1、中。中华人民共和国国家标准半导体集成电路外壳空白详细规范Blank detail specification of packages for semiconductor integrated circuits UDC 621. 3. 049. 774-758 L 55 GB 11493-89 本规范规定了编制半导体集成电路外壳(以下简称外壳)详细规洒的基本原则。本规酒是与国家标准GB6649(半导体集成电路外壳总规范有关的空白详细规范。要求的资料下列项要求的内容与后面表中各栏要求的资料相对脏，编制详细规施时应填写在相应的栏详细规范的识别 发布详细规洒的国家标准化机构名称。 空白详细规琐的国家编
2、号。 总规拖编号。 详细规班的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的资料。外壳的识别 外壳类型。 典型结构和应用资料。如果设计的外壳是多用途的(如带散热器)，应在详细规范中说明。主要材料的规格、型号、规泡值和检验要求应在详细规抱中性明。封盖(帽J方法应在详细规乎在中说明。 外壳结构图，零件图和(或)与外形结构有关的参考文件。 质量评定类别。 能在各类外壳之间进行比较的最3重要要的性能参考数据。本规雨中，方括号所列内容仅供指导编制详细规泡用，而不将原文写进详细规范中J本规范中，x表示当特性或额定值适用时，应在详细规施中填写的值。中华人民共和国机械电子工业部1989-03-21批准1990-03-
3、01实施GB 11493 89 国家代表机构(NAD或者可提供规范的团体名称空白详细规范的回家栋准)评定外壳质量的依据:详细规范的国家编号GB 6649(半导体集成电路外壳总规施 外壳类型、名称详细规拖订货资料:见本标准第7 1 机械说明 2 筒哥说明 外形依据:主要材料:GB 7092(半导体集成电路外形尺寸名称、规楠、型(牌)号.在详细规范中给结构阁、零件阁;出可在本规班第4章给出详细资料散热器:引出端识别标志:如有加散热器品种，在详细规范中说按GB7092第2章规定，在本规范第4章结掏图明中给出封盏(帽)方法:外壳表瞄镀涂:在详细规范中说明按外壳表固镀底要求填写镀种3 质量评定提别按GB
4、6649第2.5条 参考数据 GB 11493-89 4 外壳结构与尺寸4.1 C按芯腔大小，结构形式给出系列编号。4.2 C按不间的结构特征，分别绘制结构阁、零件图、给图方法符合GB44574458机械制图的规定，公差除图表中注明外，如无其他规定，均按GB1804(公楚与配合未油公撞尺寸的极限偏提)IT13精度计算。4.3 尺寸按相应的封装结构填写尺寸规范值，并可增加其它内容。检验项目的分组曲详细规范确定。尺寸符号(按GB7092) 含义D F A 底面到外壳顶丽的距离 Al 底商到慕丽的距离 如端子L置的困直径b、b1引线宽度 b1、bz、b3号|镜直在C 号|线厚度 D 封装长度 D、D
5、1封装直径t 号|线的问距 e1 跨度 GE 封装宽度 H E 总宽 L 引线长度 U1、U2基脏的长度和宽度。引线角距离 z 封装突出部分 引出端识别标志位置 底鹿和鼓板、内脏尺寸 内引线焊点长度和粗糙度 外引绒肩头宽度 底鹿和盖极宽度、厚度和平面度 5 外观5.1 外壳结构的完整性和装配的准确性。5.2 外先基体和镀层的颜色、光泽、致密性和均匀性。5. 3 外亮金属引线表面上的划伤、凹坑、凸超、扭曲、纹向和毛刺等。5.4 外壳金属(金腾化)服焊端困的卒面皮、粗糙度和缺陷。5.5 外壳芯片放置区的平面度、粗糙皮、凸出物和异物等。各类外壳尺寸规施值H 5.6 外壳金属基座、焊环、盖板(管峭)的
6、缺边、缺角、起皱、凹坑、凸起、断提和划伤。5. 7 外壳陶器材料上气泡、斑点、翅状物、凹陷、白租、缺损、裂痕和污班。丁K GB 11493一89外壳封装玻璃材料的气池、空洞、麻坑、裂纹、凸起、杂质和污迹。详细规?在应按照外壳的特点分别列出具体要求和规定并可增加其他内容。6 电特性规部值条款号特性和条件岛生位试验最小值最大值A3 绝缘电阻B2c 6. 1 。B5b 试验电压c规定C5b C7 6.2 寻|线电阻 。A3 7 订货资料若无其他规定，订购外壳时至少需要下列资料。a. 外壳的外形代号;b. 详细规蔽的回家编号;C. 质量评定类别及要求时的筛选顺序;d. 绝缘电阻、高温者炼温度、熔封玻璃
7、温度或其他特殊要求。8 试验条件和检验要求编制详细规范时，应按给定外壳型号和有关标准的适用试验要求，将采用的数值和适当的试验条件在下列表中给出。两者捧一的试验或试验方法应选取一种。当同一详细规范选用于几种外亮时，有关的条件和(或)数值应依次连续列出，以避免相同条件和(或)数值的重复。C抽样要求:根据采用的质量评定类别，参考成采用GB6649第3.4.2条规定的数值。CA组应在详细规范中埠定AQL戚L丁PD抽样方案。筛选:详细规戒应给出E类外壳的筛选顺序、项目和条件。若无其他规定，本章各表中引用的条款指GB6649的有关条款。A组一邂批所有试验均为非破坏性的(见GB6649第3.4.6条)条件检
8、验或试验引用条款若无其他规定Tamb口25C(见G日6649第4章)A1分组外观检验5.1 按相应的封装结构给定A3分组电特性6 按相应的封装结构给定检验要求规植值符合要求达到规范值GB 11493-89 B姐一一逐批标有(0)的试验为试验破坏性的(见GB6649第3.4.6条条件检验要求检验或试验引用条款若无其他规定T.mb=250C(见GB6649第4章)规范值B1分细5.2 按主要外形尺寸列出符合阔纸要求尺寸B2c分组6. 1 按6.1按详细规范规定绝缘电阻(0)圳分组7.1; 7.2 按7.1或7.2按7.1或7.2规定引线强度(0)时分组按7.12，方法b(槽焊法)浸润良好可焊性(0
9、)7.12 B5a分组7.13 按7.13按详细规范规定密封(0)B5b分组温度快速变化7.7 严格度0(-55十1250C)然后进行加速潮热7.9 循环次数:10再进行外观、绝嫁电阻和5.1 , 6.1 严格度C(4次)按详细规范规定密封检验(0)和7.13B30分组7.11 按7.11按详细规施规定高温老炼的1a分组按GB4590半导体集成电路机械键合强度7.6 和气候试验方法)2.11.2方法2按详细规范规定(压焊点)(0) B31b分组键合强度7.6 按GB4590 , 2.11.4 方法4按详细规范规定(芯片)(0) 的1c分组键合强度7.6 按GB4590 ,2.11. 4 方法4
10、按详细规施规定(挝接环与盖)(0) CRRL分组就日1、B2c、B3、B4、B5a，B5b、B30、B31a、B31b和B31c各分组提供计数幢放行批证明记录查结果GB 11493-89 C姐一邂批桥有(0)的试险为破坏性的(见GB6649第3.4.6条)条件检瞌或试验引用条款若无其他规定T时口25C(见GB6649第4章)C1分组5.2 B1分组中未检的所有尺寸尺寸C3分组7. 1, 7.2 按7.1或7.2引线强度(口)C5b分组7.7 温度快速变化严格度0(-55-十125C)然厨进行加速潮热7.9 循环次数:10再进行外观、绝缘电阻5.1 , 6.1 严格度。(6次)和密封检验(0)和
11、7.13C6分组稳态加班度7.5 按7.5然后进行外观和带封检验(0)5.1 , 7.13 C7分组稳恋棍热7.10 严格度:1樊为21d然后进行I 、E类为56d绝缘电阻和外观检验(0)6.1 , 5.1 C30分组7.11 按7.11高温老炼C31a分组键合强度(压焊点)(D)7.6 按GB4590 , 2. 11. 2 方法2C31b分组键合强度7.6 按GB4590 ,2.11.4 方法4(芯片)(0)C31c分组键合强度7.6 按GB4590 , 2.11.4 方法4(封接环匀蘸)(0) 检验要求规范值符合图纸要求按7.1，7.2规定按详细规施规定按详细规施规定随4d时不应有锈斑，试验结束尉，按详细规部规定按详细规施规定按详细规范规定按详细规施规定按详细规戒规定CRRL分组就C1、C3、C5b、C6、C7、C30、C31a、C31b和C31c各分组提供计数检毅结放行批证明记承果GB 11493 89 9 附加资料不用于检验当外菇规范规定和使用必需时，才提供附加资料。例如:低熔玻璃的电性能和物理性能、熔封玻璃的植度分布曲线、外壳的特殊接地结构等。附加说明:本标准由全国集成电路标准化分技术整员会提出。本标准由全国集成电路标准化技术委员会封糙工作组制订。本标准主要起草人叶曾达、玉先春、陈褂棍。
