1、中华人民共和国国家标准硅片参考面结晶学取向X射线测量方法GB/T 13388 92 Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques 1 主题内容与适用范围本标准规定了用X射线技术测量硅片参考面结晶学取向的方法。本标准适用于硅片参考面结晶学取向与参考面规定取向之间角度偏差的测量c硅片ff径为50125 mm，参考团长度为lO50mm. 本标准不适用予硅片规定取向在与参考固和硅片表面相垂直的平面内的投影
2、与硅片表面法线之间夹角不小f30的硅片的测量。2 引用标准GB 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查J3 方法原理将束单色X射线射到晶体上，在符合布喇格(Bragg)定律2dsin8=n时便产生衍射e时X射线衍射仪测量来自硅片边缘-个晶面簇的衍射，通过洞l角仪读数计算平均角度偏差。4 测量仪器4.1 x射线衍射仪铜靶产生儿辐射，垂直狭缝，测角仪要有度和分的刻度，其精度为30/4.2 样品夹.n4. 2. 1 样品夹具装置见图1、图2、图3。国家技术监督局1992-02-19批准C)门1992-10-01实施GB/T 13388-92 i 2 3 1 l 问日图l样品央具(
3、正视图、锢视图)1 硅片参考面;2 某准档极;:3 砖片;4 真空吸盘，5 衍射仪中心轴(测角仪转动轴)图2样品夹具(顶视图)图3硅片参考丽和基准档饭l 基准档板;2 硅片参苇面嘈3硅只4. 2. 2 样品夹JCI.设计在满足如F要求4.2.2.1 样品夹具包括一个具有平坦表面的真空吸盘和-个与该干而著黄的基准档板。样品夹只与基准栏i板相配合的零件表面的平整度应小于10m。4.2.2.2 样品夹具固定在X射线衍射仪1:.其基准档板巾心线与X射线衍射仪中心转轴重合d4.2.2.3 样品夹具保证砖单晶片相对于X射线和测角仪唯刚性定11L5 试样5. 1 从-批硅单晶片中拨GB2828计数抽样方案或
4、商定的方案抽取试样。5. 2 试样参考而应平宜。6 测量步骤6. 1 选择衍射晶面簇硅片参考雨的规定取向和测量应选取的jfM品面簇及布喃j恪角见F表俨l 9 1 G/T 1338892 参考面规定取向衍射面布喇格角i数管价i-(h、k，l)h、磊、tl(两fT1布喇恪角-一-一一一一一一110 220 23010 4r20 211 422 4nl4 8808 100 400 34036 6912 一一一一一一一6.2 将X射线衍射仪的计数管定位，使入射线的延长线与计数管和衍射仪中心轴连线之间夹角等i二两倍布喇恪角，见图4.B 因4硅片边缘X射线衍射法的衍射几何学示意图1 样品夹具，2一硅片，3
5、计数管6. 3 将待测试样正面朝上放入样品夹具中，使其参考面与基准档板对准，用真空吸盘将试样吸位。6.4 转动测角仪，直到衍射强度达到最大。6. 5 记录测角仪上所指示的角度轨，读数精确Jl 6. 6 从样品夹具上取下试样，使正面朝下放入样品夹具中。重复6.36. 5条操作，记求第三个角度侦弘。6. 7 整个操作过程中要保证入射线，衍射晶面法线，衍射线和记数管窗口在同一平而内。1 测量结果计算平均角度偏差由式(1)计算:I， -21 =二式中:一一平均角度偏差，度，分;世1一测角仪上第一个角度读数，度，分，比一一测角仪上第二个角度读数，度，分。8精密度Z 本方法单个实验室测量二倍标准偏差为土Z.34 9试验报告9. 1 试验报告应包括以下内容za 试样编号，导电型号，参考面规定取l句:1!-l2 ( 1 ) GB/T 13388-92 b. 试样，平H比测量ll.a的计算值;c 测量仪器;d. 本标准编号: 测量单位和操作者$1 测量日期。附加说明:本标准由中国奇色金属工业总公司提出。本标准由北京有色金属研究总院负责起草。本标准主要起草人高H章。本标准等效采用ASTMF847(硅单晶片参考面结晶学取向X射线测量方法儿tjj
