1、中华人民共和国国家标准电光晶体锦酸理、磷酸二氢铮和磷酸二氟铮消光比的测量方法GB 11 2 9 7 . 1 2 - 8 9 Test method for extinction ratio of LN , KDP and KD P electrooptic crystal 本标准规定了用波长为632.8 nm的光波，沿镜酸鲤、磷酸二氢梆和磷酸二筑饵晶体光轴方向消光比的测量方法。本方法适用于测量10000011的消光比b1 名词术语本标准所用名词术语的定义符号符合GB11293固体激光材料名词术语。2 测量原理一束波长为632.8 nm的光波沿被测晶体光轴方向透过一个置于正交偏光系统中被测晶体时
2、，以光轴为轴旋转晶体，取透射光强为最小值Jmin。然后转动检偏器成平行偏光系统，测量透射光强的最大值/max。光强max和min的比值定义为被测晶体的消光比E.礼。如式（1）所示：E. R = 盟”.”.( 1 ) min 3 测量装置与测量条件消光比测量装置由如图1所示的元件和仪器组成。1 2 3 4 5 6 7 一8 图11一氮氛激光光源12一扩柬平行光管；3可调光栏，4起偏器；5被测晶体；6一检偏器，7一光电接收元件18一显示仪器3. 1 氮氧激光光源z单横模；光摞功率波动应小于或等于1%；发散度应小于或等于3mrad。3.2 起偏器和检偏器：偏振度应大于或等于99.9%，检偏器的转角精
3、度为5。3. 3 光电接收元件：硅光电池或其他光电接收元件。要求元件在线性区工作。3. 4 显示仪器：用o.1级的微伏表或徽安表，或其他同等精度的仪表。中华人民共和国机械电子工业部1988-10-09批准1990-0个01实施GB 1 1 2 9 7. 1 2 - 8 9 3. 5 载物台：有转动角度的微调机构。3.6 被测晶体的折射率温度系数将影响消光比的测试精度。规定测量环境温度变化应小于士IC。3. 7 通光孔径的大小极大地影响测量数据。规定测量光束通光孔径为1mm。3.8 被测晶体的定向和光加工精度会影响消光比的测量精度，规定：3.8. 1 被测晶体的光轴与通光面垂直度的偏差应小于2。
4、3. 8.2 被测晶体两端面的不平行度应小于30”。3. 8. 3 被测晶体两端面的平面度应优于四分之一光圈。3, 8.4 被测晶体两端面的光洁度应优于BIII级（GB1185中的B级）。4 测量步骤4, 1 开启氮氧激光光惊。为保证测量稳定，预热1530min。4.2 每次进行测量之前须对系统消光比校准，以保证达到测量系统的精度。4. 2. 1 系统中不放被测晶体，将系统调成正交偏光系统，测量Jmin ；然后调成平行偏光系统，测量max。利用式（1）可以得到系统消光比。4.2.2 若测量系统消光比低于100000: 1，需调整和检查各元件，使测量系统达到系统消光比的要求。4,3 清洗被测晶体
5、的通光面。4.4 将被测晶体放在载物台的夹具上，须避免任何引起晶体受应力的因素。4,5 将被测晶体放在光路中预置30min，使晶体与环境温度相同。4.6 调节各元件，使之与测量光束同轴，至使晶体光轴与光束同轴。4, 7 以光轴为轴旋转晶体，测出晶体的正交偏光系统中透过光强的最小值Jmin o 4.8 转动检偏器，使测量系统成平行偏光系统，测量透射光强的最大值max。4,9 将Jmax和Jmin代入式（1），求出被测晶体的消光比。5 测量精度本方法的测量精度为土5%。6 测量报告内容6. 1 操作者姓名。6.2 测试日期。6.3 被测晶体编号和尺寸。6.4 测量环境温度。6.5 测量光束直径。6.6 测量系统消光比。6. 7 被测晶体消光比。附加说明：本标准由机械电子工业部第十一研究所和山东大学晶体所负责起草。本标准主要起草人张培河、邵宗书。
