1、中FL 5961 1995-05-25发布瓦吁，日电8J 50033/73一1995单:x:. 3去zIJI 8emiconductor discrete device Detail specification for type QL74 silicon single phase bridge rectifier ，回 J 1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准1范中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件QL74型硅单相桥式整流器详细Semiconductor discrete device Detail specification for type QL74 silicon
2、 single phase bridge r配tifier1. 1 主题内容臼500331731995 本规范规定了电源设备用的QL74型硅单相桥式整流器(以下简称器件)的详细要求1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采附。1. 3 分类本规范根据器件质量等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供的质量等级为普军和特军级，分别用字母GP和GT表示。2 引用文件GB 4023 86半导体分立器件第2部分:整流二极管GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 85 半导体分立器件3 3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和
3、本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为铜材，引出端表面应为锡层。对引出端涂层另有要求时，在合同或订货单中应予规定(见6.3条)。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实1一臼500331731995 3.2.2 器件结构器件采用二极管管芯烧结在基片上，装入3.2.3 外形尺寸外壳，用环外形尺寸应符合本规范图1的规定。G I : I . I I I A D一-1U 句吨，蝠，C 图1外形图3. 3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定VRWM 101) IF
4、百M型号Tc= 55t: Tc=55t: tp= 10ms (V) (A) (A) QL74D 200 QL74F 400 10 100 QL74H 600 注:1) Tc55t:按142.8mA/t:。3.3.2 主要电特性(TA=25C) VFM(单管)IR1 (单管)IFM= 15A VR= VRWM (V) (A) 1. 5 10 2一封。mm 尺寸符号A 128.32128.82 B 17.47 18.49 C 15.69 16.74 D H 5.2 Top T.哩(t: ) (t: ) -55- + 125 -55- + 130 IR2(单管)TA=I00t: VR= VRWM (
5、A) 200 , 创50033173一19953.4 电测试要求电测试应符合GB4023及本规范的规定。3.5 标志标志应按GJB33和本规范的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT级)筛选应按GJB33的表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行。超过本规范表1极限值的器件应予剔出。筛测试或试验(见GJB汩的表2) 3、热冲击环)低为-55C, 环10次外，其余同试验条件B。4、恒定加不要求5、密封不要求6、高反TA = 125C 7、中参数测试IR1、VFM8、工作见本规范4.
6、5.2，其中环720次。9、最后测试本规范表1的A2分组;.I Rl =初的100%或500nA，取较大者。. VFM=土O.lV4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定，由A组、B组和C组检验或试验组成。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范中表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范中表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范中表3的规定进行。4.5 检验和试检验和试验方法应按本规范的表1、表2和表3以及下列规定。4.5. 1 脉冲测试冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2 工作热进行本项试验时，
7、器件的交入50Hz正弦波电压，保持器件的输出电流为10A，管壳一3一, 臼500331731995 55t:。通电时间tl注8min，断电时间t2注2min，为一个循环。断电期间使管壳温度下至35t:以下，开始下一个循环。4.5.3 绝缘强度金属外壳接地，所有引出端接到直流电源高压端，在壳和引出端之间施加电压2000V，并保持10s，反向电流不超过10A为合格。表1A组检验GB 4023 极限值检或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值A1分组GJB 128 5 机械2071 A2分组5 正向电压(单管)IV-1 2 3 IFM= 15A VFM 1. 5 v tp= 300A 占空因数2
8、%反向电流(单管IV- 1. 4.1 VR = VRWM IR1 10 A A3分组5 高作TA= 100t 反向电流(单管)IV-1 4 1 Vp = VRW . IR2 200 A A6分组10 电流(单管)见范Tc=55t 附录AIFSM= 100A Io=5A tp = 10ms，每间隔lmin 1次，共10次最后测试:见表4步骤1和2A8分组5 度范极到外壳加直流电压453 VR =2000V IR 10 A 4一SJ 50033173 1995 表2B组检验方法却一条q一LTPD 栓件Bl 可焊性标志的耐久性B2分组热冲击(15 却261022 10 环)1051 为-55t，循环
9、10次外，其余同试验条件B见表4步骤1和2态状作工L俨试一试一命试测一组测一组寿测后一分后一分后最-m工最-vm最10 见本规范4.5.2循环1000次见表4步骤1，2和37 1032 TA = 130t 见表4步骤1-2和3表3C组GJB 128 检试LTPD 方条件, C1分组15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 引出2036 条件A拉力F=40N t = 109 综合期试验1021 省略预外观及机械检最后 2701 见表4步1和2C3分组10 冲击2016 变256 最后试:见表4步1和2c6分组10 工作环见本规范4.5.2环2000次最后试:见表4步1、2和35一臼500331
10、731995 表4A组、B组和C组电测试GB 4023 极限值步检符号方法条件最最大值1 反向电压IV IFM= 15A VFM 1. 5 1. 2. 3 tp= 300s 占空因数:;2% 2 反向电流1飞JVR= VRWM IR1 10 1. 4.1 初100% IV 或500mA.取较3 反向电流变化量VR= VRWM .IR1 1. 4.1 大者。注:1)本测试中IR1超过A组极限件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 要求运输求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设
11、计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. c. (见1.3.1); , d. 需要时的其他要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。6一单位V A 附录A(标准的附录)正向浪涌电方法Al 目的在规定条件下，验证二极管正向()浪涌电流的额定血。A2 电路图Pl Al Rl、_I R2 Gl G p2 h R31(; 图Al正向(不重复)浪涌电流试验电源理图A3 电路图说明Pl一一测试通过被测二极管正向平均电流的仪表;P2一一峰值读数仪
12、表或示波器;VDl一一被测二极管;R3一一取样电阻荷;Rl一一正向平均电流调定电阻器;R2一一浪涌电流的调定电阻器;Al一一控制布:Gl一一向被测管提供正向平均电流硝电源;G2一一向被测管提供正向浪涌的电源;流过被测二极管提供正向平均电流应与正向浪涌电流相应位一致(见囹A2)。一7一r(A I.t-图中:IFSM一一正向浪涌电流;IFM一一正向峰值电流。A4 测试步1 . 图A2IFSM与IFM的相位示意图a. 将Gl和G2两电源都调至零;t(C) b. 将被测管按其极性标志插入试验台的管座，并检查环境阻止民;c. 明节Gl和Rl，使AF测得的正向平均电流达到规定值;d. 调节G2和R2，从P2上测得的峰值电压观测正向浪涌电流达到je. 开启控制器，按下述规定的条件对被测管施加正向浪涌电流。f. 根据试验后的测试来验证被测管承受正向浪涌电流额定值的能力。A5 规定条件a. 正向液涌电流的数值;b. 每次浪涌的周波数、浪涌次数和重复率;c. 环境温度;d. 试验后测试项目、极限值、测试条件。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范主要起草人:金贵永、张滨。计划项目代号:B21031。8一 ,
