1、中FL 5961 国电SJ 50033.51 94 .1. 1 自目目 Semiconductor discreted devices Detail specification for type CS0558 GaAs microwave dual gate FET + J 1994-09-30发布1994-12-01实施中共和国电子工业部批中华人民共和子行业军用标准半导体分立器件CS0558型碑化波双栅场效应晶体Semlconductor discreted devlces Detail speciflcation for type CS0558 GaAs microwave dual ga
2、te FET 1范1. 1 主题内容本规范规定了CS0558型呻化嫁微波1. 2 适用范围场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求本规范适用于器件的研制、生产和采用。1.3分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的和超特军级，分别用宇母GP、GT和GCT表示。2 引用文件GB 4586 84 GJB 33一85GJB 128 86 3 要求3. 1 详细要求场效应晶体管测试方法半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸件的设计、结构应按GJB33和本
3、规范的规定。外形尺寸应符合图1的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层引出端材料为可伐合金，引线表面镀金。3.2.2 器件结构采用呻化嫁N型向道肖特基势垒双栅结构。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布证普军级、特1994-12-01 3.2.3 外形尺寸外形尺寸见图1.比bx ;P 、 聋呈rom nom A b, 0.7 b. O. 7 b, 0.7 C O. 10 E 3.8 F 1. 00 3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值一2一牛+ SJ 50033.51 94 E 3 q U1 口lax5.0 0.9 0.9 0.9 0.15 1. 39 b s 脸呈
4、K L ;P Q q U、U. 图1外形图bJ 。 mm 0.9 4.0 2.05 14.7 4.0 。斗. ;, 、. nom 11 、n18X 5.5 2.15 2.4 斗15.3 4.6 SJ 50033. 51 94 P.l) V田VG1 VGl回VGZOO VGZSO 10 T也或T啕(W) T =25C (V) (V) (V) (V) (V) (mA) (C ) 0.70 12 -12 一12一12一12I瞄一65-+175(:注，1)当Tc25C时，按4.67mW/(:的速率线性3.3.2 主要电特性(TA25C) .如11B VG1S归11)g.l Po (p 参(mA) (V
5、) (mS) (dBm) (dB) + Vos=3V Vos=3V Vos=3V f牛1. VG1S=OV V田=3mAVG目=1.5V条件见A4分组号VG2S=OV VGZS=OV VGis=O.-lV CS0558A 80-150 一2-5二20注203到CS0558B 80-150 一2-5二2020 二9+ 3.4 电测试要求电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5 的标志应符合GJB33的规定。 4 4. 1 抽样和检验应符合GJB33和本规范的规定.4.2 鉴定鉴定检验应符合GJB33和本规范的规定。4.3 筛选仅对GT、GCT级筛选应按GJB33的表2和本规范的规定进行。下
6、面测试应按本规范表1进行，超过规定极限件应予剔除。选(见GJB33.表2)3 热冲击6离试试验条件C.一.65(:-+150(: T = 150C t=48h VG1臼=-6VVG国=OV.20次.G-1. v-n品和一-4tm一见1的A2.g.l初始值的士25%I .VGlS(oI臼初始值的士30%-3一, 4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下gSJ 50033. 51 94 Tc盟70士5CPot 0.5W,Vos 8V;Gl和G2短蹄4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定进行.4.4.1 A组检A组检验应按GJB33和本规范表1中的规定进行.4.4.2 B组检验B组检
7、验应按GJB33和及本规范表2各试验分组规定的条件进行.求应符合本规范表4中适用步骤的规定.4.4.3 c组检验 C细检验应按GJB33及本规报表3各试验分组的规定条件进行。最，舌应符合本规范表4中适用步骤的规定.4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表中规定的方法和下列规定进行g4. 5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3. 2. 1条的规定。表1A组检验测试和变化试和变方法GB 4586 极限检验或试验Al 分组外观及机械检验-4一GJB 128 2071 条件TPDI符号单位最大值5 !lt试A3分组工作下作A4 分组出功率CS0558A CS0558B CS0
8、558C CS0558D 功率增益CS0558A CSC558B CS0558C CS0558D A5、A6、A7分组不适用SJ 50033. 51 94 方法GB 4586 条件ITA国125C2 IV国=OVVCZS=OV VG国=-8VTA嚣甲55CA V国=3VVG1s=0,-lV VGzs=1.5V 范IV田=8VTA嚣Z5CC 11B a. b.程最后测试B3 分组稳态工作寿命最后B4 分组开帽内部目俭B5 分组不适用)B6分组高温寿命(不工作最后测试-6一方法GJB 128 2026 1022 1051 1071 表2B组检验条件C，25次-65C -+150C , 日.5mPa
9、cm/s 条件C见表4，步骤1、2、3和41027 I T.罩70土5CV田=6V,P,.,=O. 5W，Gl和G22075 2037 且表4.3、5和6自检标准按鉴定时的设计A 鉴定LTPD 样本大小/15 10 5 8/0 6/0 ，、，MM或讷唱Aa-1/0 20/0 1032 I TA=175C 见表4步骤3、5和67 1/0 6/0 12/2 6/0 栓或试Cl 外形尺寸C2 分组应力引出端强度密封a. b. 外C3 分组冲击振动恒定加速度C4分组气适用时C5 分组不适用C6 分组稳态工作寿命最后测试 、.SJ 50033. 51 94 3 C组检验方法条件GJB 128 2066
10、1056 GB 2036 1071 1021 2071 2016 2056 2006 1041 1026 按图1规定尺寸B A H.5mPa cm3/s 6 C 坏，前3见表4.1、2、3和4196.00伽n/s2(20，000g)见表4.步骤1、2、3和4P.ot=O. 5W , VIJS盟6V，Gl和G2见表4.，Tc=70土5.C3、5和6LTPD 15 10 7 10 15 =10 一7一SJ 50033.51 94 4 B组和C组最后测步检验或试验方4586 条件符号l 下的I2 I V国=OV，V01s=-8V101坦-0.1 -电流I I V02S=OV q k 电压5 I V困
11、=3V，V田=3mAV OlS(ol I - 2 -5 VGas=OV 3 短路下的I3 I V GlS = OV I V田=3VtJnss 电流I I vG2S嚣。v4 |跨导I V01s=0，-lV，V由=3V范IV G2S = 1. 5V 5 l跨导!附录AVO户。，-lV，V国=3VI .1 VG2S嚣1.5V6 短路下的i2 Iv国嚣。，V，V01S嚣-8V电流I V02S盟OV注，1)叶子本试验，超过A组极限值的应接受.5 交货5. 1 包装要求包装要求应符合GJB33的规定.5.2 贮存要求贮存要求应符合GJB33的规定。5.3 运输要求应按GJB33的要求-6 说明事项战才预定
12、用途符合本规班的器件供新设备设计使用和供现有设备的后6. 2 订货文件内容合同或订单应规定如下内合ga. 本规范的名称和编号;b. 等级见1.3. 1条); C. d. 需事时摸它要求.6.3 如时号|线表面涂层有特殊要求时，可在定货合同或订货单中如需典理特性曲线，可在订货文件中响甩.6.4 型号对喃CS0558的原企业型号为CX651.一8一25.%1) 的士25.%1)|初士30%1) 见3.2.1条位mA v A1 目的在规定条件下测试器件的A2 电原理固图见图Al.KI ./ RI + 。 v ) I VOlS E SJ 50033. 51 94 A 应晶体管(补充件品的测试方法I恤D
13、UT 101 fA飞。ll|D 021 s r 飞( Kz K.f E二，J VDS ( .v l 1. 51 , .图Al碑化惊微波双栅场效应晶体管跨导gm测试电原理图图中D、U、T为被测器件.RI，Rz为限流电阻，适当选取Rz以过最大耗散功率.A3 测试步Rz + f八A. -I电压断开凡，闭合K2和凡，调节电压源A.使Vos=3V.读出Ios=Ioss然后，断开凡，闭合孔，电压源B使Vcs=lV.读出Ios= Ios gm可由下述公式计异:gm = . . (Al) A4 规定一源电压Vos如果V凶不是3V;一一-_口电压V，如果VGS不是一lV.但此时公式(Al)之分母数值相应改变。-
14、9一碑化B1 目的SJ 50033. 51 94 附录B应晶体管二栅可控增补充件)在规定条件下，测量器件的二栅可控增益。B2 测试电路框固电路框图见图B1.倍号可变衰功率计同辅定向器件同袖功率计图B1呻化锦微波双栅场效应晶体管二栅可控增益测量电原理图的测试步给被测晶体管加V01S其值近似等于V0IS(01) .然后再加规定的Vos和规定的工作频率10下的输入功率Pi节VO胁V025及输入输出端的同轴调配器使输出功率最大，计算此时的功率增益，令其为GP1。然后在其它条件不变的情况下将VOZS调到规定值，再计算此时的功率增益，令其为Gpz二栅可控增益LGp-Gp1Gp 2. B4 规定条件工作频率
15、10;输入功率户，一源电压Vr圃;二栅电压V02S一10一碑化C1 目的在规定条件下，测C2 电路框SJ 50033. 51 94 附景C场效应晶体管输出功率Po补充件, 的输出功率Po和功率增益Gp一阉益Gp的测试方法 电路框图见图Cl.离分析仪计可变衰减嚣定向定向铜合器功率计2+ 甲叫牛-山岛叫一一气网络偏量网络Voo - -， 输入阻抗r-配网络二出阻抗匹配网络Vns 图Cl呻化鲸微披栅场效应晶体管输出功率Po和功率增益Gp测试电路框固C3 测量原理输出功率Po、功率增益Gp由下列公式给出:P , = Pl Ll(C Po = P2 + L2 (C2) Gp - PO Pi(C 式中Pl
16、是功率计1和P2是功率计2给出的数值。Ll和L2分别是Pi和P。在因1中从点A到点B和从点C到点D的损耗。Pl和P2用dBm表示.Ll和L2用dB表示。一-11一 SJ 50033. 51 94 C4 电路说明和要求的作用是使被测器件的功率保持恒定，不受输入端阻抗匹配的影响.被测器件应安装在热流通性良好的测试夹具上应事先测出电路损辑Ll和L2.注s测量Ll和L2时，应预调谐输入和输出阻抗匹配网络.C5 入、输出匹配电路不应有阻抗突变，在测试时应采用应能承受供电.C6 C7 a. 将射频发生器的频率b. 将栅一源电压VGS调到C. 加规定的漏一源电压z规定值F止电压附近5d. 改变VGS使漏极电流达到规定值;e. 把略低于规定值Plmatch的输入功率加到被测器件上Fr. 调节输入和输出阻抗匹配网络，使功率计的指示为g. 使输入功率达到规定值最后调节匹配网络zh. 在规定输入功率下，测量输出功率POI式(C3)。a. 环境和管壳温度(TA和Tc), b. 漏一源电压pC. 踊极电流;d. 频率ze. 输入功宁。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第十三研究所负责人:顾振球、张俊杰、李戍计划项目代号IB11042 12一 、王*阳析仪检查，.端子
