1、s 中华人民共和国电子行业军用标准虹，5980即则33/138-1998半导体光电子器件GF318型黄色发光二极管详细规范加时.conduc阳1ropt叫ectronicdevices E加剧l哩削筋”“onfor yellow 自抽t“四川创吨diodefor type GF318 1998-03-18发布1998-05”。1典施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和回电子行业军用标准1 范围半导体光电子器件GF318到黄色发光工极管详细规范Semiconductor op伽l喇喇cdevices De侃”吨阳蛐佣donfor yellow light咽副“咱di例如for type GF
2、318 1.1 主题内容臼50033/138一1998本规范规定了率用GF318型黄色发光二极管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围本规部适用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类1.3.1 器件的等级按照GJB33半导体分立器件总规范的规定，提供的质量保证等级为普军级（GP)和特军级（GT）二级。2 引用文件GB 11499-89 年导体分立器件文字符号GB/T 15的卜1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分光电子器件GJB 33由85半导体分立器件总规范GJB 128- 86 半导体分立器件试验方法SJ 2355巾的半导体发光器件测试方法3要求3.1 详细要求各条耍求应按GJB
3、33和本规范的规定。中华人民共和国电子工业部1998-03-18发布1998叩05叩01实施阳刚到138咄19锦3.2设计、结构和外形尺寸精件的设计、结构成按GJB33中3.5.1、3.5.3,3.5.4和3.5.7条及本规范的规定。外形尺寸应符合本规范阁l的规定。3.2.1 管芯材料管芯材料为磷碑化嫁磷化嫁。3.2.2引出端识别引出端识别见困lo3.2.3封装形式器件采用金属玻璃空脏封装，管帽上带有玻璃透镜，见阁lo3.2.4 引线长度可按订货文件规定（见6.2条）提供引线长度不同于本规拖图1规定的器件。3.2.5号钱材料和引钱镀涂引线材料为可伐，引线镀金，也可按照订货文件规定（见6.2条）
4、o3.3最大额定值和主要光电特性3.3.1 最大额定值（见表1)表1/FM 1，酬。Ya PM TA mA mA v mW t 35 200 5 120 呻55”100垃：1)脉冲宽度。.5阻，占空比l/lOo3.3.2 主要光电特性（见我2,TA=25） 一2一T. 啕叫C-55阳125创刷133/138阳1州D -1:!: .:i 1 2 引出端极性：1.jE.极2.负极因1外形尺寸单位：m 最小值标称值最大值D 9.0 9.50 Di 8.0 8.50 D2 5.80 6.40 D3 5.08 d 0.40 0.52 h 6.10 6.70 hi 0.70 0.自b 1.10 1.30
5、T 23 气J名称符号发光强度Iv 正向电压VF 反向电流la 峰值发射榄长Ap 光谱辐射带宽 半强度角8112 3.4标志每个器件上应有下列标志：a.精件型号；b.产品保证等级；c.承制方商标或代号；d.检验批识别代码。4 质t保证规定4.1 抽样和检验SJ则133/138叩19锦表2条件/F:20mA, 6:() /F=20mA VR=3V /F=20mA /F Z却mA/F:20mA 抽样和检验应按GJB33和本规班的规定。4.2 筛选（仅对GT银）数最小简5 ” 啕577 ” 5 筛选的步骤和条件应按GJB33和本规范表3的规定。4.3鉴定检验鉴定检验应按GJB33和本规范表4、表5和
6、表6的规定。4.4质最致性检验值单位最大值响med 3 v A 5仰nm 40 run 也。质量一致性检验店包括A组（见表4）、B组（见表5）和C组（见表6）中规定的检验和试验以及下面的规定。4.4.1 如果制造厂选择下面的方法做试验，应在做相应的B组试验前，指定C组栓验中使用的样品，而且计算C组检验接收或拒收的失效器件数应等于自细检验中指定撤续做C组检验的样品中出现的失效器件数加上C组检验中出现的失放器件数。在做C组检验中的寿命试验时，承制方有权选择全部或部分已经过340hB组寿命试验的样品再进行刷h的寿命试验，以满足C组寿命试验l刷h的要求。4.4.2 C组检验应在初始批时开始进行，然后在
7、连续生产过程中每隔6个月进行一次。4.4.3 如果订货文件中巳作规定（见6.2条），承制方应将质量致性检斡数据连问器件一起提供。4.5 检验和试验方法一4一步辘2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 “刚33/138酬1卿检验和试验方法按表4、表5、表6和表7的规定。表3筛选的步骤和条件（仅对GT级）GJB 128 检验和试舱方法条件内部自检却73（封椭前）高翻薄命（不工作）1回2Tstg= 12S吧，t=72h 热冲击除低温为“55吧，循环（掘度循环）1051 却次外，其余按试验条件B髓定加速度Y1方向京剧加速度I阳则m1(-密封（不要求）高温反偏（不适用）中间光电参数测试正向电压SJ
8、2355.2 Ir灿nA反向电流SJ 2355.3 Va嚣3V发光强度GB.汀15651I勘nA,8=0 电老炼1038 /y嚣35mA,t=96h 最脂测试。（老化后96h内究成）IE向电压变化麓的绝对Ir嚣坦mA划2355.2值发光强度变化酷的绝对GB/I 15651 /F嚣灿拙，6=0值带封1071 试脆条件日，最大漏率细检漏为5mPacm3/s粗检漏试验条件C外观及机械检验却71打标志之后进行tt: I）最后测试中跑过A2分组极限值的器件应予以剔除。符极限值啤号最小值最大值位芯片完整电极究整Vr 畔3 v la ” A Iv 5 - 跚地D.Vr mV 10%1VD u时Mv 20%1
9、VD 无裂纹，先锈蚀，无损坏，标志清晰一5一日到附，33/138皿1州表4A细检验条件数值检验或试验符号方法单位L1PD （除非另有规定几25）最小值最大值Al分组GJB 128 无裂纹，无锈外现及机械检5 蚀，无损坏验却71A2分组5 正向电压VF 时2355.2/F：拗nA- 3 v 反向电流/R SJ 2355.3 VR=3飞J时.A 发光强度Iv GB/T 15创1/F: 2伽此，6=05 ” med A3分组5 低温下的VF SJ 2355.2 TA目叫55，F=20mA- 3.5 v 正向电压高泪下的JR SJ 2355.3 TA= 100吧，VR=3V.” 100 .A 反向咆流
10、A4分组15 峰值发射波长Ap GB!f 15臼1/F：却mA577 SCJT run 光谱辐射带宽& GB/T 15651 Ir班加tA- 40 run 半强度角。l/2SJ 2355.5 Ir需20mA5 四。表5B组检验GJB 128 L1PD 检验和试验或n(c) 方法条件Bl分组15 可焊性2丑6标志的耐久性IC盼按本规拖3.4条B2分组10 热冲击（温度循环）1051 除低温为55，循环20外，其余按试验条件B密封171 细检漏试验条件日，最大漏率为5mPacm3/s粗检漏试瞌条件C最蹈测试表7，步骤183分组5 稳态工作寿命l即7IF= 35mA, t = 340h 一6一检验和
11、试验方法最后测试B4分组开帽内部现检却75（设计验证）键合强度11)37 BS分组（不适用）B6分组高温寿命（不工作）1032 最后测试检验和试验卿一蜘“一表7，步骤2到一牙mm一GJB 128 条件试验条件A，键合强度：泣如mNTstg嚣125吧，t=340h 表7，步骤2表6c组检验GJB 128 方法条件Cl分组外形尺寸2刷按本规范罔l分组热冲击（玻璃应力）1056 试验条件A引出端强度2036 试翰条件E密封1071 细检漏试验条件H，最大漏率为5mPacm3自粗检漏试翰条件C综合泪度搜度周期试验1但1省略予处理条件外观及机械检瞌如71无裂钱，无明显锈蚀，损坏最后调！1试号是7，步骤l
12、。分组冲击2016 不工作，按14700mls2,0.5附在Y1方向上冲击5?X 变频振动2仍6恼定加速度2仪:KjY1方向，1货训XmJs2, 1 min 最后测试表7，步骤lC4分组（不适用）L功或n(c) 1 (0) 却（c=0) 7 LIPD 5 10 10 一7GJB 128 检验和试验LTPD 方法条件白分组（不适用）C6分组).= 10 稳恋工作寿命1臼6lr=35mA,t=l仅Xh最后测试表7，步骤2。分组10 商植寿命（不工作）1037 Ts地1挡吧，t= lCXXlh 最后测试表7，步骤2表78组和C组的测试数值步$廉幢验方法条件符号最小值最大值正向电压SJ 2355.2
13、Ir拗nAVr 叫3 反向电流日2355.3VR=3V /R 四发光强度GB汀15臼llr=2仇nA，。骂（）Iv 5 响21) .iE向电压回2355.2lr=20mA Vr 时3.3 反向电梳臼2355.3VR=3V /R 喃2 发光强度GB/T 151臼1IF却mA，。骂（）l可4 由垃：1）对本试验跑过A2分组极限值的器件不能向用户提供。5 交货准备包装成符合GJB33的要求。6 说明事项6.1 预定用途器件可在各种军事仪器设备和各种民用电子仪器设备中做显示和指示用。6.2 订货文件内容合同或订单中应载明下列内容：a.本规范的名称与编号；b.器件的型号和等级；c.数最；d.如果号钱不镀金，应规定镀层（见3.2.5条）；e.如果引线长度不问于回l，应规定引线长度（见3.2.4条）；单位v .A Ill(对v .A med f;检段数据（见4.4.3条）；g.其宫。6.3定义“倒)33/138“1唰本规施使用的术谐和符号应按GJB33, GB 1141”、GB/115创1以及以下规定。e.3.1 a 光电探测椿光轴与器件机械轴之间的央角。6.3.2 IVD 单个器件的初始值。附加说明：本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国费第七四六厂跑草。本规班主要跑草人：徐锦仙、玉珍。计划项目代号：B610110 一9一
