1、FL 5961 SJ 50033/91一1995、l Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CD030 low-fyequency and high-power transistor 吕1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件3CD030型低频大功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CD030 Low-frequency
2、 and high-power transistor 1. 1 主题内容SJ 50033/91 1995 本规范规定了3CD030B-F型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1 . 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的产品保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 8
3、6 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镇层中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施1一SJ 50033/91 1995 3.2.2 器件结构采用扩散台面或外延台面结悔。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的B2-01B型及如下的规定。见图105( Ix( Iz Rl 2- +P U +D #1 伪z3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值
4、pu lot Vm 型号Tc=25C (W) V 3CD030B 100 3CD030C 150 3CD030D 100 200 3CD030E 250 3CD030F 300 Iz. 叫图1外形图VCEO V 100 150 200 250 300 注:1) T25C时按200mw/C的速率线性地降剧。2一号寸A r.b1 +b2 +D d F L L1 r.P q R1 R1 s U1 U2 叫VEIlO c V A 4 10 盯1口1B2-01B 口unnom max 9.8 1.52 I 0.9 1. 1 15.0 3.0 3.0 I 8.5 1.5 4.0 4.2 22.8 23.2
5、 9.5 4.3 13.1 31. 4 1一基极2一发射极电极接外壳T) Tsrg 175 -55- + 175 SJ 50033/91 -1995 3.3.2 主要电竹性(TA = 25C) VI) F .t 被h 11) FFl VCF = 5V Iu= 1. 5A 限I= O. 75A Icl= 1. 5A 值Ic2 = O. 75A (V) 型号最大值黄:40-803CD030 绿:60-1201.5 B-F 蓝:100-180 E主:1)Iu和181为3CD030B-C的测试电流;I和IB2为3CD030D-F的测试电流。3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.
6、5 标志标志应符合GJB33及本规范的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)V1) E8且t181 = 0 3人IB2 = 0.15A (V) 最1.8 h R(thl,-c VcE=5V VcE=5V Ic=0.5A I=0.5A f= 1MHz 25CT C 豆25CMHz C /w 最IJ、最小值3.0 5.0 -一一一筛选应按GJB33表2和本规币的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。筛边测试或试(见GJB汩的表2)7.中间电参数测试
7、Il和hFF1功率老炼条件如下:8.功率老炼T, = 162.5 :t 12.5C V.F = 25V PlUt20W 按本规范表1的A2分组9最后测试lcB011刀的100%或300A.取较大者hFF1运初的:t20%4.4 阪量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定。一3一SJ 50033/91 1995 4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5. 1 脉冲测试脉冲测试
8、条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检方法条件极限值LTPDI符号一寸一单位最小最大GB 4587 检验或试验A1分组外观及机械检验GJB 128 2071 5 十A2分组集电极发射极击穿电压3CD03013 3CD030C 3CD030D 3CD030E 3CD030F 发射极，基极击穿电正集电极基极截止电流集电报-豆射极截止电流集电极.发射极饱和电压3CD030B-C 3CD030D-F 5 本规范|发射极，基极开路;附录AI Ic=lmA VCBRlCEO ;:|二|:;:|二|:2.9.2.2 I集IE= lmA 开路;300 VCBR沈阳4 V V 一2.1 发射极，
9、基极开路;I1 I 0.3 I mA 2.14 VCB = V CIlO 发射极，基极开路;VCE:=0.5VCFO I I 0.5 I mA 2.3 VCE . I 1.5 I V A AU 句3ou nu、jzzI mh5 JU4 mA乱侃10去=一-K俨vP如VIa-aEA 基极-发射极饱和电压3CD03013-C 3CD030D-F 2.4 VBE副一I1.8 I V I1 = 1. 5A;IBl =0.3A I=0.75A;Ill2=0 15A 脉冲法(见45 1) 4一SJ 50033/91 1995 续表1GB 4587 极限值检或LTPD 符号单位方法条件最小最大正向电传输比2
10、.8 VcE=5V hFE1 40 180 3C四川OB-CIC1= 1. 5A 3CD030D-F I=0.75A 脉冲法(见4.5.1)啕町，一一一一一-华.、-飞，马-LJ2 K 5 高温工作:T A = 125 :t 5C 集电极-基极2.1 发射极.基极开路;Icoo血3.0 mA 截止电流V=0.7Vc盼工作:TA: - 55C hFEO 20 正向电流传比2.8 VcE=5V 3CD030B-C IC1= 1. 5A 3CD030D-F I= O. 75A 脉冲法(见4.5.1)A4分组5 率2.11.2 VE=0.7V Ic = 0.5A fT 3.0 MHz f= 1MHz
11、A5分组10 安全工作区按图2Tc=25C (直流)t = Is.单次1 V= 10V Ic=3.0A 2 V=2V Ic= 1.5A 3 3CD030B VCE= 100V Ic=72mA 3CD030C VCE = 150V Ic=26mA 3CD030D V=200V IC=20mA 3CD030E V=250V Ic = 13. 8mA 3CD030F V=300V Ic= 10mA 最后测试:见表4步骤1和35一SJ 50033/91 1995 表2B组检验GJB 128 检验或LTPD 方法条件B1分组15 可焊性2026 标志的耐久性1022 B2分组10 热冲击1051 低-5
12、5t 循环)其余为试牛F-1密封1071 8.细条件Hb.粗检试验条件C最后测试:见表4步骤1和3B3分组5 稳态工作寿命1027 Tj=162.5土12.5tVCE = 25V Ptot二月OW最试:见表4步2和4寸B4分组(仅对GCT每批个开内部目检2075 件.(设计核实)0失效键合强度2037 试验条件A20(C= 0) B6分组7 高温寿命1032 TA=175t (非工作状态)最后测试:见表4步骤2和4表3C组检验GJB 128 极限值LTPD 符号单位方法条件最小最大十C1分组15 外形尺寸2066 见图1分组10 热冲击1056 试验条件B璃应力)引出端强度2036 试验条件A
13、外加力:20N时间:10s受试引出端数:2.1 6一SJ 50033/91 . 1995 续表3C组检验GJB 128 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小最大密封1071 a.细试验条件Hb.粗检试验条件F综合温度/温度1021 周期试外观及机械2071 最后测试z见表4步骤1和3C3分组10 冲击2016 按总规范动2056 恒定加速度2006 按总规范最后测试:见表4步骤1和3c4分组15 (适用时)盐气(侵蚀)1041 c6分组.,= 10 稳态工作寿命lO26 Tj=162.5士12.5CVcE=25V P tot;: 20 W 最后测试:见表4步骤Z和4c8分组15 热阻
14、GB 4587 VCE= 10V R(hlj-c 5.0 C /W 2.10 Ic = 1.0A 25 C T c75C 一7一SJ 50033/91一1995表4A组、B组和C组最后测试步GB 4587 值检符号条件1 集电极.基极截止电流2.1 发射极.基极开路;Ic盼E0.3 VCB= Va泊2 电极-基极截止电流2.1 发射极基极开路;1 CIlO1 0.6 / VCB= VCIlO 3 正向电流传输比2.8 VcE=5V h f E1 40 180 3CD030B-C I= 1. 5A 3CD030D-F 1(2 =0. 75A 脉冲法(见4.5.1)4 正向电流传输比2.8 6.
15、h ,1) FE1 初的VCE=5V 土25%3CD030B-C I= 1.5A 3CD030D-F I=0.75A 脉冲法(见4.5.1)注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接受。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单:丘规定下列内容:a. 本规范的名称及编号;b. 等级(见1.3.1)C. , d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或
16、订货单中规定(见3.2.1)。6.4 如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5 直流安全工作区见图208一单位mA mA SJ 50033/91 1995 3. Tc=2S 1. ，.、)UH 结主罢0.ffil 司联一-一o. 0.002 1. 300 集电极发射极电压VCE(V)图23CD030的直流安全工作区9一附录A(标准的附录)电极-发射极击穿电压测试方法Al 目的本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2 测试电路图R V G 可调电压源A 图A1集电极.发射极击穿电压测试电路注:在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电表读数作因电流表压降的校正。限流电阻R应足够大，以避免过度的电流流过品体管和电流表。A3步加电压达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRlCEO的低极限，晶体管为合格。本测试方法意在表现晶体管负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. 环境平皮TA;b. 测试电流Ic;C. 惆置条件。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人:蔡仁明、于志贤、佟桂云。计划项目代号:B31004。一10一
