1、中.;、电FL 5961 , SJ 50033/5 94 . 、l, Semiconductor discrete device Detail specification for semiconductor yellow Iight emitting diodes for type GF 311 of GP and GT classes 1994-09-30发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人共和国电子行业军用标准半导体分立器件GP和GT级GF311型半导体黄色、发光二极管详细规范Semiconductor discrete device Detail specifi
2、cation for semiconductor yellow Iight emitting diodes for type GF 311 of GP and GT classes 1 范围1. 1 主题内容SJ 50033/5 94 本规范规定了GF311型半字体黄色发光二极管的详细要求。该种器件按GB33(半寻体分立器件总规范的规定，提供产品保证的二个等级(GP和GT级)。1. 2 外形尺寸见图1。1.3 最大额定值1, IU lptr zl VrHRl l V mA mA(pk) A(pk) IR =10A 35 60 1. 0 5 注:1)脉冲宽度O.5ms.且PM(AV)50C时按.6mW/ C线性地降额。1.4 主要光特性和电特性(Tj气=25C) 1, IV1 . 1 v 2 VF (mA) (mcd) (mcd) (V) 1. =20mA IF =20mA I坠=20mA。=0。B =30。典型值最小僚最d最大值20 1. 0 O. 50 3.0 中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布P ,IDl 4. 53 5. 95 1D 5.31 5. 84 C 0.41 o. 61 A 5.0 7.0 1b2 o. 41 0.48 d 2. 54 1 0.80 K o. 92 1. 04 1. 16 + L 24. 64 26.61
