1、ICS 0104017；2712001F 80 蝠园中华人民共和国国家标准GBT 290082-2008IEC 60050-394：2007电工术语 核仪器仪器、系统、设备和探测器Electrotechnical terminology Nuclear instrumentationInstruments，systems，equipment and detectors200806-18发布(IEC 60050394：2007，IDT)200905-0 1实施宰瞀徽紫瓣警矬瞥霎发布中国国家标准化管理委员会仅19GBT 290082-2008IEC 60050394：2007目 次前言- 1 范围
2、- 2规范性引用文件一3术语和定义-一31 辐射测量装置通用术语-32辐射测量仪器33信息的处理、存储和显示装置 34辐射探测器通用术语- 35 电离室36径迹室和火花室-37 闪烁探测器和发光探测器 38半导体辐射探测器及其元器件和特性-39计数管-31 0辐射探测器的元器什 311 辐射防护仪器注量、照射量、吸收剂量或剂量当量的测量仪和率表31 2污染或活度的测量设备或装置- -31 3 核反应堆运行和安全有关的系统、设备和装置31 4核反应堆报警、安全、保护系统和装置-31j 用于核反应堆的各种测量装置和设备- 31 7工业用辐射测量设备和装置-31 8辐射探测器的特性-一31 9辐射测
3、量装置的特性-一320与核仪表有关的试验、测量误差和各种参数 中文索引 一英文索引 -000000加坞坫M”加捣弘硒盯弘盯蚂刖 舌GBT 290082-2008IEC 60050394：2007本部分为GBT 2900的第82部分。本部分等同采用1EC 60050394：2007国际电工词汇第394部分核仪器仪器、系统、设备和探测器。本部分中术语条目编号与IEC 60050 394：2007保持一致。本部分由全国电工术语标准化技术委员会(SACTC 232)提出。本部分由全国电工术语标准化技术委员会和全国核仪器仪表标准化技术委员会共同归口。本部分起草单位：机械科学研究院中机生产力促进中心、核工
4、业标准化研究所。本部分主要起草人：杨芙、张京长、牛祝年、姬世平。GBT 290082-2008IEC 60050-394：2007电工术语核仪器仪器、系统、设备和探测器1范围本部分规定了核仪器技术领域用术语和定义。本部分适用于涉及核仪器仪器、系统、设备和探测器等科学技术领域。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件。其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分，然而鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。GBT 2900562008电工术语控制技术(idt I
5、EC 60050351：2006)GBT 2900652004电工术语照明(rood IEC 60050 845：1 987)GBT 2900662004 电工术语半导体器件和集成电路(idt IEC 60050521：2002)IEC 600501 5l：2001 国际电工词汇第15l部分 电的和磁的器件IEC 60050 311：2001 国际电工词汇电工电子测量和仪器仪表第3ll部分测量的通用术语ISO 921：1997核能IAEA 2核电厂工作安全重要的仪器和控制系统ID NS 252：1999IAEA 3安全术语用于核，辐射，放射性废料和运输安全的术语：2000IAEA导则NS G-
6、13核电厂安全重要的仪器和控制系统：2002IVM(国际计量术语)(1993)GUM(测量不确定度的表示导则)(1995)3术语和定义31 辐射测量装置通用术语394-2101核仪器nuclear instrumentation用于测量电离辐射量和控制涉及电离辐射的设备或过程的仪器或设备。394-2 1-02功能单元function unit执行一个或一个以上基本功能的部件或部件组合。注：例如在“定标器”中，“成形单元”、“脉冲幅度甄别单元”、“定标单元”都是功能单元。3942103机箱(核仪器的)crate(for nuclear instrumentation)用于容纳可更换插件的一种机械
7、安装单元，通常在其背部有连接总线，可通过配套的连接器为插件提供电源和信号连接。注：CAMAC、N1M或陕总线(FASTBUS)系统。GBT 290082-20081EC 60050-394：20073942卜04N1M机箱bin设计用于容纳核仪器插件的机箱。39421-05核仪器插件Nuclear Instrumentation Module；NlM(abbreviation)在科学和工业应用中使用的一种标准化插件式核仪器系统。3942 1_06插件module通常具有前面板并能单独或多个一起插入机箱的插拔式单元，例如NIM插件。39421-07计算机自动测量和控制插件Computer Aut
8、omated Measurement and Control；CAMAC(abbreviation)在科学和工业应用中使用的一种标准化插件式仪器和数字接口系统。3942108CAMAC机箱控制器CAMAC crate-controller安装在控制站中或者安装在一个或多个CAMAC机箱标准站中的功能单元，它控制数据通路运行。注1：标准站是CAMAC机箱中插入单元的安装位置它提供通向数据通路的路径。注2：控制站是CAMAC机箱中容纳该机箱控制器的一个安装位置。它提供通向所有站编码和“中断信号(LAM)”线的路径。3942卜09总线bus计算机或数字仪表的元器件之间的电气连接通过总线信息可以从任一
9、信息源传输至任一目的地。394-21-10快总线FASTBUS一种标准化模块式的数据高速采集和控制系统。该系统具有大量的地址域且可能按单机箱系统或多机箱系统配置，在多机箱系统中机箱能够与多个处理器一起自动运行，也可以为实现数据传输、控制和整个系统寻址信息提供路径。394211 1辐射探测装置radiation detection assembly用于对入射电离辐射产生响应信号的装置。注1：这一信号携带与辐射物理特性有关的信息。注2：在同一单元中可以包括一个或多个部件。39421-12测量通道measuring channel由一个或多个探测器和有关电子线路组成、用于产生相关信息的装置。32辐射
10、测量仪器39422-0 1辐射(测量)仪radiation meter用于测量电离辐射的仪器。OGBT 290082-2008i c 60050-394：2007394-22-02探头(辐射测量仪的)probe(of a radiadon meter)与测量仪相连的辐射探测器。注：探头可以包括一个前置放大器和其他功能单元。394-22-03(辐射)监测仪(radiation)monitor用于测量电离辐射水平并能发出报警信号的装置。注：辐射监测仪也可以提供定量信息。394-2204辐射报警系统(radiation)alarm system；(radiation)warning apparatu
11、s当超过预置的辐射水平时能提供视觉或听觉信号的仪器。注：辐射报警系统可以由监测系统触发。3942205辐射谱仪(radiation)spectrometer由一个或多个辐射探测器和与其连接的分析器组成、用于确定电离辐射能谱的辐射测量设备。394-22-06质谱仪ma镕spectrometer根据荷质比，按物质中各种成分的相对的质量丰度来分析物质的仪器。394-22-07核磁共振谱仪nuclear magnetic resonallce spectrometer利用核磁共振的方法确定特定核素单位体积核子数的设备。394-22-08剂量计dosimeter；dosemeter用于测量吸收剂量或剂量
12、当量等辐射量的辐射仪表。注1：从广义上讲，用于测量其他有关辐射的量(例如照射量，注量等)的仪表也使用这条术语，但不推荐用此法注2：这种装置可要求一个单独的读数器，以读出吸收剂量或刺量当量。33信息的处理、存储和显示装置394-230 1定标器 scaler是计数装置的一部分，用于测量在给定时间内电脉冲的数目。394-23-02静电计electrometer测量少量电荷或弱电流的仪器。39423-03率表mteter连续指示平均计数率的仪器。注：例如：线性率表；对数率表；差分线性率表；模拟率表；数字率表。GBT 290082-20081EC 60050394：2007394-23-04稳谱器sp
13、ectrum stabilizer通过对谱仪中某些部件(例如探测器、高压电源、放大器、分析器)的漂移进行补偿来减少谱畸变的装置。394-23-07幅度-时间变换器amplitude-to-time converter用输出信号的时间来表征输入信号的幅度的装置：或输出一个信号其持续时间正比于输入信号的幅度；或输出两个信号，其中一个信号相对于另一个信号延迟的时间间隔正比于输入信号的幅度。394-23-08时间一幅度变换器time-to-amplitude converter用输出信号的幅度来表征输入信号的时间的装置：输出信号的幅度正比于两个输入信号的时间间隔，或正比于一个输入信号的持续时间。394
14、-23-09时间一数字变换器time-to-digital converter用输出的数字信号来表征输入信号的时间的装置：该数字代表两个输入脉冲(例如启动脉冲和停止脉冲)之间的时间间隔，或代表一个输入信号的持续时间。3942310甄别器discriminator只有当输入信号超过一个预定阈值时才产生一个输出逻辑脉冲的部件。394-23-11单道分析器single channel analyzer只有当输入信号的幅值落在其设置的上、下阈值之间时才产生一个输出逻辑脉冲的装置。394-2312多道分析器multichannel analyzer产生正比于输入脉冲幅度的数码并可显示其分布的装置。394
15、-2313符合电路coincidence circuit只有在规定的时间间隔内在规定的几个输入端按预定的组合出现信号时，才产生一个输出信号的装置。394-2314脉冲选择器(pulse)selector每当输入脉冲的某一规定特性处于规定的限值之内时就产生输出信号的装置。注：例如：脉冲高度选择器；时间选择器。39423-15脉冲成形器pulse shaper对应输入信号输出具有规定形状特征脉冲的装置。3942316偏置放大器biased amplifier对所有在阈值幅度以下的输入产生(几乎是)零输出的放大器。注：对于幅度超过偏置阈直至规定的最大值的输入信号部分，偏置放大器具有恒定增益。4GBr
16、 290082-20081EC 60050394：200734辐射探测器通用术语39424-0 1辐射探测器radiation detector用于将入射电离辐射能量转换为适合于指示和或测量的信号的仪器或材料。394-2402线性探测器linear detector输出信号与入射粒子能量呈线性关系的辐射探测器。注：输出信号是一个与在探测器灵敏体积中损失的能量有关的量。394-24-03非线性探测器non-linear detector输出信号与入射粒子能量呈非线性关系的辐射探测器。394-24-04自给能探测器self_powered detector无需外加电源，通过中子和7射线活化产生弱电
17、信号的中子或7射线探测器。注：弱电信号是由中子俘获和7射线吸收而引起的电子发射产生的。394-24-05热电中子探测器neutron thermopile其热电偶的热结点与材料有热接触的中子探测器，该材料由于吸收中子诱发反应产生的粒子而变热。394-24-062p4p辐射探测器2p4p radiation detector在球面度为2p或4p的立体角范围内，用于探测放射源辐射的探测器。394-24-07化学探测器chemical detector一种辐射探测器，其信号是电离辐射在探测器灵敏体积材料中诱发的化学反应产物的度量值。394-24-08量能器calorimetric detector一
18、种辐射探测器，其信号是在探测器灵敏体积材料中吸收电离辐射而产生热能的度量值。394-24-09径迹探测器track detector揭示电离辐射在探测器灵敏体积材料中造成的缺陷的辐射探测器。3942410浸入式探测器dip detector浸入活度待测的液体中的辐射探测器。3942411井型探测器welltype detector其灵敏体积中具有井型结构的辐射探测器，将被测核素置于井型结构中，这样可提供接近4p球面度的大立体角用于a、p、7或x发射体的高效探测。39424-12蚀刻径迹探测器track etched detector由一种轻材料(例如CR39)构成的探测器，入射的电离粒子实际上
19、置换了轻材料的原子核。注；观察由化学蚀刻产生的径迹可以建立径迹数目与入射注量之间的关系。5GBT 290082-2008IEC 60050-394：2007394-2413核乳胶nuclear emulsion用于记录单个致电离粒子径迹的照相乳胶。注：使用反冲质子的方法，核乳胶也可用于探测快中子。394-24-14蚀刻斑痕etch pit在某些塑料表面因蚀刻而可察觉的斑痕，系由质子和原子核径迹造成。注：这些径迹实际上是由塑料中较轻原子核被置换而造成的。35电离室39425-0 1电离探测器ionization detector一种辐射探测器，其信号是由探测器灵敏体积中的电离产生的。注：也称为“
20、电离室”，但不推荐使用。394-25-02电离室ionization chamber是内充合适的气体或混合气体并加有电场的电离探测器，所加电场不足以产生气体放大作用，却能将电离辐射在探测器灵敏体积中产生的离子和电子收集到电极上。注：例如：脉冲电离室。积分电离室。电流电离室。394-25-03脉冲电离探测器pulse ionization detector能探测单个致电离事件的电离探测器。注：通常分为三种工作模式：电离模式：对应的工作电压范围是未发生气体中的放大的区域，脉冲幅度是一次电离事件在灵敏体积中产生的离子总数的直接度量。正比模式：对应的工作电压范围是气体中放大因数与初始电离无关的区域。脉
21、冲幅度正比于一次电离事件在灵敏体积中产生的离子总数。盖革弥勒模式：对应的工作电压范围是每次电离事件都给出一个输出脉冲，其幅度与这次电离事件在灵敏体积中初次产生的离子数无关。394-25-04脉冲电离室pulse ionization chamber对每次探测到的电离事件都产生一个输出脉冲的电离室。394-25-05电子收集脉冲(电离)室electron collection pulse chamber主要由收集电子而获得输出信号的脉冲电离室，它利用电子迁移率比离子迁移率高得多这一现象。394-25-06离子收集脉冲(电离)室ion collection pulse chamber由全部收集离子
22、和电子而获得输出信号的脉冲电离室。3942507屏栅电离室grid ionization chamber由-x平板电极和处于其间的一个称为Frisch栅极的附加电极组成的电离室附加电极保持在中间电位以减少重离子的影响。注：屏栅电离室是一种脉冲电离室。通常用于测量a粒子或裂变碎片的能量。6GBT 290082-2008IEC 60050394：2007394-25-08三氟化硼电离室boron triflooride ionization chamber使用三氟化硼气体来探测热中子的电离室。注：电离是由中子与硼进行核反应所产生的a粒子和锂核引起的。394-25-09衬硼电离室boron-line
23、d ionization chamber使用电离室壁上或形状适宜的电极上的硼灵敏层来探测热中子的电离室。注：电离是由中子与衬层中的硼进行核反应所产生的“粒子和锂核引起的。3942510裂变电离室fission ionization chamber使用可裂变物质作灵敏层来探测中子的电离室。注l：电离是由中子和可裂变物质进行核反应所产生的裂变碎片引起的。注2：根据所使用的可裂变物质，探测热中子、快中子或所有中子都是可能的。注3：见裂变Emc 60050 393中的39311 26和可裂变IEC 60050393中的393 11 28的定义。3942511积分电离室integrating ioniz
24、ation chamber用于测量在预定时间问隔内出现的多次独立电离事件产生的累积电荷的电离室。394-25-12电流电离室current ionization chamber由于电离辐射而产生电离电流的电离室。3942513自由空气电离室free air ionization chamber与大气相通、主要用作照射量绝对测量一级标准的电离室。注1：离室的设计要准确规定计算照射量所依据的空气体积，并且辐射柬及其产生的大部分次级电子都不会打到电极上。注2：离室的设计要保证：可以准确规定计算照射量所依据的空气体积，并且辐射束及其产生的可观数量的次级电子都不会打到电极上。394-25-14布拉格-戈
25、瑞空腔电离室Bragg-Gray cavity ionization chamber用于确定介质中x或7辐射或中子的吸收剂量或空气比释动能的电离室。注：该电离摩的特性(例如：灵敏体积、气体压力、室壁的性质和厚度)满足布拉格一戈瑞空腔的规定条件，即其体积必须小于电离粒子的路径。3942515空气等效电离室air-equivalent ionization chamber室壁材料和所充气体与空气具有相同有效原子序数的电离室。注：当空气等效电离室是以自由空气电离室校准时，可用它确定空气中的吸收剂量或空气比释动能。在该电离室内产生的电离与有电离室的情况下在同一点的空气中产生的电离实质上是一样的。394
26、2516液体壁电离室liquid-wall ionization chamber使液体的表面构成室壁，用于测量该液体的“或p放射性活度的电离室。7GBT 290082-2008IEC 60050394：200739425-17无壁电离室wall-less ionization chamber灵敏体积不是由电离室壁限定，而是由电场的电力线所限定的电离室，该电场取决于电极的形状、排列方式和电极间的电位差。394-25-18生物组织等效电离室tissue-equivalent ionization chamber用于测量生物组织中吸收剂量的电离室，其中电离室壁的材料、电极和所充气体与生物软组织具有相
27、同的有效原子序数。394-25-19差分电离室differential ionization chamber结构上分为两部分的电离室，其配置使输出电流为两部分电离电流之差。394-25-20补偿电离室compensated ionization chamber其设计实际上可消除叠加在被测辐射上的其他辐射影响的差分电离室。注：通常，设计补偿是为了有效降低中子一7混合场中7辐射的影响。394-25-21外推电离室extrapolation ionization chamber可改变某一特性(通常是电极间的距离)的电离室，目的是为了外推出电离室对灵敏质量为零时的响应。394-25-22反冲核电离室r
28、ecoil nuclei ionization chamber 利用快中子与低原子序数核碰撞形成的反冲核产生的电离来探测快中子的电离室。注：当所充气体是氢时，反冲核电离室称为反冲质子电离室。394-25-23指套形电离室thimble ionization chamber外部电极的形状和尺寸类似于套筒的电离室。394-25-24井型电离室welltype ionization chamber用于测量辐射体放射性活度的电离室，其中包括一个安放被测放射源的同心圆柱形井，几何形状适合于接近4p球面度的立体角的探测。39425-25内充气体源电离室ionization chamber with int
29、ernal gas source所充气体全部或部分源于活度待测的气体的电离室。394-25-26电容电离室capacitive ionization chamber测量因辐射诱发的电容放电所致电容极间电位差变化的电离室。394-25-272p4p电离室2p4p ionization chamber用于在球面度为2p或4p的立体角范围内探测放射源辐射的电离室。394-25-28驻极体电离室electret ionization chamber一种电离室，其中高压电极用具有永久性表面电位的驻极体代替，由于所充气体的电离，驻极体的表面电位降低可用来测量待测的辐射剂量。8GBT 290082-2008
30、IEC 60050394：2007394-25-29流气式电离室gas-flow ionization chamber其内部有气体连续流过的电离室。394-25-30流气式探测器gas-flow detector借助于气体在探测器中的低速流动，以保持其中充有合适气体介质的辐射探测器。注：例如：流气式电离室；流气式计数管。3942531反冲质子电离室proton recoil ionization chamber利用快中子与氢核碰撞产生质子来探测快中子的含氢电离室。36径迹室和火花室394260 1径迹室track chamber辐射在其中产生可见粒子径迹的探测器。394-26-02气泡室bob
31、ble chamber在过热液体中、沿致电离粒子的路径液体沸腾时形成气泡的径迹室。394-26-03云室cloud chamber含有过饱和蒸汽、沿电离粒子路径产生的离子作为凝结中心的径迹室。394-26-04扩散室diffusion chamber由于室壁间的温差引起饱和蒸汽连续扩散而产生过饱和蒸汽的云室。394-26-05威尔逊云室Wilson cloud chamber由于快速膨胀，在短时间内产生过饱和蒸汽的云室。394-26-06火花室spark chamber在电势不同的几个顺序排列的电极之间产生的一连串火花表明电离粒子路径的径迹室。394-26-07电荷发射探测器charge em
32、ission detector由于带电粒子从一个极板转移到另一个极板而改变极板间电位差的电容辐射探测器。37闪烁探测器和发光探测器394270 1闪烁探测器scintillation detector由闪烁体构成的辐射探测器，该闪烁体通常直接或通过光导与光敏器件光耦合。注：闪烁体由闪烁物质组成电离粒子在闪烁物质中沿其路径产生光辐射猝发。3942702空气等效闪烁探测器air-equivalent scintillation detector由有效原子序数等于或近似等于空气的材料构成的辐射闪烁探测器。GBT 290082-2008IEC 60050-394：2007394-27-03生物组织等效
33、闪烁探测器 tissue_equivalent scintillation detector由有效原子序数近似于生物软组织的材料构成的辐射闪烁探测器。注：有些塑料闪烁体与生物组织近似等效。394-2704热释光探测器thermoluminescent detector；TLD(abbreviation)使用热释光介质的辐射探测器，当其受热激发时能放出发光辐射，其值是探测器在电离辐射照射过程中贮存的能量的函数。394-2705光致发光探测器photoluminescent detector使用光致发光介质的辐射探测器，所发射的给定波长的光信号是该介质与较短波长的光辐射(例如紫外线)发生相互作用后
34、发出的。注：发射的信号通常在可见光谱内。38半导体辐射探测器及其元器件和特性394-2801半导体探测器semiconductor detector利用在半导体电荷载流子耗尽区中电子空穴对的产生和运动来探测和测量核辐射的半导体装置。注：见394 28 33。394-2802表面势垒探测器surface barrier detector由表面反型层形成电荷载流子耗尽区(势垒)的半导体探测器。394-2803扩散结探测器diffused junction detector用施主(N)型或受主(P)型杂质扩散的方法产生结的半导体探测器。394-28-04注入结探测器implanted junctio
35、n detector用施主(N)型或受主(P)型杂质注入的方法产生结的半导体探测器。394-2805补偿型半导体探测器compensated semiconductor detector在P型区和N型区之间存在施主(N)和受主(P)几乎彼此平衡的区域(补偿型半导体)的半导体探测器。394-28-06锂漂移半导体探测器lithium drifted semiconductor detector在外加电场和高温的作用下使锂(N型)离子在P型晶体中移动以平衡(补偿)束缚杂质，从而获得补偿区的补偿型半导体探测器。394-28-07内放大半导体探测器amplifying semiconductor de
36、tector由雪崩之类的次级过程产生电荷倍增的半导体探测器。394-2808透射式半导体探测器transmission semiconductor detector包括入射窗和出射窗在内，其厚度薄到足以允许粒子完全穿过的半导体探测器。1 0GBT 290082-2008IEC 60050-394：2007394-28-09dEdx半导体探测器differential dEdx semiconductor detector其灵敏体积厚度远小于入射粒子射程，且入射和出射死层又小于探测器灵敏体积厚度的透射式半导体探测器。39428-10全耗尽半导体探测器totally depleted semico
37、nductor detector耗尽层厚度与半导体材料厚度实质上相等的半导体探测器。39428-1 1涂硼半导体探测器boron coated semiconductor detector表面涂有硼一10、用于探测热中子的半导体探测器。注：电离是由中子在涂层内的核反应所产生的带电粒子引起的。39428-12涂锂半导体探测器lithium coated semiconductor detector表面涂有锂6、用于探测热中子的半导体探测器。注：电离是由中子在涂层内的核反应所产生的带电粒子日I起的。394-2813裂变半导体探测器fission semiconductor detector表面涂有
38、裂变物质、用于探测热中子的半导体探测器。注：电离主要是由中子与裂变物质进行核反应所产生的裂变碎片引起的。394-2814高纯半导体探测器high purity semiconductor detector采用高纯度(例如高电阻率)半导体材料的半导体探测器。3942815辐照掺杂半导体探测器radiation compensated semiconductor detector经过预先对半导体材料大剂量辐照，其电子结构是由辐射损伤掺杂造成的补偿型半导体探测器。394-2816变换体(中子探测器的)converter(for neutron detectors)包含轻原子(例如氢)的物质，将其涂敷
39、在中子探测器的内壁或渗入探测器的灵敏体积内以提高探测效率。3942817多结型半导体探测器multi-junction semiconductor detector采用几个PN结组合的半导体探测器。3942818平面型半导体探测器planar semiconductor detector其灵敏体积为平板型的半导体探测器。3942819同轴型半导体探测器coaxial semiconductor detector其灵敏体积对称环绕中心轴的半导体探测器。394-28-20保护环半导体探测器guardring semiconductor detector为了降低表面电流和噪声有一个围绕探测器灵敏面的
40、辅助PN结的半导体探测器。】GBT 290082-2008IEC 60050-394：200739428-2 1镶嵌式半导体探测器mosaic semiconductor detector为了增加灵敏面积，用镶嵌式结构将几个独立的探测器并联的半导体探测器。394-28-22位置灵敏半导体探测器position-sensitive semiconductor detector能够在一维或二维范围内确定承受电离辐射的区域中心的半导体探测器。394-28-23结junction半导体的不同电性能区域之间的过渡层，或者是不同类型半导体之间的过渡层，其特性由阻止电荷载流子从一个区域流到另一个区域的势垒来
41、表征。rGBT 2900662004，521一02723942824PN结PNjunctionP型和N型半导体材料之间的结。EGBT 290066 2004，52i 02 78394-28-25正向(PN结的) forward direction(of a PN junction)P型半导体区相对N型区电压为正时产生的电流方向。GRT 2900662004，521一05一03】394-28-26反向(PN结的)reverse direction(of a PN junction)N型半导体区相对P型区电压为正时产生的电流方向。GBT 290066-2004，52 l 05 041394-28-
42、27击穿(反向偏置PN结的)breakdown(of reverse biased PN junction)当反向电压增加时，由高电阻状态向明显低的电阻状态的跃变。rGBT 290066 2004 521一05一06 MOD7394-28-28雪崩击穿(结的)avalanche breakdown(of a junction)在强电场作用下，一些载流子获得足够的能量而产生新的空穴电子对，使半导体中载流子累积倍增所引起的击穿。GBT 290066 2004，52l 05 07 MoD注：也称场致碰撞电离。394-28-29雪崩电压avalanche voltage发生雪崩击穿时施加的反向电压。G
43、BT 2900662004，52105一081394-28-30耗尽层(半导体探测器的)depletion layer(of a semiconductor detector)构成半导体探测器灵敏体积的一层。注：光子或粒子在这一区域损失的绝大部分能量都可能对形成的信号作出贡献。2GBT 2900822008IEc 60050-394：2007394283 1全耗尽电压(半导体探测器的)total depletion voltage(of a semiconductor detector)使耗尽层基本上扩散到半导体整个厚度的反向电压。394-28-32电荷收集时间(半导体探测器的) charge
44、 collection time(of a semiconductor detector)当电离粒子通过半导体探测器后，由电流积分收集的电荷从其最终值的10增加到90所需的时间。3942833半导体semiconductor正常情况总电导率在导体与绝缘体之间的物质，总电导率由两种符号的载流子形成，载流子密度可以用外部手段加以改变。EGBT 290066-200452 l 020 1注：“半导体”一词通常适用于载流子是电子或空穴的情况。394-28-34本征半导体intrinsic semiconductor近似纯净和理想的半导体，在热平衡条件下其导电的电子和空穴密度基本相等。FGBT 2900
45、66 2004，5210207339428-35补偿半导体compensated semiconductor半导体中一种给定类型的杂质对载流子密度的影响能部分或全部抵消另一类型杂质影响的半导体。EGBT 290066-2004，521-02 111394-28-36非本征半导体extrinsic semiconductor载流子密度取决于杂质或其他缺陷的半导体。rGBT 290066-2004，52102087394-2837N型半导体Ntype semiconductor导电电子密度超过空穴密度的非本征半导体。rGBT 2900662004，52102 09394-2838P型半导体P-ty
46、pe semiconductor空穴密度超过导电电子密度的非本征半导体。rGBT 2900662004，52卜021039计数管39429-0 1计数管counter tube工作在正比区或盖革一弥勒区的脉冲电离探测器。39429-02正比计数管proportional counter tube工作在正比区的计数管。1 3GBT 290082-2008IEC 60050394：2007394-29-03三氟化硼正比计数管boron trifluoride proportional counter tube含有三氟化硼、用于探测热中子的正比计数管。394-29-04衬硼计数管boron lined counter tube在壁上或适当形状的电极上有灵敏硼衬、用于探测热中子的计数管。注：初始电离是由中子与衬中的硼进行核反应所产生的“粒子和锂核引起的。394-29-05氦计数管helium counter tube含有氦3、用于探测中子的正比计数管。注：初始电离是由中子与氦3进行核反应所产生的质子和氚核引起的。394-29-06反冲核计数管recoil nuclei counter tube利用快中子和低原子序数的原子核碰撞
