1、中瓦电FL 5961 SJ 50033/71一1995Semiconductor discrete device H 、a J Detail specification of type PIN342 series for PIN diode 1995-05-25发布1995-12-01实中华人民共和国电子工业部批中华人民共和国电子行业军用标半导体分立器件回500331711995 PIN342型PIN二极管详细规范Semiconductor discrete device Detail -specification of type PIN342 series for PIN diode 1范1
2、. 1 主题内容本规范规定了PIN342型PIN二极管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和起特军三级。分别用字母GP、GT和GCT表示。2 引用文件GB 6570 86 微波二极管测试方法GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法GJB 1557 92半导体分立器件微波二极管外形尺寸3要求3. 1 详细要求各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.
3、2 设计、结构和外形尺寸件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端上电极为铁镇钻合金，下电极为铜，表面涂层应为金。3.2.2 器件结构外延台面、玻璃钝化、多层金属化电极、芯片上引线采用金丝热压焊，芯片下电极与管座烧结。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01 SJ 50033171 1995 3.2.3 外形尺寸外形尺寸按GJB1557的W8-02型，见图1。#E 。ItO.3 A + t口嗣出;D、口1m乓无号W8-02 尺寸符号MIN MAX ;D 2.54 2.66 ;Dl 1. 72 1. 88 ;E 0.94
4、 1. 00 -一一一千_.H 2.80 3.60 一一Hl 1. 50 2.10 C 0.60 0.80 图1外形图3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值型号VR T 呻T . 事(V) (t) (t) PIN 342 300 - 55-125 - 65-175 3.3.2 主要电特性(TA = 25C) 一2一回50033171一1995Mhm nutk 俨mmhf v n nu R句JI= R V CtDt VR=50V f=lMHz 一最大值F厂|P-lIll-一最小值t. 1 Z(仙IC呻1Ls 1 r. IF=10mA|脉宽10ms1 1 If= IR=I00mA
5、I加热电流II IIF=100mA 0.5A (ns) I (t/W) I (pF) I (nH) I Cl 型号i l;|i i 最大|典型值型典型PIN 342 I I 5 I一I1 I 0.23 I 0.50 I I 150 66 0.36 I 0.28 1. 8 3.4 电测试要求电测试应符合GB6570及本规范的规定。3.5 标志包装盒上的标志应符合GJB33的规定。器件上不打标志，极性按图1的规定。4 定4. 1 抽样和检验抽样和检验按GJB33的规定。4.2 鉴定鉴定检验按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定。表1极限值的器件应
6、予剔除。试应按本规范表1的规定进行，超过本规范筛选(见GJB33表2)3 热冲击4 恒定加速度5密封GJB 128 方法试和试1051 环20次外，其余|不要求条件F。不要求IR、CtDt、俨见4.3.11.1!0.15Cl !.C.,! O. 02pF 其他参数;按本规范表1和A2分组a. 7 中间测试8 电老化9 最后测试4.3. 1 电老化T A = 150t , 1 F = 20mA(直流)。4.4 质量一致4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。一3一SJ 5G033171 1995 4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.
7、3 C组C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表的规定。表1A组检验检验或试验GB 6570 符号LTPD 方法条件Al分组外观和机械试验A2分组总电容反向电流正向电阻A3分组I岳温工作反向电流低温工作反向电流A4分组反向恢复时间检验或试验B2分组热冲击(密封粗最后测试:B3分组态工作寿命最后测试:B6分组环)高温寿命(不工作)最后测试4一GJB 128 2071 8.2 3.2 8.3 3.2 3.2 8.5 VR=50V f= 1MHz VR=300V IF= 100mA f= 10kHz T A = 125t: VR = 300
8、V TA = - 55 t: VR=300V IF= 10mA IR = 100mA 方法1051 1071 1027 1032 5 5 C. IR 5 IR IR 5 t fT 件F-1 t(极限值)10minC 见表4步骤1、2T A = 5t: , 340h, IF= 5mA(直流)见表4步骤1、3T A = 175t: , 340h 见表4步骤1、3极限值单位最小值最大值0.23 0.50 pF 5 A 1 。10 A 1 A 150 ns LTPD 10 5 7 町500331711995 表3C组检验GJB 128 检LTPD 方条件Cl分组15 外形尺寸2066 见图1C2分组1
9、0 热冲击(玻璃应力)1056 条件A密封1071 粗条件C综合温度/湿度周期1021 省略试验外观及2071 见表41、2最后测试:C3公组冲击2016 14700m/乒(1500剖，O.5ms10 在X、Y、Z的每个方向上冲击5次变频振动2056 最后测试:见表4步骤1、2c4分组15 盐气(要求时)1041 C5分组15 低气压1001 条件C(要求时)= 10 C6分组态工作寿命2fj TA = 85t , 1000h, IF= 5mA(直流)最后测试:见表41、3 表4B组和C组的测试一GB 6570 步检符号单位i 最小值方法条件1 反向电流3.2 VR = 300V IR 5 A
10、 2 正向电阻8.3 IF= 100mA, 1 。f= 10kHz 3 正向微分电阻8.3 IF= 100mA, A 0.2 。变化量f= 10kHz 5 交货准备5. 1 包装要求一5一SJ 50033171 1995 包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本主乌洁的名称和编号;b. 等级(见1.3.1);c. 数豆;d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性典线等可在合同或订货单中规定。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负责起本规范主要起草人:吴逮、林轩、金贵永。计划项目代号:B21023o一6一
