1、中FL 5961 ，、目目目SJ 50033/31 94 discrete device Detail specification for type FH101 NPN silicon power Darlington transistor 1994-09-30发布1994-12-01实中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和电子行业军用标准1 范围半导体分立器件FH10l型NPN硅功率达林晶体管详细规范Scmiconductor discrete device Detail specification for type FH101 NPN silicon power Darlington t
2、ransistor 1. 1 主题内容SJ 50033/31 94 本规范规定了FH101型NPN硅功率达林顿晶体管以下简称器件的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB331.3条的规定，提供的特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2 引用文件3 GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GB 11499 89半导体分立器件文字符号GJB 33 85 半导体分立器件总规定GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3. 1 详细要求各项要求
3、应按GJB33和本规范的规定3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规程的规定。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布证等级为普军、特军和超1994斗2-01实一1SJ 50033/31 94 3. 2. 1 引出端材料和涂引出端材料应为可伐。引出3.2.2 器件结构采用外延台面结构3.2.3 外形尺寸面应为锡层或镇层。 外形尺寸应符合GB7581的出一01C型及如下的规定(见图1)。、-d R, 40. E( IXI z 2-P T 因囚:, Rz 、q 、U, 中D.民户A:., I 叫-. 引出l一基极2一发射极外壳一集电极份2图1FH101外形
4、图3.3 最大额定值和主要电特性3. 3. 1 最大额定值p ee, u Vc皿VCEO VE回Ic IB T, T. 型号Tc=25C (W) (V) (V) (V) (A) (A) (C ) (C) FH101 250 700 500 8 50 10 -55-175 注:1)Tc25C时，按1.67W /C的速率线性地一2一。SJ 50033/31 94 3.3.2 主要电特性(TA=25C)极hFE1 VCE(ut) V BE(at) VF 限VcE=5V 1c=20A 1c=20A 1F=20A 值1c=20A 1B=lA IB=lA (V) (V) (V) 型号最小值最大值FH101
5、 25 2.2 2.75 5 唱一，.极Cob td t , t. tf R.h(l-C) 限Vc8=10V 1c=20A 值1E=0 1c=2A 型f=100kHz 181且一1B.=lAVcE=10V 25CTc王三75C(pF) (A) 号(C/W) 最大值FH101 750 0.3 1.0 2. 5 1.0 O. 6 3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3. 5 标志标志应符合GJB33和本规班的执定。4 4. 1 抽样和检验样和检验按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验按GJB33的规定。4. 3 筛选仅对GT和GCT级筛选应按GJB33表2和本规范的规定
6、。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予以锡除。筛选(见GJB33的表2)7、中间电参数测试8、功率老化9、最后测试4.4 质量一致性检验Ic回1和hFE1T，=162.5士12.5C Ptot注125WVcE=15V 测试或试验按本规范表1的A2分组JCERl初始值的100%或300A取较大者.hFE1初始值的土20%一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。-3一SJ 50033/31 94 4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规施表2的规定进行。4.4.3 c组检验 C组检验应按GJB33和本规范表
7、3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4. 5. 1 脉冲测试冲测试条件应按GJB128的3.3. 2. 1的规定。表1A组检验GB 4587 极限值检验或L 单位方法条f牛A1分组5 外观及机械检验GJB 128 2071 A2分组5 集电极一发射极本规范基极一发射极开路(BR)CEO 500 V 击穿电压附录AIc=5mA 集一基极2. 1 VcB=500V COOl O. 5 mA 截止电流发射极一基极2. 2 电极一发射极开路EOO 350 mA 截止电流VEB=2V 正向电流比2. 3 VcE=5V 25 lc=20A 脉冲法(见4.5. 1) 集电极一
8、发射极2.3 Ic=20A CE(a匾。2. 2 V 饱和电压la=lA 脉冲法(见4.5. 1) 基极一发射极2.4 Ic=20A BE(sa。2.75 V 饱和电压IB=lA 脉冲法见4.5. 1) 一极管正向电压GB 4023 IF=20A F 5 V 1. 2. 1 A3分组5 高温工作IA=125士5.C集电极一基极2. 1 VcB=500V 002 5 mA 截止电流作TA=-55C 正向电流传输比2.8 VCE=5V fhFEO 15 Ic=20A 脉冲法(见4.5. 1) -4一检验或A4分组输出电容延迟时间上升时间l词下降时间A5分组安全工作区(直流)试验1试验2试3 最后测
9、试检验或试验B1分组可焊性标志耐久性B2分组热冲击(温度循环)密封a b 最后测试B3分组稳态工作寿命方方法2.11.3 A.4 A.4 A.4 A. 4 2026 1022 1051 1071 1027 法SJ 50033/31 94 续表1GB 4587 条f牛VcB=10,IE=0 f=100kHz Ic=20A IB1=一IB2=lAIc =20A IB1=一IB2=lAIc=20A IB1=一IB2=1AIc=20A IB1=一IB2=lATc=25C t=1s，单次VcE=5V Ic=50A VcE=15V Ic=16.7A VcE=500V Ic=8mA 见表4步1和3表2B组检
10、验GJB 128 条T，=162.5士12.5C Ptot注125WVcE=15V 限5 CCob 750 pF td 0.3 s t, 1.0 s t. 2. 5 s tf 1.0 s 10 LTPD 件15 10 5 -5一 SJ 50033/31 94 续表2GJB 128 检验或LTPD 方法条f牛 最试见表42和4B4分组(仅对GCT极)开帽内部目检2075 每批个器件，(设计核实)。失效键合强度2073 试验条件A20(C=0) B6分组7 高温寿命1032 TA=175-C t非工作状态)最后测试见表4步2和4表3C组检验LTPD 符号极限值最小百际值单位GJB 128 方法条件
11、C1 15 尺寸C2分组热冲击(玻璃应力)引出端强度密封a细b 2066 I见图110 1056 I试验条件B2036 I试验条件A1071 试验条件H试验条件F1021 周期试验外观及机械检验最后测试g 2071 见表4步骤1和3C3分组10 冲击I 2016 (动I 2056 恒定加速度2006 最后测试|见表4步l和3C-I分组(适用时)盐气(侵蚀)唱EAA错nu 咽EE.15l C6分组稳态工作寿命=10 1026 I Tj=162.5土12.5C P.o.-;125W 最后测试VcE=20V 见表4步骤2和4-6一SJ 50033/31 94 表4A、B和C组最后测试步GB 4587
12、 限值测试符号方法条牛最小值最大值1 集电一基极截止电流2. 1 VcB=500V Ic皿i0.5 2 集电一基极截止电流2. 1 VcB=500V Ic皿11.0 正向电流比2.8 VCE=5V 3 Ic=20A hFE1 25 脉冲法(见4.5. 1) 正向电流比2.8 VCE=5V 4 Ic=20A Ah u FEl 初始值的士25%脉冲法(见4.5. 1) 注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本
13、规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后。6.2 订货材合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3. 1) ; c. 数里;d. 需要时，其他要求。6. 3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2. 1)。6.4 如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6. 5 直流安全工作区见罔20单位mA mA 一7一，、100 50 10 l O. 1 o. 01 0.005 1 一8一SJ 50033/31 94 Tc = 25 C 一5 10 20, 100 图ZFHIOl直流安全工作区咱，/ 、500) 1000 VCE SJ 5
14、0033/31 94 附录A电极一发射极击穿电压测试方法补充件A1 目的本测试的目的是为了在规定条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限.A2 s 81 + V由电压源-, A 图Al集电极一发射极击穿电压测试电路注2在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流袭压降的校正.A3 流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电及结温保持在安全值以内。A4规定a. 环境温度TAIb. 测试电流Tc。附加说明Z本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由第八七七厂用于. 本规范主要起草人z王保帧、张滨、蔡仁明。计划项目代号:Bll036一9一
