1、中FL 5961 I 、曰曰曰主电口口、吕Semiconductor discret device SJ 50033/2 94 Detail specification for type 3CK2904, 3CK2904A、3CK2905and 3CK2905A PNP silicon low-power switching transistor 1994-09-30发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准 中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3CK2904、3CK2904A、3CK2905琴日3CK2905A型PNP硅小功率开关晶体管详细规范Semiconductor
2、 discret device Detail specification for type 3CK2904, 3CK2904A、3CK2905and 3CK2905A PNP silicon low-power switching transistor 1 范围1. 1 主题内容SJ 50033/2 94 本规范规定了3CK2904、3CK2904A、3CK2905和3CK2905A型PNP硅小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规班根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范
3、)1.3条的规定，提供的特军三级，分别用字母GPGT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 - 84 双极型晶体管测试方法GB 7581一87半导体分立器件外形尺寸GJB 33一85半导体分立器件总规范GJB 128 - 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布等级为普军、特军和1994-12-01实施臼50033/294 F一一一十一器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡
4、或浸锡。对引出帘，材料句:挣层55求进择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.3)。3.2.2 器件结构采用PNP硅外延平面型结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸按GB7581的A3一02B型及如下规定。见图1045 吃 骨b1-4 斗 吃号A3-02B 符号主寸最公称A 6.10 伊5.08 rpbl 唔V20.407 lpD 8.64 一2一最引出1. 发射极2.基极3. 集电极大6.60 1.01 0.508 9.39 SJ 50033/2一饵，续表tt 号A3-02B 符号主寸最公称 .嘱-一rpDt 8.01 0.787 3.3 3.3.1 J 0.712 K 0.740 L
5、12.5 L1 图1外形尺寸走值和主要电特性(TA=2St) 定值PME p2) 钮V到3V。型号TA =25C TA = 25C 3CK2904 3CK2905 3CK2904A 3CK2905A 注:1)2) 3.3.2 (W) (W) (V) -60 。63.0 -60 TA25C.按3.43mW/t的速察线位青牵制。Tc25C ，按17.2mW/C的速率线性问酬。电特性参数(V) -40 -60 裂符号(单位)试条件3CK2904 V= -lOV 3CK2905 hFE1 i Ic=O.lmA 3CK2904A 3CK2905A 3CK2904 V= -10V 3C12佣5hFEZ l
6、c= 1.0mA 3CK2904A 3CK2905A 3CK2904 V= -lOV 3CK2905 hF丘5lc= 10mA 3CK2904A 3CK290SA 号VVRO (V) -5 -5 一一一最4J指、 ，-叫气叫，一一叫且一6.50 屿阳0.863 1. 14 25.0 1.27 lc T啕和Tj(mA) (C ) 600 -65- +200 极限值最小最大值20 35 40 75 25 175 50 450 40 175 100 450 35 7S 40 100 3一臼50033/294 续表参数符号(单位)试条件VE= -10V 1) h FF,4 Ic= 150mA V= -
7、10V ho FES Ic = 500mA V= -20V h(MHz) Ic = 50mA f= 100MHz V= -10V Cobo(pF) IE=。f= lMHz lon(ns) Ic= 100mA IB= 10mA loff( ns) Ic= lOOmA IB1 = 1m = 10mA 注:1)脉冲法(见4.5.1)3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。，3.5 标志的标志应按GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和GJB 33和本规范的规定。4.2 鉴定检验定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)GJB 33表2和本规范
8、的规定。限值应予剔除。 4一型3CK2904 3CK2905 3CK2904A 3CK2905A 3CK2904 3CK2905 3CK2904A 3CK2905A 所有型号所有型号所有型号所有型号试应按号最小最大值40 120 1佣300 40 120 100 300 20 30 40 50 200 8 45 300 范表1进行，超过本规范表1极选(见GJ833表2)7.中间参数测试8.功率老化9.最后测试4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下:TA Z25飞:t 3C VCB = - 30V P ,or = 600mW SJ 50033/2 94 试和试验I划和hFFA、Icrs见4.
9、3.1按本规范表1的A2分组:. ICIlO1 =初始值的100%或5nA.取其较大者;AhFZA=士15%注:不允许器件上加散热器或强迫风玲。4.4 质量致性检验质量一-攻性检验应按GJB33的规定进行。4.，.1 A住检验A组检验应拉GJB33和本规?臣表1的规定进行。4 , 4 2 .B组检验B Ji拉拉应挂GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(L )要求应按本规也表4的步骤进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(L )要求应按本规范表1的步，何进行。t:. 检验和试验方法检验和试比方t11应按本规范相应的表和下列规定im
10、b2.l HKF卡拉出以陈冲测试应主肖GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2 输入电容本试验应按本规范附录B规定的方法进行。4.5.3 热阻(仅进行鉴定试验)本试验应采用如下细节:a. 施加功率时的集电极电流应为90mAob. 集rtr.集一发射极电压为10VoC. 基准温度的测量点为管壳。扎菲f1t点和f堂可夫妇。12辛I吱哎哇管壳带4号:热窍，f 院一飞;阿阴I吉为气(JCI W 5一检Al分组机械检A2分组集电击穿电压集电击穿电压集电极发射极击穿电压3CK2904 3CK2905 3CK2904A 3CK2905A 集电极截止电流3CK2904 3CK2905 3CK2904A
11、3CK2905A 发射极基极电流集电极-发射极电流3CK2904 3CK2905 3CK2904A 3CK2905A 正向电流比3CK2904 3CK2905 3CK2904A 3CK2905A 正向电流比3CK2904 3CK2905 3CK2904A 3CK2905A 正向电流传输比3CK2904 3CK2905 3CK2904A 6一方法GJB 128 2071 2.9.2.1 2.9.2.2 本规范附录A2.1 2.2 2.14 2.8 2.8 2.8 臼50033/294 表1A组检验GB 4587 条件发射极基极开Ic= 10A 集电极基极开路IE= 10A 发射极基极开路Ic=
12、10mA 脉冲法(见4.5.1)发射极基极开路V= -50V 集电极基极开路VCB= -4V 基极一发射极短路Vcr;= -40V VCE= - 60V VCE= -10V, Ic=0.lmA V= -lOV, Ic= 1.0mA V= -lQV, Ic= 1.0mA LTPDI符号5 5 I V(酬I V(BRl附V(BRlCEO 1 CIlOl I EIlO Is hFE1 , hFE2 hD 极限值最不可大I - 60 I I - 5 I I -40 I -40 I -60 I -60 I 20 20 10 10 单位V v V v v v nA nA nA nA I 50 I nA 1
13、 |A 20 I 35 I 40 I 75 I 25 175 I 50 450 I 40 175 I I 100 I 450 I 75 I 40 I 臼50033/294 纹衷1GH 4587 极限值LTPD 符号单位方法条件最小最大+ ? 3CK2905A 100 飞正向电流比2.8 V= - 10V.lc = 150mA hFE4 3CK2904 脉冲法(且4.5.1)40 120 3CK2905 40 120 3CK2904A 100 300 3CK2905A 100 300 正向电流传输比2.8 V= -10V. lc= 500mA hFES 3CK2904 脉冲法(见4.5.1)20
14、 3CK2905 30 3CK2904A 40 3CK2905A 50 集电极-发射极2.3 lc= 150mA. lB= 15mA V( . ,)1 -0.4 v 饱和压降脉冲法(见4.5.1)集电极一发射极2.3 1 c = 500mA. 1 B = 50mA V匾。z-1.6 V 饱和压降脉冲法(见4.5.1)基极-发射极2.4 lc= 150mA. lB= 15mA V陇副)1-1.3 v 饱和压降脉冲法(见4.5.2)基极-发射极2.4 1 c = 500mA. IB = 50mA V BE( . tl2 -2.6 V 饱和压降脉冲法(见4.5.1) 斗A3分组5 高温工作:TA =
15、 + 150t: 集电极-基极发射极-基极开路I到)2截t电流2.1 V= -50V 3CK2904 20 A 3CK2905 20 A 3CK2904A 10 A 3CK2905A 10 A 低工作:TA = - 55t: 正向电流比2.8 V= -10V. lc= 10mA h FF.6 3CK2904 15 3CK2905 30 3CK2904A 20 3CK290趴50 A4分组5 小信号短路正向2.7.2 V= -10V he 电流传输比Ic= lmA (需要时)f二1kHz3CK2904 3CK2905 50 3CK2904A 40 一7一, 一叫检验或3CK2905A 特率开路输
16、出电容入电容lii开路)饱和开启时间._,_ M._ .品.- , .帖，. M、叫川可不适用i 叫咱检验和试验王I:fd且可焊性标志的耐久性B2分组咱白:根冲击(混j支何坏)密封a细检;高1Q.粗检漏SJ 50033/2, 94 续表1GB 4587 LTPD 符方法条件2.11. 2 Vn:=一20V，I= 50mA h f= 100MHz 2.11. 3 V=-10V，IE=0 Cobo f= i Y!Hz 本规范VEll = - O.5V CU:o 附录BIc=0.f= l :1Hz A4 1.= lOOmA, ll二10mAt回A斗I c 1omA !tcdf I 1 Hl工ir1如
17、1J飞表2B组检验四跑回归于町、国-卢一GJB 128 !方注:杀:中;:074! Hl22 一了一一一一十一1051 i i试验条件H试验条件C限值号单位最小最大100 200 MHz 8 pF 30 pF 45 ns |300 i ns LT。飞骂:io 革jd泌以L一以4，州i、3日斗一L 一一如分组稳态工作寿命最后测试:剧;对立民对中白内.JijtiiUi十验证飞销量令E里照1 :， . ,t?h f生11一t飞i VB=1OVP回z创例0伽rn口lI TA = 25土3C1027 i不允许器件加散见表4，步骤2和5或强迫!时辛，2心1:目检标准按鉴;辛时的设计!m7 条件A一-一-l
18、-一一一-一一一十i心B.15爪i见4，)，3i2.: is 每j比一件，0失效20(C=0) ,. SJ 50033/2 94 2 GJB 128 检验和试验LTPD 方.法条件B6分组7 高(不工作)1032 TA =200C 最后测试g见表4.步2和5表3C组检验GJB 128 验或试验LTPD 符号单位方法条件最小最大Cl分组15 外形尺寸2066 见图1分组10 热冲击(玻璃应力)1056 A 引出端强度2036 条件E密封1011 8.细试验条件Hb.粗检试验条件C综合温度/湿度1021 外观及机械试验2071 最后测试:见表4.步1、3和4C3分组10 冲击2016 变频振动20
19、56 假定加速度2006 最后测试见表4.步1、3和4c4分组15 . 盐气(适用时)1041 c5分组不适用.庐c6分组, = 10 稳态工作寿命1026 TA=25 :t 3C V= -10V P,ot= 600mW 不允许器件加散热器或强迫风冷最后测试:见表4.步2和59一臼50033/294 续表3GJB 128 极限检LTPD 符号单位方法条f牛最小最大 cl分组5 高温工作:TA = + 150C 集电极-发射极2.3 Ic= 150mA VCE(四-0.4 v 饱和压IB= 15mA 脉冲法(见4.5.1)低温工作:TA = -55C 基极-发射极2.4 Ic= 150mA VB
20、E(皿)3-1.6 v 饱和压IB= 15mA 脉冲法(见4.5.1)表4B组和C组的测试方法条件符号百十单位GB 4587 步骤|检验或试验1 1集电极-基极电流2. 1 1;发射极-基极开路V= -50V Im 3CK2904、3CK29053CK2904A、3CK2905A2 1集电极-基极截止电流3CK2904、3CK29053CK2904A、3CK290雪A3 1集电极-发射极饱和压降一一2. 1 1发射极-基极开V= -50V 1 CIlOl 4 1正向电流传输比2.3 I I=150mA IB= 15mA 脉冲法(见4.5.。2.8 I VE= -lOV Ic = 150mA 脉
21、冲法(见4.5.1)V(.，)1 h FE4 3CK2904、3CK2904A3CK2905、3CK2905A5 1正向电流传输比注:1)对于本J-WML乙二-hu，E、-队时tp=臼法一如-7冲一应VK脉一不l件8器二的值限极组A 过超lihFE4 40 1 1201一100 1 3001一初始值的i:25%。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2贮贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求应按GJB33的规定。一10一臼50033/294 6说明 6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货资合同或订货单应规定下列
22、内容:a. 本规范的名称和编号:b. C. (见1.3.1); d. 需要时，其他要求。. 6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。11一Al 目的本测试的目的是为了在值。A2 测试电路电路见A10臼50033/294 附录A一发射极击穿电压(补充件)定的条件下确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低R, -v 、十A 图A1集电极一发射极击穿电压测试电路A3步电阻器Rl为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下
23、所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格。12一81 吕的SJ 50033/2 94 附录B输入电容输出端开路或短路测试方法(补充件)本测试的目的是为了在规定的条件下，测试晶体管输入端的并联82 测试电路测试电路见图B10 V s A 图B1输入电容(输出端开路或短路)测试电路 83步。电桥输入端之间的直流电阻应小，并能传输所要求的发射极电流而不影响测试要求的度。将规定的电压及电流加到引出端上，并将交流小信号加到输入端上。将开关S断开或闭合则取决于输出端在交流短路或开路状态。然后测试输入电容。电容读数仪应与连接的电路无关，从而消除寄生电容和电路布线所引起的误差。, 附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所、四四三一厂和济南半导体所共同负责起草。本规范主要起草人:玉民福、朱志光、钟泰富。计划项目代号:BJ1104o 一13一
