1、f也-.-. FL 5961 共1 细脉;, -mA rr 范Semiconductor discrete devices SJ 50033/157 2002 Detail specification for type 3DA506 silicon microwave pulse power transistor 2002-10-30发布2003-03-01实施中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业半导体分立器件3DA506型硅微波脉冲功率晶体Semiconductor discrete devices 用标准规范Detai1 specification for可pe3DA506
2、silicon microwave pu1se power transistor 1. 1 1 . 2 1. 3 范围主题内容本规范规定了3DA506适用范围本规范适用于分类本规范根据1. 3. 1器件的等t主GJB飞1A.，.;特军级和2 引用文件GB厅458GJB GJB 12 3 要求3. 1 3.2 中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布SJ 50033/157-2002 2003-03-01实施二一SJ 50033/157-2002 外形尺寸外形尺寸见图10 3.2.3 mm 嗖电G 代号尺寸町unmax A 6.0 b. 2.4 + 2.8 b 2.4 2.8 C 0.0
3、7 。13D 3.17 3.43 F 1.47 1.57 G 10.03 10.29 K 9.65 9.91 L 20.5 24.5 Q 2.85 3.35 q 16.36 16.66 U 22.70 23.33 1 I t I 。C D I I 、汁E汇K iu411 L e-一C一一集电极B一一荔极E一一-发射极外形图图1最大额定值和主要电特性段大额定值3.3 3. 3. 1 pt l 民BOVEBO Ic 过激励写T町VSWR-S VSWR-T V V A dB 号W3DA506 8 60 3 2 2: 1 2.5: 1 200 -65-200 飞几25C时拉伯.7mW/K线性降额.J)
4、 2 L二4SJ 50033/157-2002 3.3.2 主要电特性(几=25-C) 特性和hFE 条件极VCE=5 V 限1c=0.5 A 型号是大3DA506 10 100 3.4 测试妥求电测试E3.5 , 4. 1 4.2 4.3 1c回VCEsat mA V VcB=32 V 1c=0.5 A 1E=0 1B=0.1 A 最大最大0.8 Gp Po 可顶降RL dB w % dB dB Vcc=32 V. P . =1.4 W fi 3.1 3.4 GHz 1w=300间，D=1O% 是大最小是大最小是大最小1.25 11 15.5 31 0.5 9.5 筛选应核本规范的规定1、句
5、鹏、!柿、1 ,d/ .飞、ag fd;3; 筛选要求jJ-f/ 除。v乒、川飞、哈(、+唱飞，66r JJFHV 筛选争V，ZZ飞扣，.慨, 咽困-，.山世3辛. 1 内部目检2070 . 34-屯tjtjt坷tEedL别快峙，JA,J 吨.即咽2.高温寿命1032 100叫e产碍啻咀辑、3.温度循环1051 试验条件f，20次4.恒定加速度20日6Y，方向9800rnls.不要求保持1mino 7.密封8.细检漏1071 试验条件H1.517kPa.仙，如10mPa cm/s. b.粗检漏试验条件C.10.高温反偏1039 试验条件A.TA=150 C.民.=48V. 1=48 h 11.
6、中间测试hFE1, lCBOl 12.功率老炼1039 试验条件B.巧=187.5士12.5C. VcE=12 V. Pt0t主2.5W. 160 h 13.终点测试MCBO为初始值的100%或0.5mA.取较大者sIMFElI运初始值的20%R (!hl j. i汽pa节; 2037 FF 亘古各i.可，、AY GIl厅W民u1032 (EB B3分组稳态工作寿命Il4分组开帽内部目检(设计验证)键合强度B6分组高温寿命不工作)B5分组热，rr2006 B7分组1恒定加速度2052 PIND 1. 3. 5 终点测试仅适用于IT和JCT级.1) 5 Lllj!llLyl-SJ 50033/1
7、57一-2002表3。组检验鉴定检验和大批量小批量的质量Gffi 128A 检验或试验条件的质量一致性检验一致性检验方法号LTPD n/c C1分组15 6/0 外形尺寸2066 见图I尺寸C2分组10 6/0 热冲击1056 试验条件A引出端强度2036 试验条件A.F5N. 1=10s 每只器件受试引出端数，2 密封z1071 a细检漏同筛选步骤7b粗检漏同筛选步骤7M湿1021 外观检查2071 终点测试表5步骤1，3. 5 C3分组10 6/0 冲击2016 9800 mI豆t0.5 ms 扫频振动2056 恬定加边度2006 9 800 mls. X，、Y，、Z，方向.1 min 表
8、5步骤1，3. 5 终点测试C6分组.=10 12/0 粉、态工作寿命1026 条件同B3分组.1000h终点测试表5步骤2.4. 5 1) 如在B7分组进行了该试验，在此可不要求.表4E组检验检验或试验Gffi 128A 条件抽样方案极限值方法号最小最大E1分组6/。温度循环1051 试验条件f.50次终点测试表5步骤l、3、5E4分组LTPD=11口热阻GBfT 4587 25 C运Tc70c 2L9KIW CEB iE向法)N. 11 F斗(:E=10V. Ic=O .s A. tw= 1 ms 6 SJ 50033/157-2002 B组、C组和E组的终点测试表5单位l GB厅4587
9、-，-一一条件发射极开路V 符号试测步骤方法N. 1.2 集电极一基极发射极开V mA N. 1.2 集电极一基极mA 100 初始值的3肌2 2 10 hFEI VCE=5 V. N. 2.7 正向电流传输比正向电流传输比变化3 4 ICO IcBO V 了.，、山一运输要求电VJ怜可运输要求应t交GJB集电极一发射极包装要求包装要求应贮存要求交货准备说明事项5 1) 。5 5.2 5.3 E 5. 1 d 7 附加说明=本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范由信息产业部电子第四研究所负责起草。本规范主要起草人=赵英、黄玉英。计划项目代号i801017, L flllff|lfltit-i 剧。ON-hmwF凹的。的，中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DA506型硅微波脉冲功率昂体管详细规范SJ 50033/157-2002 * 版刷行出印发中国电于技术标准化研究所中国电子技术标准化研究所中国电子技术标准化研究所电话:(010) 84029065 传真:(010) 64007812 地址z北京市安定门东大街1号邮编:100007 网址g阿w.ceSL ac. cn 9 印张:-16 2003年4月第一次印刷字数:18千字* 1/16 开本:880X1230 2003年4月第干版版权专有不得翻印举报电话:(010) 64007804
