1、中FL 5961 1994-09-30发布电:去= 1)1(, SJ 50033.46 94 口口Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ59 silicon rectifier diode 1994-12-01实中华人民共和国电子工业部 中华人民共和国电子行业军用标准1范1. 1 主题内容半导体分立器件2CZ59型硅整流二极管细规范Semictnductor discrete device Detail specification for type 2CZ59 silicon rectifier diode
2、 本规范规定了2CZ59型1. 2 适用范围流二极管(以下简称器件)的本规范适用于器件的研制、生产和/l-3。1. 3 分类本规范根据器件质量保证1.3. 1 器件的等极。按GJB33(半导体分立器件总规范1.3条的规定，特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件的GB 4023 86半导体分立器件第2部分整流二极管GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范
3、的规定。3.2. 1 引出端涂层要求。保证町50033.4694 军、特军和超器件表面应镀锡。对引出端涂层另有要求时，在合同或订货单中规定(见6.3条)。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01 一1一3.2.2 器件结构在芯片的两面和引出D 1D) 1Dz E 17.0 F 2.93 J 1M N 10.72 N) 1T 3.56 W M6 图1外形图 max 12.70 20.16 16.94 9.52 5.08 25.40 M6 外径12.70 2.26 4.44 臼50033.4694 3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的C1-01C型及如下的规
4、定。见图1。3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 100 VRSM VRWM Tc= 75: 型号(V) (V) (A) 2CZ59B 75 50 2CZ59C 150 100 2CZ59D 300 200 2CZ59E 450 300 2CZ59F 600 400 20 2CZ59G 750 500 2CZ59H 900 600 2CZ59J 1050 700 2CZ59K 1200 800 注:1)3.3.2 当Tc超过75:时.按267mA/:电特性(TA=25t) VYM1 lFM=60A 型号(V) + 最2CZ59B 2CZ59C 2CZ59D 2CZ59E 2CZ59F 1
5、. 8 2CZ59G 2CZ59H 2CZ59J 2CZ59K 3.4电lFSM TA = 25: VR= VRWM tp= 10ms (A) 420 住地lR1 VR= VRWM A) 最大值100 电测试应符合GB4023及本规范的规定。3.5 标志TOP (: ) -55-150 lR2 VR= VRWM Tc= 140t A) 3000 T啕低气压(: ) (Pa) 用55-:-175, 4400 Z由(，-c) t = 1s (t/w) 3 3一SJ 50033.46 94 标志应符合GJB33和本规范的规定。3.5. 1 极性器件的极性应采用二极管符号表示，箭头指向为负。4 4.
6、1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1限值的器件应予剔阳。试或验除低混为-55C外，其余同试验条件F。VFM1、IR1Tc=95-gC Io=14A VR= VRWM f=50出正弦4.4 质量一致性检验本规rrI.表1的2分组;ilI Rl =初始值的100%或40A.取较大者; V FMl = :t 0 . 1 V。致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检
7、验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化最(.)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(.)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。4.5 检验和试验方法试验方法应按本规范相应的表和如下规定:4.5. 1 稳态工作寿命在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压，接着在正向施加规定的正弦学波平均整电流，整流电流的正向导通角应不大于180.，不小于150.。4.5.2 脉冲测试冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.3 热阻热阻测试应按GB4023中的2.2.3条的规定进行。一4一检方法
8、Al分组外观及验GJB 128 2071 A2分组正向电压N -1 2 3 反向电流N -1.4.1 A3分组工作:反向电流N-1. 4.1 工作g正向电压:N -1.2.3 十A6分组浪涌电流 最后测试:检验或试Bl分组可焊性志耐久性B2分组热冲击密封a b粗最后测试:町50033.4694 表1A组检验GB 4023 LTPD 符号条件5 5 TFM = 60A VFM1 tp = 300间8运2%V R = V R IR1 5 Tc = 140t VR = VRWM IR2 Tc = - 55t I刚=60AVFM3 tp = 300s 82% 10 TA = 25t VR = VRWM
9、 IF制=420A tp = lOms 周数与浪涌次数均为1见表4步1和2表2B组检验GB 128 方法条2026 1022 焊接停留时间=10 :!: 1s 1051 温为-55t外，其余同条件F-lo1071 H 条件C见表4步骤1和20 值单位最小值+ 1.8 v 100 A 3000 A 2.0 v , LTPD 件15 10 5一町50033.4694 表GB 128 验或试LTPD 方法条件B3 态工作寿命5 1027 Tc = 95_s0t VR = VRWM To = 14A f = 50陆正弦半波见表4步骤1、2和3 时-L一叫:2075 /0失效7 (非工作状态)1032
10、TA = 175t 见表4步骤1，2和3 表3C组方法8-条Ru-G一最小值最大单位检件LTPD I符号Cl分组外形尺寸 15 2066 见图1C2分组10 热冲击1056 试验条件8引出度2036 转矩试验条件乌转矩:1.0Nm时间:1015s密封1071 t a. 写回信E葡萄试验条件Hb.粗试验条件C1021 机械最后测试:2071 按表4步骤1和2C3分组10 冲击I a: 14700m/s2 t=0.5ms 冲击方向及次数:沿X、Y、Z每方向5次变动|非工作状态加速度|离心加速度:. 6一SJ 50033.46 94 续表E甲 GB 128 限检或检验LTPD 符号单C方法条件最小值
11、最大值98000m/s2 最后试:按表4步1和2C5分组15 时)低气压1001 试验条件Ct =605 期反向电流GB 4023 VR = VRWM I ,u 一100 i抖!N -1. 4.1 -. c6分组 = 10 稳态工作寿命1026 Tc = 95_fC 10 = 14A VR = VRWM f = 50Hz正弦半波最后测试:见表4表骤1-2、和3卡-c:7分组GB 4023 15 t = ls Z,h(l_e) 主IC /w 热阻N -2.2.3 ._.L._ -, 表4A组、B组和C组的电测试GB 4023 值检检符号单之方法条件最小值最大值-一一正向电压N-l.23 IFM
12、= 60A VFM 1.8 V tp = 300s 2% 2 反向电流N-l41 VR = VRWM IR1 100 A 3 反向电流变化N-l41 VR = VRWM .I Rll) 初始值的100%或A 4.0A，取较大者。 注;1)本试验中IR1超过A组器件不应接收。5 交货准备5. 1 求包装要求应符合GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求要求应按GJB33的规定。6 说明事项一7一SJ 50033.46 94 6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备和现有的后勤保6.2 订货资料订货合同应规定下列内容zL 本规范的名称和编号Eb. C. 级(见131); , d. 需要时，其它要求。6.3 对引出端涂层有持殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3，2，1条)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由八七三厂起千。本规范主要起草人:彭琳、刘东才、金贵永。目代号:B21025。8一
