1、中电FL 5961 SJ 50033/72一1995Semiconductor discrete device Detail specification of type PIN323 serie$ for PIN diode 1995-05-25发布1995-12-01实中华人民共和国电子工业部批准、中华人民共和国电子行业军用标半导体分立器件臼50033172一1995PIN323型PIN二极管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification of type PIN323 series for PIN diode 1 范围1. 1 主
2、题内本规范规定了PIN323型PIN二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规寇，提供的特军三级。分别用字母GPGT和GCT表示。2 引用文件GB 6570 86 微波二极尹测试方法GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法GJB 1557 92半导体分立器件微被二极管外形尺寸3 要求3. 1 详细要求各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸件的设计、结构和外
3、形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为铁镇钻合金，表面涂层应为金。3.2.2 器件结构器件是以硅为材料，采用正外延、掩蔽扩散制成的平面结构二极管3.2.3 外形尺寸中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布为普军、特军和超1995-12-01实施 臼500331721995 外形尺寸按GJB1557的W22-01型，见图1和图2。D I 2.4 I 2.6 Dl 1. 98 2.18 H 1. 20 1. 60 L 8.50 B 0.55 0.65 mm MIN I MAX 4可T墨嘈坷，D 1. 98 2.18 H 1. 02 1. 27 L
4、8.5 B I 0.55 I 0.65 臼500331721995 3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值型号VR T 呻T.幢(V) (t) (t) PIN 323 50 - 55-125 - 65-175 3.3.2 主要电特性(TA=25C) IR c trr 几I_ I Ls IF=5OIEA|Cm唱II外形尺寸VR=50V IF=50mA VR=30V IF=50mA f= 10kHz f= lMHz IF/IR = 1/6 f= 100MHz (A) (0) (pF) (ns) (t/W) (pF) (nH) 最最最大值快型值!典型号|值值PIN 323A I I
5、I I I I I I I I I I图1I 1 I I 1 . 5 I O. 29 I O. 40 I一I30 2 0.1 I 0.1 PIN 323B 图2 3.4 电测试要求电测试应符合GB6570及本规范的规定。3.5 标志包装盒上的标志应符合GJB33的规定。上不打标志，极性按图1和图2的规定。4 保证规定4.1 抽样和检验抽样和检验按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应于阴阳。选法炮法方vuB Q方测试和试验(见GJB33表2
6、)3 热冲击7 中阴测试8 电老化9 最后测试20次外，其余同试验条件F。1051 IR、C帽、1038 见4.3.1I.C I运0.02pF.r :S; O. 10 其他参数:按本规范表1和A2分组3一臼500331721995 4.3. 1 电老化T A = 125C，加短形脉冲信号，VR=15V，IF=50mA, 200Hz，占空比，15%。4.4 4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相
7、应表的规定。表1A组检验GB 6570 极值LTPD 符号单位方法条牛最，i、最大值A1分组GJ 128 5 外观和机械试验2071 A2分组5 总电容8.2 VR=30V f=lMHz ClOt 0.29 0.40 pF 、反向电流3.2 VR=50V IR 1 A 正向微分电阻8.3 fF= 50mA f= 10kHz T 1. 5 。A3分组5 低作TA= -55t 反向电流3.1 IR= 1A VR 50 v 高温工作TA = 125t 反向电流3.2 VR=50V IR 5 A A4分组5 反向恢复时间8.5 IF=50mA t ft 30 ns IF/IR = 1/6 表2B组检验
8、GJ 128 检验或试LTPD 方法条件Bl分组2026 15 可B2分组10 热冲击(1051 试验条件F-lt主主10min密封1071 一-一一二一-一4一检a、细b、粗检最后测试:B3分组稳态工作寿命最后现tlta: : 四分组寿命(非工作状态)最后测试:C1分组尺寸C2分组热冲击(引出端强度密封a、到坦恒E西曹b、粗检综外观及最后测试:C3分组冲击定加速度最后测试:应力)期町500331721995 方法1027 1032 方法2066 1056 2036 1071 1021 2071 2016 2056 2006 续表2GJB 128 条件件H最大漏世率:5m阳.cm3/5试验条件
9、C见表4步骤1、2340h, T A = 85t ，加矩形脉冲信号，反向电压15V，正向电流50mA，200Hz，占空比15%见表4步骤1，2、3、4T A = 175t , 340h 见表4步骤1-2、3、4表3C组 GJB 128 条件见图1和2 条件A条件E加力:0.833NI 1再也条件日，5mPa.cm3/s 条件C省略预见表4步1、2I 14700mls2(1500剖，O.5m5在X、Y、Z的方向上冲击5次196000m/52 (20000g) 见表4步骤1、2LTPD 5 7 LTPD 15 10 J 10 一5一回50033/721995 续表3GJB 128 检方法条件c4分
10、组盐气(要求时)1041 C5分组稳态工作寿命1026 1000h, T A = 85t , 其余条件同B3分组最后试:见表4步 1、2、3、4表4B组和C组的测试GB 6570 极限步检符号方法条件最小1 反向电流3.2 VR=50V IR 1 2 正向分电阻8.3 IF= 50mA, 产1. 5 f= 10kHz 3 总电容变化量8.2 VR=30V I Ctot I 初Ctot f=IMf也始值的10%4 正向电阻变化量8.3 IF= 50mA, f= 10kHz A 0.2 5交5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号:b. 等级(见本规范1.3.1);C. 数亘;d. 需要时，其他要求。6一LTPD 15 = 10 单位A 。Q 臼500331721995 6.3 对引出端材料和，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型可在合同或订货单中规定。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所起平。本规范主要起草人:吴逮、程耀沃、金贵永。计划项目代号:B21026o 7一
