1、中FL 5961 1994-09-30发布电SJ 50033/36 94 曰曰曰Semiconductor discrete device Detail specification f or . type 3CD050 power transistor 1994-12-01实中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围1- 1 主题内容半导体分立器件3CD050型功率晶体管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type 3CD050 power transistor 本规范规定了3CD050型
2、功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类本规程根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级SJ 50033/36 94 按GJB3325C时，按500mW/C的速率线性地降额。3. 3. 2 主要电特性(1A250C) -2 Ic TJ T5唱(A) ( c) ( C) U 175 55 175 2.5 L一SJ 50033/36 94 hFE VCE(sat) VBE(sat) fr Rth(J , 1 V c; =-5V Ic =2. 5A.IB=0. 5A VCE=一5VVcE=-10V 值Ic =2.5A (3C
3、D050BC) Ic=1.5A Ic =1.5A (3CD050Bc) Ic= 1. 2A ,IB= o. 24A f=lMHz 25 C T( C:; 75 型号Ic= 1. 2A (3CD050DF) (MHz) (C /W) (3CD050DF) (V) (V) 最大值最大值最大值最小值黄:40801. 5 1. 8 3 2 3CD050BF 绿:60120蓝:1001603. 4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 保证规定4. 1 抽样和检验样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4
4、. 3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表l极限值的器件应予剔除。选) nr-表一的一旭、qu-it圃，-3一测m一数一G一参一化见一电一老(-间一率中一功-m J-06 测试或试验IGB01和hFE19.最后测试功率老化条件如下zTJ=162.5士12.5C VCE= -25V pot二主37.5W按本规范表1的A2分组LlIcHOl 初始值的100%或200A，取较大者Llh.E1 初始值的土20%4.4 质量致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行
5、。4.4.2 B组检验一3SJ 50033/36 94 B组检验应按GJB33和本规洁表2的规定进行。4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法应按本规范相应的表和下列规定24. 5. 1 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验检验或试J TPD 符号极限值再二GB 4587 方法条中,AEE A1分组外观及机械检验5 GJB 128 2071 A2分组5 集电极一发射极本规mI :发射极主基极开路:1 V，附)CE(l击穿电压附录AIc=5mA 3CD050 -100 V 3CD050C -150 V 3CD050D
6、200 V 3CD050E 250 V 3CD050F -300 V 发射极基极2.9.2.2 |集电极基极开路;1 VHR )I KJ 1-,1 V 击穿电压h=2mA 电极基极2. 1 发射极基极开路1 .剧1I O. 5 I mA 电流VCB=VCBO 电极发射极2. 1. 4 发射极基极开路lt mA 截止电流V(E= - 0.5VFO 集电极发射极1 2. 3 1 Ic =2.5A 1 V川|一1.51 V 饱和电压1 =O. 5A 3CD050BC 1盖板发射极1 2. 4 1 ( = 1. 2A 1 VBE , 1 1 -1. 81 V 饱和电压1 B士0.24A3CD050DF
7、 正向电流传输比2. 8 VCE= 5V hFF1 40 80 3CD050BC Ic =2.5A 60 120 I 3CD050D-F Ic =1.2A 100 180 A3分组5 作:TA=125+5 C 集电极基极2. 1 发一基极开路;IB02 5 , mA 止电流1 V(r= -0. 7V，剧低作zI 1A=-55C 正向电流传比| VCF= -5V |hFEO 一4一SJ 50033/36 94 续表1GB 4587 极限或试验LTPD 单位方法条件3CD050B-C Ic =2.5A 3CD050DF fc= 1. 2A 脉冲法(见4.5.1) A4分组10 安全工作区lc=25
8、 C ,t=ls , (直流)单次试验l3CD050BC llcE士一15VIc =5A 3CD050DF V，= -30V fc=2.5A 试验23CD050BC llcE=-25V 元=3A3CD050DF V口.=- 50V Ic= 1. 5A 3 3CD050B VF=-lOOV Ic =81mA 3CD050C llcE=-150V Ic =30mA 3CD050D lCF=-200V Ic =29mA 3CD050E llcE= -250V I=16mA 3CD050F Vp= -300V Ic =lOmA 最后测试g见表4步骤1和3-表2B组检验一5-检验或b.粗最后测试gB3分
9、组稳态工作寿命最后测试:84分组(仅对GCT级)开帽内部自(设计核实)合强度86分组寿命(非工作状态)最后测试2检验或试验C1分组外形尺寸C2分组热冲击(玻璃应力)引出端强度密封a.细检b.粗恰e。于世J、J口 /湿度周期试验外观及机械检验最后测试zC3分组冲击变频振动恒定加度最后测试:一6一方法1027 2075 2037 1032 方法2066 1056 2036 1071 1021 2071 2016 2056 2006 SJ 50033/36 94 续表2GJB 128 条试验条件F见表4步骤1和3TJ=162. 5+12. 5 C VCE= -25V P to ?;37.5W 见表4
10、步骤2和4试验条件ATA=175C 见表4步骤1和3表3C组检验GJB 128 条件见图1试验条件B试验条件A条件H试验条件F见表4步1和3见表4步1和3件LTPI 符号10 10 寸10 LTPD 5 每批1个器件，0失效20(C=0) 7 极限值SJ 50033/36 94 续表3GJB 128 极或试验LTPD 单位方法条件C4分组15 (适用时)盐气(侵蚀)1041 C6分组稳态王作寿命1026 T，=162.5士12.5C VCE= -25V Ptot37. 5W 士10最后fJ!tl试:见表4步2和4C8分组15 教L阻GR 4587 VCE=一10VRth(J-C) 2 C/W
11、2. 10 h=4A 25 CTc运75C 表4A组、B组和C组最后测试GB 4587 极限值步检验符号单位方法条阵T,a-E 最小最大值1 . I集电极基2. 1 发射极基极开路;I IcHOl O. 5 mA 极截止电流VCB=VC剧2 电极-基2. 1 发射极基极开I 1 cl切11. 0 mA ; 被截止电流IV=VCHO 3 IlE向电流传2.8 I hFE1 比VCF= -5V 3CD050BC l( =2. 5A 40 80 3CD050DF I lc = 1. 2A 60 120 脉冲法(见4.5. 1) 100 180 4 |正向电流传2.8 tlhFE1 1) 初始值比VC
12、E= -5V 的3CD050BC I Ic =2. 5A 士25%3CD050DF Ilc=1.2A , 脉冲法(见4.5.1)注:1)本测试超过A组极限的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定c-7一SJ 50033/36 94 5.3 运输要求运输要求应按GJB3.1的规定。6 说明6. 1 预定用途符合本规涩的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3. 1) ; c. 数量pd. 需要时，其他要求。6.3 对引出端材料
13、和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2. 1)。6.4 如需要时，典明特性曲线等可在合同或订货单中规定。6. 5 直流安全工作区见图20- 8 一一5. 2. s: 1.0 u h、运.IlfI 草S.IlfI 司最o. 1 0.01 0.002 1. 0 Tc =25 3CD05仪710 100 300 集电极发射极电压VCE(V)图23CD050的直流安全工作区A1 目的S.J 50033/36 94 附录A穿电压测试方法(补充件)本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2 测试电路S R) + 电压源VCE A , 图A1集电极一发射
14、极击穿电压测试电路注2在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。A3 步限流电阻Rl应足够大，以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性.在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。A4 件a. 环境温度TA;b. 测试电流Ico附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人:蔡仁明、罗德炎。计划项目代号:J1100109一
