1、中-FL 5961 8J 50033/98 95 口口、吃吕8emicondutor discrete devices Detail specification for types 2CJ 4211 and 2CJ 4212 step recovery diodes 1996-06-14发布1996-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CJ4211、2CJ4212型阶跃恢复二极管详细规范臼50033/9895 Semicondutor discrete devices Detail specification for types 2CJ421
2、1 and 2CJ4212 step recovery diodes 1 范围1 1 内本规范规定了2CJ421L2CJ4212型阶跃恢复二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 6570 86 微波二极管测试方法GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法GJB 1557 92 半导体分立
3、器件微搜二极管外形尺寸3 要求3. 1 详细要求各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为铜，表面涂层应为金。中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996-10-01实一1一SJ 50033/98 95 3.2.2 器件结构N型硅外延材料，台式PIN结构，3.2.3 外形尺寸外形尺寸按GJB1557的W701型，如图10陶瓷管壳封装。;D mm A 尺寸符号mm max D 2.54 2.66 D， 1. 72 1. 88 E 0.94 1. 00 H 2.
4、8 3.6 H, 1. 50 2.10 C 0.60 0.80 v du同 l/ E t/D, 图1外形图3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值号VRM I;) T 叩Totg (V) (mA) (C ) (C ) 2C42 11 15 -55-一65-20 2C4212 + 125 + 175 注:l)TA25C时按0.20mA/C线性3.3.2 主要电特性(TA = 25C) 。一2一SJ 50033/98 95 T 特VCBRl VF Ci tst r Z(由)t性脉宽z和, IR= 10A IF= 10mA VR=6V IF= 10mA IF=5mA 条10ms 件f=
5、IMHz VR=10V IR =40mA IF= 500mA 型(V) (V) (pF) (t/W) (ps) (ns) 最小最大值最小值最大值最大值最最2CJ4211 60 15 1 0.2 0.6 8 300 2CJ4212 50 件极性标志。试应按本规范表1的规定进行，超过本规范3.4 电测试要求电测试应符合GB6570及本3.5标志标志应符合GJB33和本规范的规定:在包装袋(盒)上应有范的规定。4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其表1极限值的器件应予以剔
6、除。质4 试和试测试验方法GJB 128 选见GJB33表2试。72h 20次外，其余同试验条件F。VtBRJ、VF、.V(B町、.VF失效判据同本表最见4.3.1I . V(BRl I -;2V; I . V F I ,-; 0 . 05 V ; 其他参数:按本规范表1的A2和A4分组2001: 1032 1051 1038 高温寿命热冲击中间电老化最后测试23789 4.3. 1 电老化T A = 100t ;f= 50Hz; IFM = 10mA; VRM = 12V, 72h。4.4 质量一致性检验4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。B组B组检验应按GJB
7、33和本4.4.3 C组检C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.4.2 一3 一范表2的规定进行。SJ 50033/98 95 4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应表的规定。表1A组GB 6570 极限检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值 Al分组5 外观及机械检验GB 12,8 2071 A2分组5 反向击穿电压3.1 IR= 10A V(BRl 15 V 正向电压3.3 IF= 10mA VF 1.0 V 结电容3.5 VR=6V Ci 0.2 0.6 pF f= lMHz A3分组5 命温工作TA=125C 反向击穿电压3.1 IR= 10A V(B
8、Rl 12 V 低温工作TA = - 55C 反向击穿电压3.1 IR= 10A V(BR) 12 V A4分组5 阶跃时间3.9 IF= 10mA tst VR=10V 2C4211 60 ps 2C4212 50 ps 少子寿命3.8 IF=5mA 8 ns IR = 40mA 表2B组检验GB 128 极限值检验或LTPD 符号单位方法条f牛最小值最大值B2分组10 热冲击(温环)1051 试验条件F1 密封1071 a、试验条件Hb、粗检漏试验条件C最后测试:见表4步骤1和2B3分组TA = 85C 5 稳态工作寿命1027 t = 340h f=50日zIFM= 10mA; VRM=
9、 12V 最后测试:见表4步骤1和24一SJ 50033/98 95 续表2GJB 128 极值或试LTPD 符号单位方法条件最小最大值B5分组GB 6570 15 态热阻抗3.10 脉宽:10ms Z(由)t300 C /w IF= 500mA B6分组7 高温寿命(不工作)1032 T A = 175C 最后测试:t = 340h 见表4步骤1和2表3C组检验检验或GJB 128 方法|条LTPD 牛，咱C1分组外形尺寸2066 I见图115 分组10 热冲击(玻璃应力)1056 试验条件A密封1071 a、细试验条件Hb、粗检件C综合温度/湿度1021 省略预处理周期外观及机械2071
10、最后试:见表4步1和2C3分组10 冲击2016 14700m/ s2( 1500g)0. 5ms. 在X、Y、Z的每个方向冲击5次振动2056 恒定加速度2006 196000mN (20000g) 最后试:见表4步1和2c4分组盐气(适用时)c6分组作寿命15 1041 1026 TA=85C ;f=50Hz; IFM= 10mA; VRM = 12V。见表4步骤1和2). = 10 最后测试:一5一SJ 50033/98 95 表4B组和C组检验的电测试GB 6570 极限步测试符号单位方法条件最小最1 击穿电压变化量3.1 IR= 10A AV!iR) 初的:t20%V 2 正向电压变
11、化量3.3 IF= 10mA A. v:.) 士0.15V 注:1)对于，超过A组极限值的器件不应接收。5 交货5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6.1 预定用途符合本规范的器件主要作于2cm波段倍频器脉冲产生和脉冲整形。也可用于移相、限、开关等控制电路。6.2 订货文件内容合同或订单中应载明下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3.1);C. 数亘;d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订单中规定。6.4 型号对照本产品相应企业型号为:WY4211、WY4212。加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负责起草。本规范主要起草人:吴遣、桂德成、黄玉英。计划项目代号:B31010。6一
