1、中FL 5961 ，、l曰目臼电国.L.1 11、SJ 50033/82一1995Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK100 NPN silicon low-power switching transistor 1995-05-25发布1995-12-01实中华人民共和国工业部中华人民共和国电子行业军用标1范半导体分立器件3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范Semiconductor discrete device DetaiI specification for type 3DK100 NPN
2、 silicon low-power switching transistor 1. 1 主题内容本规范规定了3DK100型NPN硅小功率开关晶体管(以下简1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采用。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级臼50033/821995 )的详细要求。按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件3 GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范
3、GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布范的规定。、浸锡。对引出端材料和涂层要1995-12-01 一1一SJ 50033/82 1995 求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.3)。3.2.2 器件结构采用NPN硅外延平面型结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸按GB7581的A3一01B型及如下规定，见图10;D ;a x 阳3S- 1,
4、 .0. -31 ;b2 . 尺代号标A 4.32 h 2.54 如1如20.407 ;D 5.31 ;Dl 4.53 2一寸称最寸引出端极性$1.发射极2.基极3.集电极大5.33 1. 01 0.508 5.84 4.95 臼50033/821995 续表尺代号最标J 0.92 h 0.51 L 12.5 Ll 图1外形尺寸3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值pl) 缸1P 筐，eZ Vo 号TA =25C Tc =25C (W) (W) (V) 3DKI00 0.1 0.3 20 注:1) T A 25C，按0.57mW/C的速率2) Tc 25C，按1.7mW/C的速
5、率3.3.2 主要电特性(TA=25t) 参符号(单位)测试hFE1 V=1V Ic =0.5mA hFf2 V=1V Ic =3mA hb曰V=IV Ic = 10mA h FE4 V=1V Ic =20mA h (MHz) V=6V Ic =3mA f = 100MHz C (pF) VCB =6V IE =0 , f =lMf也Vo (V) 15 。条件寸称最大1. 04 1. 166 1. 21 25.0 1. 27 VEBO Ic T啕和Ti(V) (mA) (C ) 4 30 -65- +200 极值型号最小值最大值20 30 40 200 20 3DKI00 300 3 3一町5
6、0033/821995 表参符号(单位)测试条ton (n8) lc = 10mA lB = l mA toff (08) lc = 10mA lB1 = 182 = lmA VrT.毗(V) lc = 10mA lB = l mA V Bfsnt1 (V) lc = 10mA lB = lmA 3.4 电测电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志件的标志应按GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)件号最小最20 3DKI00 3DKI00A 3S 3DKI
7、00B 2S 0.3 3DKI00 0.9 GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。选(见GJB33表2)7、中间参8、功率老化9、最后测试4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下:TA =25士3CVCB = 10V Ptot = 100mW 4一试和试I01和hFE3见4.3.1按本范表1的A2. , t:.1CB01 =初始值的100%或lSnA;取其较大者;t:.hFE3 =士20%臼50033/821995 注:不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4 一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组A组检验应按GJB33和本
8、规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(.1)要求应按本范表4的步骤进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(.1)要求应按本范表4的步哪1.1J 0 4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。检验或A1 分组外观和机械检验A2分组电极基极击穿电压发射极基极击穿电压阳电极发射极击穿电压集电极发射极击穿电压集电极截止电发射极基极截止电流正向电流比正向电流传比正向电流传比正向电流传比集电极发饱和集电极发饱和压基极发射极饱和压方法GJB 128 2071 2.9.2
9、.1 2.9.2.2 本规范附录A本规范附录A2.1 2.2 2.8 2.8 2.8 2.8 2.3 I 2.3 表1A组检验GB 4587 LTPD I符号条件5 5 发射极I V(剧|I = 10A 集电极I V(BRlm| IE = 10A IV 发射极路1 (一一1I = 100A IV 发射极基极开1(-1 I = 1mA 发射极基极开路V到)1V=15V 电极基极开VEB =3V V= lV I =0.5mAl IhFE1 V=1V I =3mA I Ih . V= 1V I = 10mA hp旧V= 1V I =20mA hFFA I = 10mA IB = 1mA VCFS .
10、 1 11 = 20mA 1 B = 2mA I I V CEoat2 I = 10mAIB =lmA I IVBFtt 极限值最丁刁豆一大20 4 15 10 0.08 I 0.08 I 20 30 40 200 20 0.3 0.4 0.9 单位V V V V A A v V V 5一SJ 50033/82 1995 1 GB 4587 极值梭LTPD 符号单位方法条件最最大基极发射极2.4 1 C = 20mA 1 B = 2mA VBE吨。1. 1 V 饱和压降A3 分组5 高温工作:TA = + 150C 集电极基极2.1 发开1 CIlO2 30 A 截止电流V= 15V 工作:T
11、A = - 55C 正向电流传输比2.8 V=IVlc=10mA hFES 20 A4 分组5 特征频率2.11. 2 V=6V lc =3mA h 300 MHz f = 100MHz 开输出电容2.11. 3 V=6V lE =0 C也3 pF f = lMHz 饱和开启时间A4 lc = 10mA lB = 1mA ton 20 ns 饱和关闭时间A4 lc = 10mA tolf lBt = lB2 = lmA 3DKI00A 35 ns 3DKI00B 25 ns AS、A6和A7分组不适用表2B组检验GJB 128 或试LTPD 方法条件Bl 分组15 可焊性2026 标志的耐久性
12、1022 B2 分组10 热冲击(环)1051 密封1071 a.细检试验条件Hb.粗条件C最后测试见表4，步骤1、3和4寸B3 分组5 态工作寿命1027 VCB = 10V, P = 100mW TA =25土3C6一检验或试最后测试B4 分组开帽内部目检(设计验证)度B5 分组不适用B6分组高温寿命:(不工作)最后测试检或试C1 分组外形尺寸C2 分组热冲击(玻璃应力)引出端强度密封. b.粗检抽叫nA口期试机械检验最后测试:C3 分组冲击变频振动恒定加速度最后测试c4 分组盐气(适用时)时50033/821995 方法续表2GJB 128 条不允许器件见表4，步骤2和5件2075 目检
13、标准按鉴定时的设计2037 1032 2和5表3C组检验GJB 128 方法条件2066 见图11056 试件A2036 试验条件E1071 试验条件H试验条件C1021 2071 见表41、3和42016 2056 2006 见表4步1、3和41041 LTPD 每件，0失效20 (C=O) 7 LTPD 15 10 10 15 一7一检C5分组不适用c6分组或试稳态工作寿命SJ 50033/82 1995 方法1026 表3GJB 128 条TA = 25 :t 3t: V=10V Ptot = l00mW 不允许器件件或强最后测试见表4，步骤2和5表4B组和C组的试GB 4587 检验或
14、试验符号方法条件1 集电极基极止电流2.1 发射极基极开路lc盼V= 15V 2 集电极基极止电流2. 1 发射极基极开路IlOl V= 15V 3 集电极发射极饱和压2.3 lc = 10mA VM lB = lmA 4 正向电流比2.8 V= lV hEI曰lc = 10mA 5 正向电流传比变化量2.8 Vcr = lV FE3 1) lc = 10mA 注:1)对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的。5.2贮贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件
15、供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:8一LTPD = 10 单位最最大0.08 A 0.16 A 0.3 v 40 200 初始值的士25%a. 本规范的名称和编号:b. 等级(见1.3.1);C. 数亘;d. 需要时，其它要求。SJ 50033/82 1995 6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可以合同或订货单中规定。9一附录A(标准的附录)电极-发射极击穿电压的测试方法Al 目的本测试的目的是为了在规定的条件下确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。A2 测试电路图测试电路图见图A1。SI Rl 十主v A Jc 图A1集电极一发射极击穿电压测试电路A3步电阻器R1为限流电阻器，其阻值应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明:本规泡由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责起本规范主要起草人:王长福、任继利、谢佩兰。计划项目代号:B21003。一10一
