1、中华人民共和国电子行业军用标体分立器件3DK306型功率开关晶体管详细1 范围1. 1 主题内_11 SJ 50033/15 94 本规范规定了3DK306AG型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。1. 2 外形尺寸外形尺寸应按GB7581(2-P、tb, 1. 52 tb2 0.966 1. 092 :;:, tD 22.86 R. d 5.46骨F , 3. 50 q L 8.0 13.9 U, L , 1. 52 tP 3.84 4.21 q 29.90 30.40 R1 13.58 吃R
2、2 4.82 S 16. 89. 4 U1 40. 13 U2 27.17 图1中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实SJ 50033/15 94 1. 3 最大额定Ptot 1) VCBO VCEO VEBO Ic IB Tj Tstg 型号Tc =25C (W) (V) (V) (V) (A) (A) CC) CC) 3DK306A 700 400 3DK306B 800 450 3DK306C 900 500 :mK306D 75 1000 550 6 3.75 1. 0 175 55175 3DKJ06E 1100 600 3DK:25C时，按500mW
3、/C的速率线性地降额。1.4 主要电特性(TA-25C)极限值hFE1 1) V CE(sat) V BE(sat) ton t , t IT Cob Rth(jd Ic =1. 5A lc: = 1. 5A VCE =10V VC8 =lOV Vn: =10V Is =0. 3A 181 =0. 3A Ic =0. 5A I=O.lMHz VCE =25V Isz = -0. 5A 1=3.0MHz IE =0 Ic = 1. OA (V) (s) (MHz) (pF) CC/W) 程号max 口laxmm 自lax口lax3DK306AG棕715红1525橙25401. 2 1. 5 1.
4、 0 2. 2 1. 0 6 370 2.0 黄4055绿5580, 注:1) hFE! 40各档，其误差不超过士10%。2 引用文件3 GB 4587 GB 7581 GJB 33 GJB 128 3. 1 详细要求双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法 各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。一2一SJ 50033/15 94 3. 2. 1 引出线材料和涂层引出线材料应为可伐，引出线表面应为锡层或锦层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。3. 3
5、 标志器件的标志应按GJB33的规定。4质4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJR33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。F列测试应按本规范表l的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛选测试(见GJ33的表2)GT;f口GC丁十7、中间电参数测试Icool和hFE18、功率老化见4.3. 1 9、最后测试按本规111表l的A2分组:.IcBol :S;:初始值的100%或100A.取较大者。4. 3. 1 功率老化条件功率老化条件如下:T , =162.5士12.5C V CE =25V I气。t二三37.5W4.4 质量一致性检验.hFE1 CEO的最低极限，晶体管为合格。试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的流及结温保持在安全值以内。A4 条件8. 环境温度TA; b. 测试温度Ic。附加说明:本规范由中国电子标准化研究所归口。本规范由衡阳市晶体管厂负责起草。本规范主要起草人2夏贤学、欧阳映和计划项目代号:H901001、H901002一一10一-电极电
