10.2 40.9 18 SY5650A 48.5 53.6 43.6 5 70.1 120 21. 4 10.2 43.1 18 SY5651 50.4 61. 6 1 45.4 5 80.5 105 18.6 10.3 44.8 17 SY5651A 53.2 58.8 1 47.8 5 77.0 110 19.5 10.3 47.3 17
25、 SY5652 55.8 68.2 50.2 5 89.0 955 16.9 10.4 49.6 15 SY5652人58.9 65.1 1 53.0 5 85.0 100 17.7 10.4 52.3 15 SY5653 61. 2 74.8 55.1 5 98.0 84.5 15.3 10.4 54.3 14 SY5653A 64.6 71. 4 58.1 5 92.0 90 16.3 10.4 57.3 14 SY5654 67.5 82.5 60 7 5 108.0 78.0 13.9 10币560.0 12 SY5654A 71. 3 78.3 64.1 5 103.0 82 14.
26、6 10.5 63.2 12 SY5655 73.8 90.2 66.4 5 118.0 71.6 12.7 10.5 65.4 11 SY5655A 77.9 86.1 l 70.1 5 113.0 75 13.3 10.5 69.0 11 SY56S6 81. 9 100.0 73.7 5 65 11. 4 10.6 72.5 10 一9一时50033/13397续表51栏2栏3栏4栏5栏6桂7栏I(R)时的击穿试验电反向工翻电压V(R)流I(R)作路值tw 电压号最小值最大值运300msD:;2% VRWM V V mA V(pld SY5656A 86.5 95.5 1 77.8 SY
27、5657 90.0 110.0 1 81. 0 SY5657A 95.0 105.0 85.5 SY5658 99.0 121. 0 89.2 SY5658A 105.0 116.0 1 94.0 SY5659 108.0 132.0 l 97.2 SY5659A 114.0 126.0 1 102.0 SY5660 117.0 143.0 1 105.0 SY5660A 124.0 137.0 l 110.0 SY5661 135.0 165锅。121. 0 SY5661A 143.0 158.0 128.0 SY5662 144.0 176.0 138.0 SY5662A 152.0 16
28、8.0 136.0 SY5663 153.0 187.0 138.0 SY5663A 16 1. 0 179.0 145.0 SY5664 162.0 198.0 146.0 SY5664A 171. 0 189.0 1 154.0 SY5665 180.0 220.0 1 162.0 SY5665A 190.0 210.0 171. 0 5 3(货准备5.1 包装要求包提要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB汩的规定。6 说明事项-10一VRWM 在Ip为醒大峰值脉冲电流tp= lms 时的最下的值大Ip 大反向时最电流箱位
29、电tp=20间tp1ms h 压tr=8sltr=10阳VC(max) A V(pk) A(pk) A(pk) 5 125.0 68 12 5 144.0 58.6 10.4 5 137.0 62 11. 0 5 158.0 52.8 9.5 5 152.0 55 9.9 5 173.0 57.3 8.7 5 165.0 60 9.1 5 187.0 44.8 8.0 5 179.0 47 8.4 5 215.0 38.9 7.0 5 207.0 40 7.2 5 230.0 36.3 6.5 5 219.0 38 6.8 5 244.0 29.1 6.2 5 234.0 30 6.4 5 2
30、58.0 32.2 5.8 5 246.0 34 6.1 5 287.0 28.4 5.2 5 274.0 30 5.5 8栏9栏10栏V(R)的I(阪时l齿流穿I(电R) 最大掘最小谐TA= 皮系数穿电服25t TA= I大时电直的最班配aV(R) -55t 10叫)/Kv mA 10.6 76.5 10 10.6 79.5 9.5 10.6 84.1 9.5 10.7 87.6 8.5 10.7 92.8 8.5 10.7 95.5 7.5 10.7 100.0 7.5 10.7 102.6 7.0 10.7 109.0 7.0 10.8 118.6 6.0 10.8 126.0 6.0
31、10.8 127 5.8 10.8 134.0 5.8 10.8 135 5.5 10.8 143.0 5.5 10.8 143.0 5.0 10.8 151. 0 5.0 10.8 156 4.5 10.8 167.0 4.5 时50033/133幽幽976.1 预定用途符合本规艳的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单位规定下列的内容:一一本规范的名称和编号一一等级(见1.3.1)一一数最一需要时，其它要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，在合阅或订货单中规定(见3.2.1)06.4 如使用单位需要时，典型特性曲钱等可在合同或订货单中规定。一11一创
32、50033/133- 97 附录A最大籍位电压VCmax的测试方法(补充件)A1 .目的本测试的目的是为了在规定条件下确定瞬态电压抑制二极管的箱位电压是否符合规定的极限值。sA2 电路困测试电路回见图AloA3 电路说明和要求G为脉冲发生器(每分钟最多一个脉冲); R为电源调节电位器;D为被测瞬态电压抑制二极管;V为峰值电压表;Rs为只感电流取样电阻;S为机电开关或电子开关。eo DA D k A4 测试步骤R a) 将环境温度控制到25t:; 因Al籍位电测试电路因b) 调节R使最大脉冲电流Ip到规定债，情器件反向施加如4.5.2的b)中规定的电流，合上开关S.在电照我上读出其峰值措位电压VcoA5 规定条件a) 环境温度为规定值;b) 最大峰值脉冲电流。一12一81 最大锚位电压VCmax回50033/133- 97 附烧B符号制定义(补充件)当承受峰值脉冲电流Ip时，器件两端出现的最大峰值电压。回符号Ip为在规定条件下的最大峰值脉冲电流;PPR为反向峰值脉冲功率;p氏为稳态功事;V(BR)为V(BR)的泪皮系数;I(BRl为在规定条件下的击穿电流。附加说明:本规范由中国电子工业部提出。本规拖由中国电子技术标准化所归口。本规拖由国营第八七五厂负责起草。本规班主要起草人:罗悴辉、刘东才、邹盛琳。计划项目代号:日51059013一
