SJ 20011-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf

上传人:李朗 文档编号:72236 上传时间:2019-07-07 格式:PDF 页数:11 大小:301.20KB
下载 相关 举报
SJ 20011-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf_第1页
第1页 / 共11页
SJ 20011-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf_第2页
第2页 / 共11页
SJ 20011-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf_第3页
第3页 / 共11页
SJ 20011-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf_第4页
第4页 / 共11页
SJ 20011-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf_第5页
第5页 / 共11页
亲,该文档总共11页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
资源描述

本规范规定了CSl型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85半导体分立器件总规范的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 标准规范 > 行业标准 > SJ电子行业

copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1