1、中电FL 5961 S.J 50033. 55 94 Semiconductor discrete dcvice Detail specification for type 2CK82 silicon switching diode 1994-09-30发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CK82型硅开关二级管详细规范SJ 5003 3- 55 94 Semiconductor discrete dcvice Detail specification for type 2CK82 silicon switching diode
2、1 范围1- 1 主题内容本规范规定了2CK82咱硅ff关二级管(以F简称器件)的详细要求。1- 2 适应也围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。.3. 1 器仲的等级按GJB33()1.3条的规定，提供质量保t证等级为普军、特军和超特军二级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2 引用文件3 GB 4023 86 半导体分立器件第2部分:整流二级管GB 6571 86 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33-85 字导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分主器件试验方法3.
3、 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3. 2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规蓓的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为铜包铁丝(材料号:101肘，引线涂层应镀锡或漫锡，对引出端另有要求时，中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施一1一可在合同或订货单中规定(见i.3条)。3.2.2 器件结构SJ 50033. 55 94 在器件芯片的两面和引出端之间采用高温冶金构。3. 2. 3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581中的D202A型，见图10符号e、温习且b, D G H L Ll 代号主寸H G
4、Ll L211 自un0.45 1.50 3. 50 54.30 注:l)L，为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。3.3 最大额定值和主要电特性3. 3. 1 最大额定值型号PM!) VBR (mW) (V) 2CK82A 15 2CK82B 30 2CK82C 100 45 2CK82D 60 2CK82E 75 图1外形图VRWM 10 (V) (mA) 10 20 30 10 40 50 L 注:l)TA60.C时，按1.1lmWrc 一2一，降额曲线见图2。构，这种器件为玻璃封接非空腔结D2 N S 02A 寸lFSM (mA) 250 ，。m口1max 0.56 2.20 5.
5、40 Top Tstg (C) (C) 一55150一55175SJ 5003 3- 55 94 3.3.2 主要电特性?气=25C VH VF, IRJ IR2 t CJ p =lmA h =lOmA VR = VRWM VR = VRWM IF = IR f =0. 5MHz 型号TA=125C = 10mA V穹.=50mV R1 =500 V民=OV(V) (V) (A) (A) (ns) (pF) 2CK82A 2CK82B 2CK82C 主二O.8 1 O. 1 主三50三三5=二32CK82D 2CK82E 3.4 电测试要求电测试要求应符合GB4023、GB6571及本规范的规
6、定。3. 5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内，制造厂可省略下列标志:a. 制造厂的识别;b. 检验批识别代码。3. 5. 1 极性标志器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性。4 保证规定4.1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)应按GJB33的表2和本规范的规定，其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予以剔除。筛(GJB 33)表2测试试验3.热冲击除低温为一55C ，循环10!;t外，其余同试验条件F4.恒定加速度不要求5.密封不要求-3
7、一、SJ 50033. 55 94 4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33和本规洁的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验和试验Jj法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5. 1 浪涌电流(IFSM). 应在二极管正向施加500mA浪涌峰值电流(1FsM )并且这些峰值电流应与平均整流电流( 10 ) (见3.3. 1)迭加，采用方波脉冲，脉冲宽度为10ms，占空比为2%，浪涌一次。4. 5.
8、2 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验、GB 6571 极 值检验或试验LTPD 符号单位方法条f牛最最大的分组5 外观及GJB 128 机械检验2071 A2分组5 在向电压2. 1. 2 直流法VFj O. 8 V IF =lmA 正向电压2.1.2 直流法VF2 l V IF =10mA 反向电流2. 1. 1 直流法IR1 O. 1 A VR = VRWM 电容2. 1. 3 脉冲法CB 3 pF VR =OV f =0. 5MHz V创g=50mV 反向恢复2. 1. 4. 2. 2 脉冲法t 5 ns 时间IF =10mA IR =10mA R
9、L =50n A3分组5 高温工作gTA=150C O.5h 正向电压2. 1. 2 直流法VF2 V IF =10mA -4一时50033.55 94 续表lGB 6571 极限检验或试验LTPD 符号单位方法条件最最大反向电流2. 1. 1 直流法1R2 50 A VR = VRWM 低温工作gTA=-55C f亘0.5h 正向电压2. 1. 2 直流法VF2 1 V h =10mA 反向电流2. 1. 1 脉冲法1R1 O. 1 A f =50Hz VR = VRWM (峰值)表2B组检验GB 128 检验或LTPD 方法条f牛B1分组15 可焊性2026 焊料zT=250土0.5C t
10、 = 5士0.5s4 受试引出端数:2.浸入深度离器件本体2.5mm处标志的耐久性1022 B2分组10 热冲击1051 除低温为一550C，环10次外，其余同试验(温度环)条件F最后测试2见表4的步骤1、2和3B3分组5 稳态工作寿命1027 10 = 10mA,VR = VRWM.f = 50Hz 正弦半波;t =340h。最后测试g见表4的步1、2和3B6分组7 寿命1032 TA =175 C , t =340h (非工作状态)最后测试g见表4的l、2和3B7分组10 浪电流GB 4023 1FSM = 250mA、10= 10mA、tp= 10ms、VR= VRWM 3.2.4 占空
11、比为2%、浪濡次数:1次、正弦半波最后测试z见表4的步骤1、2和3一5一检验C1分组外形尺寸C2分组热冲击(玻璃应力)引出端强度拉力弯曲试综合温度/度外观及最后 C3分组冲击变频振动最后测试gC4分组盐气(要求时)C6分组工作寿命最后测试g步项, 自1 正向电压2 反向电流3 电容5 交货准备5. 1 包装要求SJ 50033. 55 94 表3C组检验 GB 128 方法条件 2066 见图11056 试验条件B2036 A.受试引出端数:2.F =5N、t=15士3sE 1021 2071 见表4的1、2和32016 I加速度:14700m/s 2056 见表4的步骤1、2和31041 1
12、026 I t = 1000h、10= 10mA. f =50Hz. VR = VRWM 见表4的步骤1、2和3表4B组和C试GB 6571 符号方法条件最2. L 2 lF =10mA VF, 2. 1. 1 VR = VRWM I缸2. 1. 3 VR =OV CJ f =0. 5MHz 怡V. =50mV 一一一极包装要求应按GJB33的规定。 5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。-6一LTPD 15 10 15 15 =10 限值单位最大1 V O. 1 A 3 pF SJ 50033. 55 94 5. 3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现育设备的后勤保障用。6.2 订货文件内容合同或订单中应载明F列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3.1);C. 数量;d.卡j;志;e. 需要H、J-.且它要求。6. 3 时引ttl端忡料和涂民有特殊要求时，应在合同或订单中规定。6.4 i品!主|每额曲线P M(mW) 100 。60 150 因2一附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由济南半导体四厂和中国电子技术标准化研究所起草。本规也主要起草人:王启进、吕安良、于志贤。H划项目代号:1321020。TA (C) / 7
