1、中电FL 5961 SJ 50033/69 1995 、lSemiconductor discrete device Detail specification for type PIN 30 series for PIN diode 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批中华人民共和国电子行业军用标半导体分立器件PIN30系列PIN二极管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type PIN 30 series for PIN diode 1 范围1. 1 主题内容SJ 5003
2、3/69 1995 本规范规定了PIN30系列PIN二极管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和厅、阴。1. 3 分类本规范根据器件级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 6570 86 微波二极管测试方法GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB128 86 半导体分立器件试验方法GJB1557 92 半导体分立器件微波二极管外形尺寸3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设
3、计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端上电极为铁镰钻合金，下电极应为铜，表面涂层应为金。3.2.2 器件结构中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布等级为普军、特军和超1995-12-01实1一SJ 50033/69 1995 外延台面、玻璃钝化、多层金属化电极、芯片上引线采用金丝热压焊、下电极与管座烧结。3.2.3 外形尺寸外形尺寸按GJB1557的W14-01型，见图1。1 6.4 I A + :!:;. 一W A mm 严骂EW14 -01 符号MIN NOM MAX 1D 6 90 710 1Dl 5 40 5.60 1D2 6.0
4、0 1E 2 34 2.40 H 11.0 12.0 Hl 4 60 5.40 N 3.80 4.20 W M3 图1外形图3.3 值和主要电特性2一SJ 50033/69 1995 3.3. 1 定值VR p l) TOP TIft事(V) (kW) (t) (t) 800 2 -55-125 -65-175 注:1)最大脉冲功率处理能力(典型值)。3.3.2 主要电特性(TA=25(;) 特性和IR T C, trr T. Z(由ltICoeseI Ls 条件VR=800V IF= 100nA VR=50V IF= 10mA f= l00MHz 脉宽10msf= 10kHz f= 1MHz
5、 IR= 100mA If= 100mA 加热电流0.5A (A) () (pF) (0) (t/W) (pF) I (nH) 号最大典型|典型|典型型值值且-句，-43nu-nu-hu m-M-m p-P-R 句-nyEATA-nu-A J-句-白ynuEA-nu 2 30 0.36 I 1. 5 3.4 电测试要求电测试应符合GB6570及本规范的规定。3.5 标志包装盒上的标志应符合GJB33的规定。上不打标志，极性按图1的规定。4 保证规定4. 1 抽样和检抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)应按GJB33表2
6、和本规范的规定。表1极限值的器件应予刷阳。试应按本规范表1的规定进行，超过本规范试方法GJB 128 方法试和试(见GJB33的表2)3.热冲击-7.中间测试. 8.电老化9.最后测试1051 20次外，其余同试验条件F。IR、C，、1038 见4.3.1I .1T I 0.2n I C, I运初始值的15%其他参数2按本规范表1的A2分组3一SJ 50033/69 1995 4.3. 1 电老化T A = 125C , 1 F = 50mA, V R = 400V, f= 50Hz交流。4.4 质量一致4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检B组检
7、验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验和试验方法应按本规范相应表的规定。表1A组检验GB 6570 检验或, LTPD 符号单位l方法条件最小值最十Al分GJB 128 5 外观及机2071 A2分组5 总电容8.2 VR=50V C pF f=lMHz PIN301 0.5 0.7 PIN302 0.7 0.9 PIN303 0.9 1. 4 反向电流3.2 VR=800V IR 5 A 正向微分电阻8.3 IF= 100mA T 1 。f= 10KHz A3分组5 高作TA = 125C 反向电流3.2
8、 VR=800V IR 10 A 低温工作TA = -55C 反向电流3.2 VR=800V IR 1 A A4 5 反向恢复时间8.5 IF= 10mA trr 5 s IR= 100mA 一4一SJ 50033/69 1995 表2B组检GJB 128 或试验LTPD 方法条件四分组热冲击(温度循环)10 条件F1 );:10min 1051 密封a.细m皿1071 b.粗检最后测试:四分组稳态工作寿命条件H最大漏泄率:50mPacm3/8 条件C见表4步骤1-25 , 340h. 85C 1 F = 50mA. VR = 400V. 50Hz交流见表4步骤1，3、41027 态状作工试-
9、31命试测一组寿后一分最一面7 1032 340h. T A = 175C 见表4步骤1-3、4表3C组检验, GJB 128 检LTPD 方法条件C1分组外形尺寸15 2066 见图1C2分组10 热冲击(应力)1056 件A引出度弯力矩本范附录AI弯力矩=98mNm密封1071 a.细检试验条件H.率，50mPa cm3 / 8 b.粗C 综合/湿度1021 省预处理外观及2071 最 C3分组10 冲击2016 14700m/ S2( 1500g)0. 5m8. 在X、Y、Z的方向上冲击5次变振动2056 恒定加速度2006 |附oomlOOOOg)最试:|见表4步1、25一SJ 500
10、33/69 1995 3 GJB 128 方法条件c4分盐气(要求时)1041 C5分组低气压(要求时)1001 条件Cc6分组态工作寿命1026 1000h. T A = 85t IF=50mA. VR=400V. f=50Hz交流。最后测试:见表4步骤1、3、4表4B组和C组最后测试GB 6570 检符号方法条件1 反向电流3.2 VR = 800V IR 2 正向电阻8.3 IF=100mA r f= 10KHz 3 正向电阻8.3 IF= 100mA r 变化量f= 10KHz 4 总电容变化量8.2 f=IMHz C VR= 50V 5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB3
11、3的规定。5.2 贮存贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称及编号:一6一LPD 15 15 =1飞最小值最大值单位|10 A 1 Q 0.2 Q 初始值的20%。b. C. 级(见1.3.1); , d. 需要时，其他3(-:1、。町50033/691995 6.3 对引出端材料的涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。一7一A(标准的附录)力矩试验方法将电极一端固定在支持器上，在另一端沿与方向上加弯力矩，其力短值为98mN.罚。在加力矩后，保持5-10s。试验后管壳和资管连接处无断裂现埠。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负责起平。本规范主要起草人:吴遣、林轩、金贵永。计划项目代号:BZ1022。8一
