SJ 50033 157-2002 半导体分立器件.3DA506型硅微波脉冲功率晶体管.详细规范.pdf
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1、f也-.-. FL 5961 共1 细脉;, -mA rr 范Semiconductor discrete devices SJ 50033/157 2002 Detail specification for type 3DA506 silicon microwave pulse power transistor 2002-10-30发布2003-03-01实施中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业半导体分立器件3DA506型硅微波脉冲功率晶体Semiconductor discrete devices 用标准规范Detai1 specification for可pe3DA506
2、silicon microwave pu1se power transistor 1. 1 1 . 2 1. 3 范围主题内容本规范规定了3DA506适用范围本规范适用于分类本规范根据1. 3. 1器件的等t主GJB飞1A.,.;特军级和2 引用文件GB厅458GJB GJB 12 3 要求3. 1 3.2 中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布SJ 50033/157-2002 2003-03-01实施二一SJ 50033/157-2002 外形尺寸外形尺寸见图10 3.2.3 mm 嗖电G 代号尺寸町unmax A 6.0 b. 2.4 + 2.8 b 2.4 2.8 C 0.0
3、7 。13D 3.17 3.43 F 1.47 1.57 G 10.03 10.29 K 9.65 9.91 L 20.5 24.5 Q 2.85 3.35 q 16.36 16.66 U 22.70 23.33 1 I t I 。C D I I 、汁E汇K iu411 L e-一C一一集电极B一一荔极E一一-发射极外形图图1最大额定值和主要电特性段大额定值3.3 3. 3. 1 pt l 民BOVEBO Ic 过激励写T町VSWR-S VSWR-T V V A dB 号W3DA506 8 60 3 2 2: 1 2.5: 1 200 -65-200 飞几25C时拉伯.7mW/K线性降额.J)
4、 2 L二4SJ 50033/157-2002 3.3.2 主要电特性(几=25-C) 特性和hFE 条件极VCE=5 V 限1c=0.5 A 型号是大3DA506 10 100 3.4 测试妥求电测试E3.5 , 4. 1 4.2 4.3 1c回VCEsat mA V VcB=32 V 1c=0.5 A 1E=0 1B=0.1 A 最大最大0.8 Gp Po 可顶降RL dB w % dB dB Vcc=32 V. P . =1.4 W fi 3.1 3.4 GHz 1w=300间,D=1O% 是大最小是大最小是大最小1.25 11 15.5 31 0.5 9.5 筛选应核本规范的规定1、句
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