1、FL 5961 J、l主自日日115-SJ 50033/90 1995 -膏、Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK 106 NPN silicon lowe power switching transistor 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件3DK106型NPN硅小功率开关晶体管详细规范Semiconductor discrete devic臼Detail specification for type 3DK
2、106 NPN silicon Lowe-power switching transistor 1. 1 主题内容SJ 50033/90 1995 -本规范规定了3DK106型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。1 . 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1 . 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件
3、总规范GJB128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层为普军、特军和超引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实SJ 500331即-1995求选择或另有要求，在合同或订单中应明确规定见6.3j。3.2.2 器件结掏采用NPN硅外延平面型结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸按GB7581的A3-02B型及如下的规定。兑民10!如机
4、一一Dl 代43尺寸符号 A a #11 bl D 2一F有 争b1一-最t.10 0.407 8.64 4 步0.3叫.A,3 02B 标称5.08 引出端极性21.发射极2.基极3.集电极最大6.60 1.01 0.508 9.g9 由51)033月司-1995r:-t号尺寸符号最Dl 8.01 J 0.712 k 0.740 L 12.5 L1 图1外形尺寸3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值p1 筐p21 鑫V到3型号I TA =25t: Tc= 25t: (W) (W) 3DKI06A 0.7 3 3DKI06B 注;l)TA25t:，按4.0mW/t:的速率线性2
5、) Tc25t:，按17.1mW/t:的速率线性3.3.2 主要电特性(TA =25C) 参数40 60 。符号(单位)试条件h陀1V=lV Ic= 10mA h2 V=lV Ic=50mA hFF.3 V=lV Ic=500mA h !E4 V=lV Ic=600mA f . (MHz) V=lOV Ic=50mA f=30MHz C呻(pF) V=10V IE=O f=lM陆Vc回(V) 30 45 A3 02B 标称最大0.787 8.50 0.863 1.14 25.0 1.27 VEBO Ic T啕和Tj(V) (mA) (t: ) 5 800 -65- +200 型号最小值最大值2
6、0 30 40 200 全部型号20 150 12 3一SJ 50033月。一1995续表参数符号(单位)试条f牛too (ns) lc= 500mA IB=50mA tdf (ns) lc=500mA lB1 = 1m = 50mA V，2 1) (V) l = 500mA lB = 50mA VBF . t2 1) (V) lc= 500mA lB = 50mA 注:1)脉冲法(见4.5.1)。3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定鉴定检验
7、应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)-极限型号最最大信30 280 0.5 1. 2 i - 筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表l进行，超过本规施表1极限值的器件应予剔除。 筛(见GJB33表2)7.中电参数测试8.功率老化9.接后试B 4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下:TA=25士3tVCB = 20V VcB=30V 4一(3DKI06A) (3DKI06B) 测试或试验_._-制1 CllOl和h陀3见4.3.1按本规程表1的A2分组,. 1 CIlOI =初始恒的100%或30nA.取较大者,. h FF.3 = :t 20 % SJ
8、 50033/90 1995 P101 = 700mW 注:不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(4l)要求应按本规范表4的步骤进行4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(4l)要求应按本规范表4的步骤进行4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组
9、检验检验或试验GB 4587 符号极限值.单位LTPD 法条件最小最大方Al分组GJB 128 5 外观和机械检验2071 A2分组5 集电极-基极2.9.2.1 发射极基极开路;VCBRlCEO 击穿电压lc= 10A 3DK106A 40 V 3DK106B 60 V 发射极基极2.9.2.2 集电极，基极开路VCBRlEIlO 击穿电压IE = 10A 5 V 集电极.发射极本规范发射极.基极开路VCBRlCEOl 击穿电压附录Alc = 100A 3DKI06A 30 V 3DKI06B 45 V 集电极发射极本规范发射极-基极开. , VCBRlCE02 击穿电压附录Alc= lOm
10、A 脉冲法(见4.5.1)3DK106A 25 V 3DK106B 35 V 集电极基极2.1 发射极.基极开路1 CIlOl 0.08 A 截止电流3DK106A VcB=30V 3DKI06B VCB= 50V 发射极-基极2.2 集电极-基极开路IEID 0.5 A 截止电流VEB=4V 5一检验或试正向电流传l比正向电流传比正向电传比正向电传输比集电极.发射极饱和压降集电极-发射极饱和压降基极，发射极饱和压降基极-发射极饱和压降A3分组高温工作:发射极，基极截止电流3DKI06A 3DKI068 低温工作:正向电流传输比A4分组特征频率开路出电容饱和开启时间饱和关闭时间A5、A6和A7
11、分组不适用检验或试验81分组可焊性标志的耐久性B2分组热冲击(温度循环)6一SJ 50033/90一1995续表1A组检验方法GB 4587 条件2.8 V=lV Ic= 10mA 2.8 VcE=lV IC=50 mA 2.8 V=IV lc= 500mA 2.8 V=IV Ic=600mA 2.3 Ic= 300mA IB=30mA 2.3 Ic= 500mA IB= 50mA 脉冲法(见4.5.1)2.4 IC= 300mA IB皿30mA2.4 Ic= 500mA 1B= 50mA 脉冲法(见4.5.1)TA = + 150C 2.1 I VCB= 30V VCB = 50V TA =
12、 - 55C 2.8 VCE= lV IC= 50mA 12.11.2 I VcE=10V 1c= 50A f=30MHz 2.11. 3 VCB= 10V 1E=O f= lMHz A4 Ic=500MA 1B = 50mA A4 1c=500MA 1B1 = 1m = 50mA 表2B组检验GJ8128 方法条2026 1022 1051 -极限值1 LTPDI符号!一J一:-J单位I hFE1 I 20 1 IhH2 I 30 1 I hE3 1 40 I 200 1 I hFI 1 20 1 V剧I1 1 0.4 1 V CE皿211 0.5 1 V I VBE . 1 1 1. 1
13、1 V IV应酬21 1 1. 2 1 V 15 1cB02 I 20 IA I h FF.5 15、一1 Ih 1 150 I I MHz C血12 pF ton 30 ns toff 1 280 1 ns 一 LTPD 件15 10 b SJ 50033/90一1995续表2.,. GJ8128 或试验LTPD 方法条件密封1071 细检f牛Hb.粗C 最后测试:见表4，步骤1、3和483分组态工作寿命1027 V=20V P .,. =700mW 5 TA=25土3t:不允许器件加散热器或冷最后测试:见表4，步骤2和5一一一B4分组均协开帽内日检2075 日检标准按鉴定时的设计每批个器件
14、，(设计验证)。失效键合强度2037 20(C=0) 85分组不适用时分组7 寿命(不工作)1032 TA=200t: 最后测试:见表4，步2年百5 表3C组检验GJ8128 检或LIPO 方法条f牛Cl分组15 外形尺寸2066 见图1分组10 热冲击(玻璃应力)1056 试验条件A引出端强度2036 试验条件E密封1071 a. 漏试验条件Hb.粗试验条件C温度/湿度周期1021 外观及机械检2071 最后测试:见表4步骤1、3和43 C3分组10 冲击2016 变频振动2056 一7一SJ 50033/90 1995 续表3GJB 128 检LIPD 方条件加速度2006 最后测试:见表
15、4步骤1、3和4c4分组15 盐气(适用时)1041 cs分组不适用c6分组=10 稳态工作寿命1026 TA =25 :t 3t: V=20V P , =700mW A K 不允许器件加散热器或强迫风冷最后测试:见表4，步骤2和5表4B组和C组最后测试步GB 4587 值检验试符号单位方法条件最最大1 集电极.基极止电流2.1 发射极.基极开. , I到:ll0.08 A 3DKI06A VcB=30V 3DKI06B VCB=50V 2 集电极基极止电流2.1 发射极.基极开路;I剖:10.16 A 3DKI06A VcB=30V 3DKI06B VcB=50V 3 集电，发饱和压2.3
16、Ic=500mA V皿t0.5 V IB= 50mA 4 正向电流传输比2.8 V=lV hF臼40 200 Ic=500mA 5 正向电传l比变化量2.8 V=lV t:.h陀31) 初始值的土25%IC= 500MA 注:1)对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求要求应按GJB33的规定。8一SJ 50033/90 1995 6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的
17、名称和编号:b. 等级(见1.3.1)c. , d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。9一附录A(标准的附录)电极.发射极击穿电法Al 目的本测试的目的是为了在规定的条件下确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。A2 测试电路图试电路图见图AlRF + 主)VCF. -A 二./Ic 图Al电极一发射极击穿电压测试电路A3步电阻器R1为限流电阻器，其阻值应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRlCEO的最低极限，则晶体管为合格。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负本规范主要起草人:王校福、任继利、谢佩兰。计划项目代号:B21064o一10一。
