1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 52146/1-96 GSll13型LED红色数码管详细规范Detail specification for type GS 1113 red LED numeric display 1996.08.30发布1997翩01翩01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业翠用标准1 范围1. 1 主题内容GSll13挝LED红色数码管详细规范Detail specification for type GSl113 red LED numeric display 本规范规患了GSl113型LED红色数码管的详细要求。1. 2
2、适用部围创52146/196本规施适用于军用GSI113型LED红色数码管(以下简林器件)的研制、生产和采购。1. 3 分费按GJB2146(发光二极管固体显示器总规商的规定，器件的质量保证等级应为C级和D级。2 引用文件GJB 2146-94 发光二极管固体显示器总规范GJB 128 86 华辱体分立糯件试验方法GJB 548 88 微电子器件试验方法创2355-83 半导体发光器件测试方法3 要求3.1 详细要求各条要求按GJB2146和本规施的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结胸按GJB2146的3.4和本规班的规定。外形结构及外形尺寸如阁1所示，电路因如图2所乐。3.2.
3、1 半导体芯片材料芯片材料为磷化镰03.2.2 外形尺寸.引出端排列外形尺寸及引出端排列如图1所示。中华人民典和国电子工业部1996-08-30发布1997-01-01实施时52146/1由962 ;1. 5 l 单位:mm. 数值之数值最栋称最大最标称最大D 18.86 19 19 M 15.105 15.24 15.375 Dl 12.64 12.7 12.76 L 14 14 15 E 12.58 12.7 12.7 Al 7.9 8 8 El 7.15 7.2 7.25 A2 6.9 7 8 e 2.47 2.54 2.61 如0.44 。50.5 因1外形尺寸3.2.3 电路即电路阁
4、如阁2所示。tttttttt 材料ttt千回23.2.4 封装形式辈才辑形式为塑料反射腔环氧树脂非空腔封挠。3.2.5 sl钱长度可按合同的规定(见本规范6.2)提供引线长度不同于本规范阁1规定的器件。3.3 引绒材料和镀恩引线材料为铜包钢丝或铜丝，镀鹿为锡或银03.4 最大额定值和i:要光电特性3.4.1 最大概定僚(除另有规定，Tamb =25t) - 2 时52146/196Ip(企亮)VR(每段和点)Po(金亮)mA v mW 啕160 6 400 3.4.2 主要光电特性(T.mb=25C) 参敷名称符号条件发光强度Iv IF= 10mA(每段/点)光强度比YD IF口10mA(每段
5、)正向电压VF IF= 10mA(每段和点)民向电流IR VR黑6V(每段和点)峰值发射榄怯).p IF黯10mA(每段和点)电睿Ct VR出of= lMHz(每段和点)3.5 标志器件上的标志按GJB2146的3.5.1和下列规定a. 器件编号:b. 承制方识别记号或商标;C. 检验批识别代码。4 服量保证规定4.1 抽样和检验抽样和检验按GJB2146和本规班的规定。4.2 筛选(仅对C级器件)筛施按GJB2146和本规部(见我1)的规定4.3 鉴定检验Tunb 件40-85数最小值0.4/0.2 650 鉴定检验按GJB2146和本规施(见亵2、亵3、表的的规定。4.4 质靡一致性检验T
6、 耐 -40-100 值单位最大值mcd 1. 5 2.5 v 10 A 710 nm 100 pF 质量一致性检验按A组(见我2)、B组(见表3)、和C组(见表4)的要求进行。每批都应进行A姐和B组检验，并按下面的规定。4.4.1 如果承制方选择下面的方法做试验，应在做日组试验之前，指定C组检验中使用的样品，而且计算C组检验接收戒指收的失效器件数应等于B细检验中指定继续做C组检验的样品中出辄的失效器件数加上C组检验中出现的失效器件数。a. 如果选择进行了B组检验的一个检验批继续进行C组检验，那么340h寿命试验可以继续到1000h为止，以满足C组寿命试跄要求。在这种情况下，340h的最后测试
7、结果可作为B细检验的接收判据，或者把1000h的最后测试作为B组和C组检验的接收判掘。b. 在做C组检验的温度循环试验时，承制方有权选择已经过日组10次循环的全部样品或部分样品再进行15次循环，以满足C组25次循环的要求。4.4.2 C组检验应在初始批时开始进行，然后在生产过程中每隔6个月进行一次。创52146/1-964.4.3 如果合同中巳做规定(见本规范6.2)，那么承制方应将质量一致性检验数据连同产品一起提供。4.5 检验和试验方法检验和试验方法在税2、表3、我4、我5中给出。我1筛选步骗和条件(仅对C级器件)数值序号幢瞌或试瞌方端条件符号单位最最大内部目检GJ日128放大30俯检验一
8、一一(封提前)2072 2 商也寿命GJB 128 T=l 一一一(非工作)1032 t=72h 3 烟皮循环GJB 128 除最高温度T=loot 一一1051 最低温度T=-40t 循环次数10外其余按试磁条件AF 4 中间光电参数测试发光强度本规范IF嚣10mA(每段/点)I可0.4/0.2 mcd 附录A正向电压SJ 2355.2 IF=10mA(每段和点)VF 2.5 V 反向电流SJ 2355.3 VR嚣6V(每段和点)IR 10 A 5 者化GJB 548 IF= 160mA(金亮)一 一1015 不如氓t = 96h 6 最后测试(老化后24h内究成)(.)发光强度本规施IF=
9、 10mA(每段和点)t:.Iv 币20%IVDmcd 附录A(.)正向电压SJ 2355.2 IF据10mA(每段和点)6 VF 士50mV ( 6)反向电流SJ 2355.3 VR白6V(每段和点)t:.IR 士100%lVDA 7 外观及机械GJB 548 一一无裂雄;无形变i发光团一检验2009 国-圄-无气梅、无悔物。 4 制52146/196我2A组检验条件数值检磁就试验符号方捷T酬b=25t单位LTPD 最最大Al分组5 直流电测试正向电ffiVF 部2355.2IF出10mA(每段和点)2.5 v 反向电流IR 匈2355.3VR坦6V(每段和点)10 且AA2 7 商温军械电
10、测试T amb=85t 反向电流IR 匈2355.3VR=6V(每段和点)100 A A3分组7 低翻直流电测试T amb=叩40t正向电服VF 匈2355.2IF出10mA(锦段和点)2.8 v A4分组7 动态电测试电容C10t 回2355.4VR=O, j=IMHz 100 pF (每段和点)A7分组7 光学性能测试发光强度Iv 本规范附录AIF= 10mA(每段/点)0.4/0.2 rncd J光强度比1)YD 本规施附录AIF= 10mA(每段)1. 5 峰值发射披怯p 匈2355.7IF坦10时(每段和点)650 700 nrn A8分组无裂拭;无变形;7 外部自栋GJB 548
11、29 发光阳光气泡、无污物性:1)发光强度比的测试小数点除外。表3日组检验GJB 128 LTPD 检验或试验就方法条件n(c) Bl分组4(0) 标志耐久性1022 步醺am分组15 可焊性2026 -m分组15 翻皮循环1051 商温T=100t，低温T=-40t，循环次数10次外，其余按试瞌条件A一5创52146/1四续表3GJB 128 LTPD 榆跪或试瞌就方法 件n(c) 抗潮搜1021 省略初始条件最后光电测试见我5步骤1B4分组10 稳工作寿命1027 1,= 160mA(金亮)，t = 340h 最后光电测试见囊5步骤1时分组10 高温寿命1032 T创出100t，t = 3
12、40h (非工作)最后光电测试见亵5步黯l表4C组检验LTPD 枪跄或试瞌方法条件就n(C) Cl分组2(0) 物理尺寸GJB 128 见本规抱回12066 口分组15 引蜻牢固性GJB 548 试验条件A拉力2004 c4分组k出10稳工作寿命GJB 128 IF嚣160mA(金亮)，t = 1000h. 1026 最后光电测试见费5步骤2C5分组20 温度椭环GJB 128 除高温T=lt，低植T=-40t外，1051 其余按试验条件A-IQ最脂光电测试见褒5步黯2 6 时52146/1叩96表5日组和C组的测试数值步跚检黯方捺条件符号单位最最大正向电压白2355.2IF需10mA(每段和
13、点)VF 2.5 v 反向电流匈2355.3VR出6V(每段和点)IR 10 A 发光强度本规葡附最AIF= 10mA(部段/点)Iv 0.4/0.2 mcd 21) IE向电压时2355.2IF= 10mA(每段和点)VF 2.75 v 反向电榄町2355.3VR坦6V(部段和点)IR 20 A 发光强度本规施附录AIF需10mA(每段/点)lv 0.32/0.16 mcd 按:1)对本试磁超过A组极限值的辘件不能向用户提供。5 货货准备5.1 包糙要求产品应有专用的包糕愈(箱)，并有防震保护。愈(箱)内装有产品说明书，合格证，包装盘(箱)上应有封接并注明t也承市j方名称、商标;b. 产品型
14、号;C. 保证等级标志和批识别标志:d. 检验日期、重检日期和检瞌员印章; 包装日;朗和包装印章。5.2 单元包装上规定的栋志单元包装上标志按GJB2146的3.5.206 说明事项6.1 预定用途主要用于各种军事仪器设备中作数字显示，也可在其它各种民用电子仪器设备中作数字显示。6.2 订货文件内容也器件型号;b. 总规范和本详细规范编号:C. 如果不同于本规范的规定或用户有其官要求时，应写明引线妖皮、材料和镀层;d. 数据要求(见4.4.3)。6.3 定义和符号本规范参数符号的定义符合GJB2146附录C的规定并采用下列规定:一-YD:发光强度比;一IVD:单个器件的初始值。一7A1 发光强
15、度lv测试方法A1. 1 定义SJ 52146/1-96 附录A擞码管lv、YD测试方法(补充件)在规定工作条件下，数码管发光段法线方向幅射出的发光强度。A1. 2 测试原理图测试原理因如阁Al中所示:D 因Al其中D:数码管发光段平面与光强测试仪接收丽的距离L:数码管发光段妖皮A1. 3 测试步蝶i光强测试仪a. 将被测数码管句发光强度测试仪罐子晴箱内，并使L/D1/10:b. 调节数码管位置，使被测发光段中心与光强测试仪接收田中心置于同轴线上;C. 接通测试电嘛，施加规定的工作条件使被测发光段发光，并记录光强测试仪读数;d. 重复上油步牒，邂次测试数码管各段发光强度。A2 发光强度比YD测试方法A2.1 定义:在规定条件下，半导体发光数码管备发光段中发光强度最大的发光段光强值Ivmax与发光强度最小的发光段光强值Ivmin之比。A2.2 测试原理阁测试原理图如图Al中所示A2 .3 测试步骤一8一臼52146/1甲96按A1.3遂次测试数码管各段发光强度，找出发光强度最大的发光段光强值Ivmax和发光强度最小的发光段光强值Ivmin.并按下面公式计算数码管发光强度比。YD江Ivmax段)/Ivmin(段)附加说明:本规范由中因电子技术标准化研究所归口。本规拖出苏州半导体总厂负责起草。本规范主要起草人:严娟娟陈锡萍。计划项目代号:B41016o9一
