1、中FL 5961 SJ 50033/65一1995 ! I 1 目曰曰- -a J Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DD 175 low frequency and high power transistor 自1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围1. 1 主题内半导体分立器件3DD175型低频大功率晶体详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type
2、 3DD175 low - frequency and high-power transistor 臼50033/651995 本规范规定了3DD175B-G型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研究、生产和采阴。1.3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范l.3的规定，证普军、特军和超特军三级，分别用字母GPGT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB128 86 半导
3、体分立器件试验方法3 3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规洒的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镰层。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施SJ 50033/65一19953.2.2 器件结构采用扩散台面或外延台面结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的B2一01D型或回一02B型及如下的规定。见图la和图lb。3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定p1 1Dt V盼Vcro VEBQ I Ti T.
4、幅型号T=25t (W) (V) (V) (V) (A) (t) (t) 300175B 150 100 300175C 200 150 3001750 450 250 200 5 30 175 -55-175 300175E 350 250 300175F 450 300 注:OT25t时按3.0W/t的速率线性地降酬。mm B2 -01O 、mm nom max A 12.0 15.5 b l 去i非b23 ;D I 33.0 d 9.5 F 3.70 q L 17.0 U、L1 I 1. 5 ;p 5.1 5.3 q 42.7 43.3 R1 18 R2 5 + s 25. O U1 5
5、3.3 叶1-宅JU2 36.0 份22一发集电极接外壳一2一臼50033/651995 。q A U 1 b 图13DD175外形图3.3.2 主要电特性(TA=25C) hFE1 V臼皿VBEsat V=5V Ic= 15A Ic= 15A Ic= 15A IB= 1. 5A IB= 1. 5A 型号(V) (V) 最大值最黄:25-803DD175B-F 绿:60-1802.0 2.0 3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志标志应符合GJB33和本的规定。4 保证规定E h V= 12V Ic=5A f=0.3MHz (MHz) 最小值1. 0 口1m;p
6、15.0 q R1 R2 S t tl U1 U2 15.0 25.0 1. 5 1. 5 R(抽)j- r V= 10V Ic=2A (C /W) 最大值0.33 3一SJ 50033/65 1995 4. 1 抽样和检验检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。选测试或试(见GJB33的表2)7中间电参数测试ICB01和h陀18.功率老化功率老化条件如下:Tj=162.5士12.5CV=25V P 10注225W9.最后测试按
7、本范表1的A2分怨L:.斥初的100%或1.0mA。取较大者L:. hFE1运初的土20%4.4 质量一致致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检A组检验应按GJB33和本规施表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5. 1 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验GB 4587 极限检验或试验LTPD 符号单位方法条f牛最最大值Al分组GJB 128 5 机械2071 A2分组5 集电极发
8、射极本规范发射极基极开路;V(BR)o 击穿电压附录AIc= 10mA 4一SJ 50033/65 1995 续表1GB 4587 极限值或试验LTPD 符号单位方法条件最-t 3DD175B 100 v 3DD175C 150 甲V 3DD175D 200 -V 3DD175E 250 -v 3DD175F 300 V 发射极基极2.9.2.2 集电极基极开. , V(BR)EBO 5 V 击穿电压lE= 5mA 集电极基极2.1 发射极基极开I到)1-I.S mA 止电流V= VCBO 集电极发2.14 发射极基极开lCEo 5.0 mA 止电流V=0.5Vo 集电极发射极2.3 lC=
9、15A V皿甲2.0 v 饱和电压lB= 1. 5A 冲法(见4.5.1)集发射极2.4 lc= 15A VBF,1lt 2.0 v 饱和电压lB= 1. 5A 脉冲法(见4.5.1)正向电比2.8 VcE=5V hFE1 25 180 -lc=15A 脉冲法(见4.5.1)A3分组5 温工作:TA = 125士5t:集电极基极2.1 发射极开路;lcB02 -15 mA 截止电流V=0.7V 低温工作:TA = - 55t: hFEQ 10 正向电流比2.8 VcE=5V lc= 15A 脉冲法(见4.5.1)A4分组V=12V 5 fT 1. 0 MHz 率lc= 5.0A f=0.2MH
10、z A5分组 10 安全工作区Tc=25t: (直流)t = Is，单次1 VCE= 15V lC= 30A 2 V=30V lc= 15A 3 3DD175B VCE= 100V t 5一时50033/651995 续表1GB 4581 极限值检或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值Ic=331mA 3D0115C VCE= 150V Ic= 100mA 3D0115D VCE= 200V IC= 85mA 3D0115E V= 250V Ic=48mA 3D0115F VcE=300V Ic=30mA 最后测试:见表4步骤1和3表2B组检GJB 128 检验或试LTPD 方法条f牛
11、Bl分组15 可焊性2026 标志耐久性1022 四分组10 热冲击1051 低-55t 度环)其余为试验条件F密封1011 a.细条件Hb.粗检条件F最后测试:见表4步骤1和3B3分组5 稳态工作寿命1021 Tj=162.5土12.5tV=25V Ptot225W 最后测试:见表4步骤2和4B4分组(仅对GCT级)个件，开帽内部目检2015 (设计核实)。失效键合强度2031 试验条件A20(C=0) B6分组7 寿命1032 TA= 115t (非工作状态)最后试:见表4步2和46一SJ 50033/65 1995 表3C组检验 GJB 128 极限检LTPD 符号单位方法条件最小值最大
12、值十Cl分组外形尺寸2066 |见1 C2分组I 10 热冲击1056 l试验条件B(玻璃应力)引出端强度2036 件A外加力:20N时间:105受试引出端数:2密封1071 a.到恒拥1玩控条件Hb.粗条件F综度/湿度1021 期试验外机械2071 最试:见表41和3C3分组I 10 冲击2016 变频振动2056 f亘定加速度2006 最后试:见表41和3c4分组I 15 (适用时)盐气(侵蚀)1041 C6分组稳、态工作寿命1026 I Tj = 162. 5 :t 12. 5t: V=25V i= 10 p fDt-;: 225W 最后测试:见表4步2和4c8分组I 0.33 I t:
13、/W I I R (由】i-e-热阻VCE= 10V GB 4587 2.10 Ic=2A 25t: T c75t: 7一SJ 50033/65一1995表4A组、B组和C组试GB 4587 步检符号方法条件最1 |集极止2. 1 发极开电流V=vCllO 2 |集电极基2.1 发射极基极开路;电流V=v 3 |正向电流传比2.8 V=5V 25 Ic= 15A 脉冲法(见4.5.1)4 |正向电流传输比I 2.8 I v= 5V, Ic= 15A L:I. hFEll) I初始脉冲法(见4.5.1)注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的
14、规定。5.2 贮存要求按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称及编号:b. 等级(见1.3.1);c. , d. 需要时，其他要求。1. 5 3.0 180 的土25%6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。6.4 如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5 直流安全工作区见图2。8一单位mA mA 1995 50033/65-SJ 一-牛二.()ohV(V) 集电极一发射
15、极电压。1. o. o. 键时rM根哑然一9 一流安全工作区的3DD175 2 图附录A(标准的附录)-发射极击穿电压Al 目的A2 本测试的目的是为了在规定的条件下，确定器件的击穿电路图VCE A 法lU 图Al集电极一发射极击穿电压测试大于规定的最低极限。十G 注:在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。A3 测试步限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRCEO的最低极限，器件为合格。本测试方法用于表现器件的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电保持在安全值以内。A4 规定条件a. 环境温度TAb. 测试电流Ic。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负本规范主要起草人:蔡仁顷、张滨。计划项目代号:B21007。10一
