1、中FL 5961. 1994-09-30发布SJ 50033.44 94 丑2去I)I Semiconductor dicrete device Detail pecification for type 2CZ 105 ilicon witching rectifier diode 吕1994-12-01实中华人民共和国电子工业部批中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CZ105型qe硅开关整流二极 1 范围1. 1 主题内细规范Semiconductor dicrete device Detail pecification for type 2CZ 105 i1icon witchi
2、ng rectifier diode 本规范规定了2CZ105型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和/1-1。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1 .3. 1 器件的按GJB33(半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供的特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4023 86半导体分立器件第2部分整流二极管GB 6571 86 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立3 要求3. 1
3、详细各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端涂层中华人民共和国电子工1994-09-30发布 SJ 50033.44 94 普军、特军和超1994-12-01实1一8J 50033.44 94 。对引出端涂层另有要求时，在合同或订货单中规定(见6.3条)。化封装。在芯片两面和引出端之间采用冶结构。外形尺寸应符合GB7581的D2-10A型及如下的规定。见图1。L G L 、Ll LI +D 是a1 2 LI 哩哇三吃号D-10A 符号尺寸mm max 件10.72 0.87 rpD 3.5 G 5.
4、0 + L 25 L1 1.5 Lz 12.5 注:1) Lz为引线弯曲成直角安装的最小轴向长度。图1外形图3.3 最大额定值和主要电特性3.3.1 最大额定VRSM VRWM lol) IFSM TOP T 电低气压TA=80C TA =25C 型号VR= VR.M tp= 10m (V) (V) (A) A (C ) (C ) (Pa) 2CZ105B 75 50 2CZI05C 150 100 2CZI05D 300 200 2CZI05E 450 300 2CZI05F 600 400 0.5 10 -55-150 -55-175 1066.5 2CZI05G 750 500 2CZI
5、05H 900 600 2CZI05J 1050 700 2CZI05K 1200 800 一2一注:1) T A80C时，按7.14mA/C 3.3.2 主要电特性(TA =25C) VFM1 IFM= 1. 5A 型号tp= 10m (V) 最7c值2CZ105B 2CZ105C 2CZI05D lCZ105E 2CZI05F 1.8 2CZI05G 2CZ105H 2CZI05J 2CZI05K 3.4 电测试要求SJ 50033.44 94 。IR1 , 、, VR= VRWM 斗(A) 最大值50 电求应符合GB4023、GB6571及本规范的规定。3.5 标志IR2 trr VR=
6、 VRWM IF=50mA TA=125t VR= 10V RL=750 坠旦最大值50 3 标志应符合GJB33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内，制造厂可省略下列标志za. 制造厂的识别;b. 检验批识别代码:c. 型号命名中的2C部分。3.5. 1 极性标志器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性。4 保证规定4. 1 抽样和检抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极值的器件应予剔阳。一3一 4.4 (见GJB33表2)3
7、.热冲击4.恒定加速度5.密封7.中间电参数测试8.电老化9a. 质量一致性4.4.1 A组检验SJ 50033.44 94 VFM1和IR1试件F。TA=25t: Io=0.5A VR= VRWM 1=50日z正弦半波本规范表1的A2分组;.1IR1 =初始值的100%或0.3队，取较大者;.1VFM1 =土0.1V。GJB 33和本规范的规定。A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(.1)的要求应按本范表4的相应步骤的规定。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量
8、(.1)的要求应按本规范表4的相应步骤的规定。4.5 检验和试验方法试验方法应按本规范相应的表和如下规定:4.5. 1 稳态工作寿命在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流，整流电流的正向导通角应不大于180.，不小于150.。4.5.2 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组GB 4032 极限值或LTPD 符号单位方法条件最大值+ Al分组5 外观及GJB 128 2071 A2分组5 正向电压lV -l.2.3 TFM = 1.5A VFMI 1.8 V tp = 10m 8骂王2%反向电流lV -l.4.1 VR =
9、 VRWM IR1 5.0 A 4一或试验A3分组作:反向电流:低作:正向电压:A4分组反向恢复时间A6分组浪涌电最后测试B1分组可焊性标志耐久性应分组冲击最后测试:四分组作寿命最后测试B6分组 或 试高寿命(非工作状态)最后测试:SJ 50033.44 94 续表1A组检验GB 4032 LTPDI符号方法条件TA = 125t N-1.4.1 VR = VRWM TA = - 55C N-1.2.3 IFM = 1. 5A tp = 10m 8骂王2%GB 6571 I IF = 50mA 2. 1. 4.2.3 I VR = 10V RL = 750 N -3.1 脉冲前沿小子0.1 t
10、 TA = 25t VR = VRWM IFSM = 10A tp = 10m 每间隔1分钟1次浪涌，共10次。见表4步骤1和25 IR2 VFM3 5 t 10 表2B组检验GB 128 方法条2026 1022 件1051 除低温为-55C外，其余同试验条件F-1o见表4步1和21027 TA = 25C VR = VRWM 了。=0.5A f50出正弦半波见表4步1、2和3 1032 TA = 175C 见表4步1、2和3极限值单位最大值5.0 !A 2.0 V 一2.0 LTPD 15 10 5 7 5一, 检Cl分组外形尺寸c2分组热冲击引出拉力弯曲综合周试:C5分组低气压试验期间反
11、向c6分组试稳态工作寿命最后测试:, 1 |正向电压2 !反向电流验3 |反向电流变化町50033.4494 3 C组检验GB 128 LTPD 1符号方法条件15 2066 见图110 11056 i试验条件A12036 A F=20N E F= 处理2071 |见表4步1和24 15 1001 试验条件Dt = 60 1GB 4024 VR = V阿MN-l.4.1 11026 1 TA = 25t: Io = 0.5A VR = VRWM f = 50Hz 正弦 见表4步1、2、和3表4A组、B组和C组的电测试GB 4023 符号方法条件N-l.23 I IFM = 1.5A V阳1tp
12、 = 10m 82% N-l4.1 I VR = V 1 I Rl N-l41 1 VR = VRWM I lR11) 注:1)中IR1超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求6一单位最 * 5.0 1 mA 单位最小值1.8 V 5.0 A 初的100%或A 0.3A.取较大者。SJ 50033.44 94 包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB汩的规定。5.3 运输要求GJB 33的规定。6 说明事项6. 1 预定用符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号:b. C. (见1.3.1); , d. 需要时，其它要求。 。6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.0。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营八七三厂起平。本规范主要起草人:王继红、刘东才、金贵永。计划项目代号:B21019。一7一
