1、ICS33 18099M 33中华人民 共禾口Y口国通信行业标准YD，T 1 6871-2007YM 1 6872-2007光通信用高速半导体激光器组件技术条件2007-09-29发布(第1部分至第2部分)2008-01-01实施中华人民共和国信息产业部发布ICS 33180 99M 33Y口中华人民共和国通信行业标准YD厂r1 6872-2007光通信用高速半导体激光器组件技术条件第2部分：25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件Technical Requirements of High Speed Semiconductor LaserAssembly for Optical Fi
2、ber CommunicationPart 2：25Gbits Uncooled Direct Modulation Semiconductor LaserAssembly20070929发布 20080101实施中华人民共和国信息产业部发布目 次YD厂r 16872-2007前言II1范围12规范性引用文件13术语、定义、缩略语及符号14分类45技术要求46测试方法57可靠性试验分类和试验方法78产品检验方法89产品管理和包装、运输、存贮要求9附录A(资料性附录)SDH光传输系统中的应用代码10附录B(资料性附录)CWDM光传输系统中心波长、色散容限及应用代码11附录C(资料性附录)结构、封
3、装尺寸及管脚定义13日U 蟊YD厂r 1 6872-2007光通信用高速半导体激光器组件技术条件分为如下两部分：第1部分：25Gbits致冷型直接调制半导体激光器组件；第2部分：25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件。本部分为光通信用高速半导体激光器组件技术条件的第2部分。本部分第7章参考MILSTD883F(2004)微电子器件试验方法标准、Telcordia GR468CORE(2004)用于通信设备中的光电子器件的一般可靠性保证要求、Telcordia GR-326CORE单模光纤连接器和光纤跳线的一般要求。本部分的附录A参考rrU-T G957sDH系统和设备的光接口。本部分还
4、参考了以下标准：YDT 7011993半导体激光二极管组件测试方法：YDT 8341996 分布反馈激光二极管检测方法；YDT 111122001 SDH光发送，光接收模块技术要求一2488320Gbits光发送模块；YDT 1351-2005粗波分复用光收发合一模块技术要求和测试方法。本部分的附录A、附录B、附录c为资料性附录。本部分由中国通信标准化协会提出并归口。本部分起草单位：中兴通讯股份有限公司、武汉邮电科学研究院、信息产业部电信研究院本部分主要起草人：张立昆、张红字、葛超、许昌武、赵文玉、余向红YD厂r 16872-2007光通信用高速半导体激光器组件技术条件第2部分：25Gbits
5、无致冷型直接调制半导体激光器组件1 范围本部分规范了25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件的技术要求和测试方法，包括相关术语、定义、分类、技术要求、测试方法、可靠性试验分类和试验方法、产品检验和产品管理等。本部分适用于高速光纤通信系统中所采用的1 310nm和l 550nm波段(包括CWDM波段)的25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件，其他波长的25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件可参照执行。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分。然而，鼓励根据本部分达
6、成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。GBT 1762621998 电磁兼容试验与测量技术静电放电抗扰度试验GBfr 1762631998 电磁兼容试验与测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验GBT 1762641998 电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验GBT 17625，61999 电磁兼容试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度GBT 28292002 周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验)YDFf 70193 半导体激光二极管组件测试方法YDfr 8341996 分布反馈激光二极管检测方法YDT I 1 1
7、1,2-2001 SDH 光发送，光接收模块技术要求2488320Gbi协光发送模块YDfr 13512005 粗波分复用光收发合模块技术要求和测试方法ITuT G652(2000) 单模光纤光缆的特性rru-T G6942(2002) 粗波分复用系统光源频率问隔u。T G957 SDH系统和设备的光接口MIL-STD一883F(2004) 微电子器件试验方法标准Telcordia GR326一CORE 单模光纤连接器和光纤跳线的一般要求。Telcordia GR一468一CORE(2004)用于通信设备中的光电子器件的一般可靠性保证要求3术语、定义、缩略语及符号3 1缩略语下列缩略语适用于本
8、部分：APC Automatic Power Control 自动功率控制BER Bit Error Rate 比特差错率1YD厂r 1 68722007BOL Beginning ofLife 寿命开始CW Laser Continuous Wavelength Laser 连续波激光器DFB Laser Distributed Feedback Laser 分布反馈式激光器CWDM Coarse Wavelength Division Multiplexing 粗波分复用DP Dispersion Penalty 色散代价DML Directed Modulation Laser 直接调制
9、激光器DWDM Dense Wavelength Division Multiplexing 密集波分复用EOL End ofLife 寿命终结ESD Electro-static Discharge 静电放电EX Extinction Ratio 消光比FEC Forward Error Correction 前向纠错FP Fabry Perot 法布里一珀罗LD Laser Diode 激光二极管MTBF MeanTimeBetweenFailure 平均故障间隔时间NRZ Non Return to Zero 非归零码OTN Optical Transport Network 光传送网P
10、D Photo Diode 光电探测二极管PRBS Pseudorandom Binary Sequence 伪随机二进制序列RF Radio Frequency 射频R1N Relative Intensity Noise 相对强度噪声SDH Synchronous Digital Hierarchy 同步数字体系SLM Single Longitude Mode 单纵模SMSR Side Mode Suppression Ratio 边模抑制比TE Tracking Error 跟踪误差VECSEL Vertical External Cavity Surface Emitting Las
11、er垂直腔表面发射激光器32参数符号及中英文名称25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件是典型的电光转换器件，本部分涉及的光电性能参数符号及中英文名称见表1。表1参数符号及中英文名称参数符号 英文名称 中文名称 Storage Temperature 贮存温度您 Operating CaseTemperature 管壳温度，血 Threshold Current 阀值电流只垤 Modulated Opdcal Output Power from Fiber End 输出平均光功率吼 LaserForwardVoltage 正向电压h Laser Forward Corrent 正向电流
12、Laser Reverse Voltage 反向电压，d Photodiode Mortitor Dark Current 背光监测二极管暗电流2表1(续)YD厂r 16872-2007参数符号 英文名称 中文名称no Photodiode Monitor Current 背光监测二极管监测电流Vao Photodiode Reverse Voltage 背光监测二极管反向电压 Photodiode Reverse(mnt 背光监测二极管反向电流ct CapacitorofPD 背光监测二极管等效电容五 Cut off frequency 截止频率足 Thermistor Resistanee
13、 热敏电阻，mod I，aser Modulation Curtent 调制电流岛。 LaseF Bias Cllrrent 偏置电流k LaserEmissionCentralSpectralWavelength 发射中心波长k CenterWavelengthDriftwithCaseTemperature 中心波长温漂系数kod Spectral Width with Modulation 光谱宽度Root Mean Square srectral Width 均方根谱竟S Side Mode Suppression Ratio 边模抑制比是 Slope Efficiency PI曲线斜
14、率ttf RiseFall Time 上升下降时间瓦 Input Iml3edance 输入阻抗，s Optical Isolation 光隔离度口 B constantofR血 热敏电阻B参数犯 Tracking Enor 跟踪误差33术语和定义下列术语和定义以及YDT 7011993、YDT 8341996、yD,rf 111122001及YDT 1351-2005中确立的相关术语和定义均适用于本部分。331啁瞅参数chirp parameter单纵模激光器(如MQWDFB-LD)由于在高速调制时电流急剧变化，将导致激光器有源层中的载流子浓度急剧变化和激光器腔长变化，从而产生激光器发射波长
15、的瞬时动态偏移。这种波长的瞬时动态偏移(亦即频率瞬时动态偏移)称为频率啁啾。频率啁嗽可用啁啾园子来衡量，其定义为：口=(d咖dt)，【(12P)(dPIdt)】这里西为光信号的相位，P为光功率。正啁啾参数相应于脉冲上升边的正频率漂移(蓝移)，而负啁啾参数相应于脉冲下降边的负频率漂移(红移)。332截止频率cut off frequency给半导体激光器组件施加直流偏置电流，并叠加交流正弦调制电流。保持交流调制电流恒定，增加调制频率，直到交流输出信号幅度下降3dB，此时所对应的频率为截止频率。3YD厂r 1 6872-20074分类25Gbffs无致冷型直接调制半导体激光器组件有以下几种分类方式
16、：根据激光器内部结构不同分为FP激光器组件、DFB激光器组件、VECSEL激光器组件；根据封装结构不同分为同轴型(coaxial)和小型化蝶形(minidil)；根据输出光波长不同分为1 310rim，1 550rim以及CWDM特定波长(参见附录A、B)；根据在SDH和CWDM光传输系统中传输距离有不同的应用代码(参见附录A、B)。5技术要求51极限工作条件25Gbiffs无致冷型直接调制半导体激光器组件在任何时候、任何情况下均不能超过极限工作条件，超过极限工作条件将可能导致瞬间失效或永久损坏。表2列出了极限工作条件。表2极限工作条件参数 符号 测试条件 最小值 最大值 单位贮存温度 瓦 一
17、40 +85 管壳温度 一20 +80 正向电流 ，凡 CW 150 mA反向电压 VRL CW +2 V背光监测二极管反向电流 1 mA背光监测二极管反向偏压 +10 V工作环境相对湿度 RHop 10 95贮存环境相对湿度 足 lO 9552参数要求25Gbiffs无致冷型直接调制半导体激光器组件的参数要求见表3。表3参数要求参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位CW，7每125 lO 25阈值电流 k mACW，珏=一柏+85 50平均输出光功率 Pn| 248832GbiffsPRBS2一1，NRZ 1 dBmCW，le=lth+20mA 0 3 4连续波输出光功率Pf d
18、BmCW，If=lm+20mA，Tc=-40C+85C 一2 6CW，竹=2roW，砭=+25 35 55正向电流 硫 mACW，APC，Tc=+85C 60 110CW，n=2mW，Tc=+25 +12 +15正向电压 吼VCWt&PC，：re=+85 +16 +18cw，F=tolth+20mA，耻+25 005 0125 mWm电光转换斜率足CW。扛=to+20mA，Tc=-40C+85 O03 0200 A调制电流 ，皿0d ZX82dB，DPdB 75 mA1 290 1 310 1 330中心波长8如 CW，APC1 530 1 550 1 5704表3(续)Y昕1 6872-20
19、07参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位中心波长温漂系数5 如 CW。APC O1 0，12 nm边模抑制比。 肆 2 48832Gbits，PRBS 2231，NRZ 30 40 dB一20dB谱宽6 脚 2 48832GbiVs，2-31 PRBS NRZ 04 l均方撮谱宽。 248832Gbids，223一!PRBS NRZ 4截止频率 斥 3 0 GH2相对强度噪声 融N (：W，APC 145 130 dB，Hz消光比 船 248832GbitsPRBS 221，NRZ 82 dB跟图上升，下蜂对闻 t；t lO到90 0125 0f150输入阻抗 瓦 CW 25
20、n色散代价 DP 20 dB背光监测二极管电流 ，帅n CW，b：5 0V，Tc=25C n1 05 mA背光监测二极管培电流 毛 =50V 0l n背光监测二极管等效电容 cl hD=50V卢IMHz 10 PF注：a)用于CWDM系统的中心波长参照附录B。b)用ff-CWDM系统的中心波长偏移要求优于娟，5nm；对于FP激光器组件的中心波长温漂待研究，c)殁对DFB激光嚣组件有要求，其他类型的激光器组件不作要求，d)针对DFB激光器组件。e)针对FP激光器组件。f)参见附录表A153尾纤要求25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件的尾纤要求符合rruT G652(2000)标准。6测
21、试方法61正向电压诈L、正向电压诈。一正向电流瓴曲线的测试按照YDT 8341996中的41和47规定进行。62阈值电流lh、输出光功率P一正向电流FL曲线的测试按照YDFF 7011993中的3，3和34规定进行。63背光监测二极管监测电流“。n-一输出光功率P曲线的测试按照YDT 8341996中的49规定进行。64中心波长、谱宽、边模抑制比的测试按照YDT 834一t996中约4、13规定进行，65相对强度噪声RIN的测试按照YDT 7011993中的313规定进行。66啁啾参数的测试661测量框图啁啾参数测量框图如图l所示。SYD，T 1 6872-2007662测量步骤(a)按图1配
22、置，连接好线路；(b)开启电源，调节被测激光器组件功率到适当数值；(c)调节干涉仪，记录高速宽带示波器采集的数据；(d)根据采集的数据自动计算啁啾参数。67眼图、消光比的测试按照YDT 11112-2001中的65和66规定进行。68跟踪误差的测试按照YDT 7011993中的315的规定进行。69中心波长和输出平均光功率的温度变化测试691测量框图中心波长和输出平均光功率的温度变化测量框图如图2所示。号i一。：；：；一j i一-4。；：i：；：j：一J 温度循环箱 lj i一叫 光功串计 kJL一1一图2中心波长和输出平均光功率的温度变化测量框图692测量步骤(a)按图2配置，连接好线路；(
23、b)开启驱动电源，调节驱动电流到适当数值，加入脉冲图形发生器；(c)调节光谱分析仪，通入被测光，调节光可变衰减器到适当值，记录光谱信息和输出功率值(d)将被测组件放入温度循环箱中并设置相应温度值：(e)当设定温度稳定后，再次记录光谱信息和输出功率值；(f)比较两次测量数据，计算结果。67可靠性试验分类和试验方法717_2可靠-l生试验分类YD厂r 16872-2007可靠性试验项目分为机械完整性试验、耐久性试验、物理特性试验和电磁兼容试验。机械完整性试验、耐久性试验和特殊试验条件25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件可靠性试验见表4。表4可靠性试验样品8项目 试验 参考标准 条件 I胛
24、DSS C条件A：5次，轴N5009，机械冲击 MILSI T)一883F，Y法20024 20 11 01 0ms条件A：209机 2020002mZ20 11 0械 变频振动 MIL-STD883FTb-法200734min循环占兀 4个循环，轴向整 热冲击 MIL-STD883F方法10119 条件A：AT=100 20 11 O性可焊性 MIL-STD一8831=方法20038 不需要蒸汽老化 20 11 O05kg，lmin 20 11 0光纤拉力6 Telcordia GR326-CORE1kg，1min 20 11 0+7012，额定功率2000h 10加速老化 MIL-STD8
25、83F方法10047 5000h(高温) +85，额定功率2000h 255吣10高温贮存 Telcordia GR468CORE(2004) +852 20 11 O3321耐 relcordia GR468CoR(2004)40，72h 20 11 O久 低温贮存3321性40+85100次循环通过，失效420 11 0温度循环。 MILSTD883F)5-法1010 8 40+8520 11 0500次循环通过，失效。Telcordia GR468COR(2004) +85C，相对湿度85，湿热试验 20 11 O3323 500h耐湿 MILSTD883F方法1004 7 循环次数为2
26、0 20 11 O物 内部水汽含量 MIL-STD883FYY法10184 最大500010-6水汽 20 11 O理特性 ESD阕值 MIL-STD883FTY法30157 采用人体放电模型， 6 0最dx+500V注：a)LTPD(用表示)表示批容许不合格品率，ss表示最小可接收样品数，C表示允许的失效数。b)O 5kg、lmin是所有带涂敷层光纤、紧套光纤的光电子器件组件要求；lkg、lmln是所有松套光纤的光电子器件组件要求。c)如优先采用加电的温度循环，则不加电的试验可以不做。d)对应于中心局环境应用的半导体光电子器件。e)对应于非受控环境应用的半导体光电子器件7YD厂r 1 687
27、2-200773机械完整性试验、耐久性试验和物理特性试验方法25Gbiffs无致冷型直接调制半导体激光器组件的可靠性试验方法参照Telcordia GR-468-CORE(2004)、TelcordiaGR-326-CORE及M。S1D一883F(2004)相关项目进行。74机械完整性试验、耐久性试验和物理特性试验的失效判据机械完整性试验、耐久性试验和物理特性试验完成后，在相同测试条件下，出现下列故障现象中的任意一种情况即判定为不合格：(a)不能正常工作；(b)光电技术指标不符合表3要求：(c)外壳封装破裂或有裂纹、器件有错位。75电磁兼容试验25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件的电
28、磁兼容试验，可参考下列文件执行：GBT 1762622006电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验：GBtr 1762632006电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验；GBT 1762641998电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验；GBT 1762661998电磁兼容试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度。对于组件级无法进行的电磁兼容试验，可参考上述标准在光模块级实现。8产品检验方法8，1 出厂常规检验8，11光电指标测试所有出厂的组件在正常条件下，其测试指标应符合表3的要求。812高温老化试验在最大额定工作环境温度下，组件处于正常工作状态，老化时间至少应为24h。
29、老化后再测试指标，所有测试结果应符合表3的要求。8r2抽样检验批检验抽样方法按照GBT 28292002进行。821外观检查用目检检查产品外观。不合格判据：产品表面有明显划痕，或有污点，或产品标识不清晰，或产品标识不牢靠。822光电指标测试所有抽样的组件在额定条件下工作，其测试指标应符合表3的要求。8，3型式检验8，31型式检验条件组件有下列情况之一时，应进行型式检验：(a)产品定型时；(b)正式生产后，如结构、材料、工艺有较大改变，有可能影响产品性能时；(c)产品长期停产后，再恢复生产时；(d)出厂检验结果与鉴定时的型式检验结果有较大差别时；8YD厂r 1 68722007(e)国家质量脏督
30、机构提出型式检验的要求时。经受了型式检验的样品，一律不能作为合格品使用。型式检验方案与可靠性试验方案相同。832不合格晶判定型式检验的各项指标测试完成后，在相同测试条件下，出现以下任意一种情况，即判定为不合格：(a)不能正常工作；(b)光电参数测试结果不符合表3的参数要求；(c)外壳有裂纹，或有污点，或器件错位。9产品管理和包装、运输、存贮要求91产品管理911产品说明书产品说明书是产品使用的依据，应包括以下内容：(a)名称、型号；(b)正常工作条件和极限工作条件；(c)安装尺寸和管脚功能描述；(d)使用中的有关注意事项：(e)生产厂家。912产品标识由于产品质量保证要求和可溯性要求，在产品或
31、产品包装盒上必须贴有产品标识，其主要内容有：(a)激光安全醒目标识；(b)生产序列号、生产日期、质检员代码信息；(c)所获得认证通过的相关认证标识。92包装、运输和存贮25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件的包装应满足如下要求：(a)产品包装的基本要求，包装盒内有产品说明书和主要标识，尾纤在盘纤盒中盘好，不应随包装、运输而损坏，管脚要采取防静电措施加以保护；(b)包装盒具备防震、防压的要求；(c)包装盒上应有明显的静电防护标识和激光器辐射等级标识：(d)应存贮于通风干燥(相对湿度小于80)、洁净和温度适宜(040C)的环境中。9YD厂r 1 6872-2007附录A(资料性附录)SDH
32、光传输系统中的应用代码25Gbits无致冷型直接调制半导体激光器组件主要应用于SDH光传输系统的光发射模块或光收发合一模块中。在SDH光传输系统中，通常使用的标称中心波长为1 310rim和1 550rim，rrU-T G957标准定义了在SDH系统中的应用代码以及光接口参数，如表A1所示。表A1 SDH光传输系统应用代码应用代码 单位 I16 S-161 S162 I，16l L-162 L13光纤类型 G652 Q652 G652 G652 G652 G653目标距离 km 2 15 15 40 80 80光源标称波长 1310 1310 1550 1310 1550 1550平均发送 最
33、大值 dBm -3 0 0 +3 +3 +3光功率 最小值 dBm 10 5 5 -2 2 -2光谱特性 -20dB谱宽 不适用 1 1 1 1 l均方根谱宽 4 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用最小边模抑制比 dB 不适用 30 30 30 30 30最小消光比 dB 82 82 82 82 82 82最大色散容限 psnm 12 1 2001 600MPIS点回波损耗 dB 24 24 24 24 24 24在MPISMPIR之间最大光反射 dB 一27 一” 一27 27 -27 一”最差灵敏度 dBm 18 18 18 27 28 一”最小过载点 dBm 一3 0 0 9 9 9
34、接收机在R点的最大反射 dB 一27 27 27 一” -27 -27最大光通道代价 dB 1 1 1 1 2 1注：表示待研究10附录B(资料性附录)CWDM光传输系统中心波长、色散容限及应用代码YD厂r 16872-2007在250bitsCWDM光传输系统中，根据u-TG6942标准的要求，中心波长范围为1 271I 61lnm中心波长通道间隔为20nm，标称中心波长值参见表B1，常用s+c+L波段共8个波长。表B1粗波分复用系统常用中心波长值序号 标称中心波长(nm) 波段1 1 271O2 1 29103 l 31lIo 04 1 331O5 1 351O6 1 371O7 1 39
35、108 1 4110 E9 1 431010 1 451011 1 471 O12 l 491 0 S13 1 511 014 I 531 0C15 l 551016 1 571 017 1 591 0 L18 1 6II0由于CWDM系统工作波长的范围很广，不同通道的色散相差很大，不同通道的光发射器件的色散容限见表B2。表B2粗波分复用系统用激光器组件色散容限波长(nm) 单位 短距离(s) 长距离(L)1 611 1 000 1 700l 591 900 1 7001 571 900 1 600l 55I 900 l 500l 53l 800 1 500l 511 800 1 400l 4
36、91 700 1 3001 47t 700 I 200l 4511 271 待研究 待研究YD厂r 1 68722007CWDM光收发合一模块相应应用代码描述如下：嚣wyz一式中：n为应用代码所支持的最大通道数。为应用代码所支持的传输距离：S一短距离，支持最大40km的传输；L一远距离，支持最大80km的传输。用于支持其他通道数的系统应用衰耗值待研究。Y为应用代码支持的最高支路速率等级：0NRZ t25Gbits1一NRZ 25Gbi“s。z为应用代码所支持的光纤类型：2一C1652光纤；3一Cx653光纤；5一G655光纤。为光模块的发射中心波长，用标称中心波长的中间两位表示。如27一光发射
37、中心波长为l 2710nm。将来采用单纤双向的系统，可以在应用代码前加一个字母表示：BnWyz一B一双向应用。附录C(资料性附录)结构、封装尺寸及管脚定义25Gbiffs无致冷型直接调制半导体激光器组件有两种封装结构，一种是同轴封装，一种是小型化蝶形封装。这两种封装的组件内部集成有激光器、背向光监测二极管(PD)、光隔离器、光路耦合及准直装置，在小型化蝶形封装的结构里面一般还集成热敏电阻。图C1给出了同轴封装的结构示意图。图C1中(a)和(b)的结构略有差异，对应不同类型的同轴激光器组件，在同轴封装结构及管脚定义中详细说明。图C2给出了小型化蝶形封装的结构示意图。PIE)Anode LD Cs
38、thode PD Anode LD Cathode，+枣 j、Case。(a)PD Cathode LD Anode(b)、图C1 同轴封装结构示意图4 3 2 15 6 7 8图C2小型化蝶彩封装结构示意图同轴封装结构有以下几种封装方式：无固定方式的封装、VT型封装、Q型封装、KT型封装，参见图C3图C6。单位l mm4一45：三坩：二r1rP一。q ：一L。140 l一一一350图C3无固定方式封装一g，一一蛭量J3，4奄节2e2-$24O蚰圈C5 0型封装圈C6 I盯型封装同轴封装的激光器组件根据管脚的定义不同，分为TypeA、TypeB和Typec三种，表C，1表C3分别给出了管脚定义
39、。表C1 TypeA蕾脚定义管脚 管脚属性英文描述 管脚属性中文描述l LDAnode 激光器阳极2 LD Cathode 激光器阴极3 PD CWlode 光探测器阴极4 PDAnode 光搽弱器阳桎裹C2 TypeB管脚定义管脚 管脚属性英文描述 管脚属性中文描述、l LD AnodeCase 激光器阳极，管壳2 LDcathode 激光器朋撮3 PD Cathode 光探测器阴极4 PDAnode 光探测器阳极襄C3 TyC蕾嘲定义管脚 管脚属性英文描述 管脚属性中文描述1 Case 管壳2 LD Cathode 激光器阴极3 PDAnode 光探测器阳极4 LDAnodePI)Cath
40、ode 激光器阳极，光探测器阴极14三稚甭例=2二一8堕一YDI172-2007小型化蝶形封装结构的管脚l4滞蹬期|_58对称分布在激光器组件的两边，有两种安装方式，一种是插装，另一种是表贴。缬捌如图C7和圈c8所示。 一_詈【啦虱祜三三_田C7插装方式莩J l一。、1卜巾U雌舭_fl叫一f 一一一 f产3一一一一=J一毕一掣一一gh L一一。圈C8裹贴方式小型化蝶形封装结构的管脚定义见表C4。单位；m9单位-m表C4小型化蝶形封装结构管脚定义管脚 管脚属性英文描述 管脚属性中文描述1 Thermistor 热敏电阻2 Thermistor 热敏电阻3 LD Bias，Cathode 激光器偏置电流管脚4 PD Cathode 光探测器阴极5 PDAnode 光探测器阳极6 LDAnode 激光器阳极7 IJ)RF，Cathode 激光器调制信号输入(射频信号输入)8 LDAnode 激光器阳极16
