本标准规定了厚度为0.32.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1.cm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围。对于间隙氧含量为3.010(16)atcm(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度；对于替位碳含量为5.010(15)atcm(-3)至替位碳在硅中最大固溶度。
copyright@ 2008-2019 麦多课文库（www.mydoc123.com）网站版权所有备案/许可证编号：苏ICP备17064731号-1
