1、中FL 5961 、1;1994-09-30发布瓦汀，日SJ 50033/37 94 曰目目Semiconductor discrete device Detail-specification for type 3DD164 power transistor r守1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批中华人民共和国电子行业军用标准1范1. 1 主题内容半导体分立器件3DD164型功率晶体细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DD164 power transistor 本规范规定了3DD164
2、型功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范道用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类木规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级SJ 50033/37 94 按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器
3、件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镰层。中华人民共和国电子1994-09-30发布1994-12-01实3. 2. 2 器件结构采用扩散台面结构3.2.3 外形尺寸SJ 50033/37 94 外延台面结构。外形尺寸应符合GB7581的B2-01C型及如下的规定。见图10 2一s o 3.3 最大额定值和主要电特性3. 3. 1 最大额定值p u tot Vc皿型号Tc=25 C (w) (V) 3DDl64B 150 3DDl64C 200 3DD1 64D 150 250 3DD164F. 350
4、3DDl64F 400 3DDl64G 600 -b, 1b2 1D d F L L1 1 基极2 图1外形图VCEO VE1讪Ic (V) (V) (A) 100 150 200 5 10 250 30( 400 注:11，25C时，按1.OW / C的连率线性地降额。3. 3. 2 主要电特性(TA=25C) 2一口unB2-01C 盯unnom 盯lax8.63 12. 19 L 52 0.966 1.092 22.86 5.46骨3.50 8 13. 9 L 52 发射极集电极接外壳TJ Ts,g ( C) CC) 175 -55-175 SJ 50033/37 94 极限hFC1 /
5、 CEIal) VUF(rt,) f -r RhIJ () VCE-5V Ic =5A Ic =5A VcE=12V V门，=20Vh=5A 18=0.5A lH=0.5A I=2A Ic =2A f=.3MHz 25 (咱豆豆7127S( (V) (V) (MHz) C/W 型号最大最大值最小值最大值黄:40-803DD164B-G 绿:60-1201.5 1.8 1.0 1. 0 蓝:100-1803.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。 4 保证规定4. 1 抽样和抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定鉴定检验应按G
6、JB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级接GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。选(见GJB33的表2)测试或试验试一测一数一参一化电一老间一率中一功- nr-RU CB01和hFE1功率老化条件如-FST，=162.5士12.5C VcE=25V Pt01二三75W9.最后测试按本规范表l的A2分组L1，01初始值的100%或250A.取较大者L1hFEl ，:;初始值的士20%4.4 质量一致性检验检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按G
7、JB33和本规范表2的规定进行。 一-3 -_一 SJ 50033/37 94 4.4.3 c组检验C细检验应按GJB33丰日本规范卖3的规定进行。4. 5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和l下列规定24. 5. 1 脉冲测试脉冲测试条作应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验GR 4587 检验或试验方法条于Al分组外观及机械GJB l28 2071 A2分组集电极发射极本规范发射极基极开路:击穿电压附录AJ( 0-)m:气3DD164B 3DD164C 3DDl64D 3DDl64E 3DDl64F 3DD164G 发射极基极2.9.2.2 电极基极开路;击穿电压h=5mA
8、 集电极基极2. 1 发射极基极开路;截止电流VCB= VCB 集电极发射极2. 1. 4 发射极基极开路;制止电流VcE=0.5VCEO 集电极发射极2.3 Ic =5A 饱和电压1B=0.5A 基极发射极2. 5 Ic =5A 饱和电ffi1B=0.5A iF向电流比2. 8 VcE=5V Ic =5A 脉冲法(见4.5. 1) A3分组高温二作gTA =125士5C电极基极2. 1 发射极一基极开路z截止电流VCB=0.7VC80 低温工作gTA= -55 C 正向电流传输比2. 8 Vn:=5V Ic =5A 脉冲法(见4.5.1)一-一一一一-4一极限值LTPD ;) a VHR叫F
9、IJ lC0 V 150 V 200 V 250 V 300 V 400 V V,BR)EBO 5 V I(Hol 1 mA 10,.0 2 mA VE，. 1. 5 V V BE.aO 1. 8 V hPE1 40 80 60 120 100 180 5 1CBOZ 10 mA hFEO 20 唱.10033， 37 94 品续表1!句尼、!十中一一一十(;H 1587 条LTPD 检验或试验A4分组安全工作区v, 极限步检验符号单位方法条件最小值最I 电极基2. 1 发射极+基极开路;1 CBOl mA 极止电流V CF = V C1l() 2 电极基2. 1 发射极基极开路p1 CHOl
10、 2 mA 极止电流VCB=V口旧3 E向电传2.8 V口=5Vh F! 输比lc=5V 脉冲法(见4.5.1)40 80 60 120 100 180 4 正向电流传2.8 VCE=5V !:J.hFE1 I 初始值比Ic=5A 的脉冲法(见4.5. 1) 士25%注:1)本测试超过A组器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求、包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途同一一-I S.I 50033/37- -94 符合本规恒的器件供新设备设计使用手口供现有设备的J，;-I.)j保障用a6-
11、 2 订货资料合同或订货单应呗定下列内容:a. 本规范的名称和1编片:h. 等级(见1.3.1):C. 数量;d. 需要时.:民他要求。6. 3 对引出端材料科i涂FRf特妹窑求时，也在合同或订货单中规定(见3.2.1)06.4 如需要时斗电型特性曲主戈等可在合同或订货单中规定。6.5 2fj缸安全工作区见罔20-8一1 (. 1. 、1. ?运.ffil ., 吨户;J 6 O. 1 0.01 O. 1. 0 10 100 一-发射极电压VCf:(V)图23DD164的直流安全工作区400 A1 目的SJ 50033/37-94 附录A电极一发射极击穿电压测试方法(补充件)本测试的目的是为了
12、在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低阪IILA2 测试电路S RI 广-。可Vcr 电压根。-. .4 因Al集电极一发射极击穿电压测试电路注:在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表i卖数作因电流表压降的校正勺A3 测试步限流电阻Rl应足够大.以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏ifl条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压夫子VURlC凹的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. 环境温度TA; b. 测试电流Ic。附加说明:术规?在由中国电子技术标准化研究所归口。牛;规范由中国电子技术标准化研究所负责N.:-T。本规范主要起草人:蔡仁明、张滨、同志坤、罗德炎、欧阳映和。 f.划项目代号:J110020
