本标准适用于n型、P型砷化镓和磷化铟单晶及高阻衬底外延层,载流子浓度在1lO(12)510(15)cm(-3)范围的半导体材料的补偿度的测试分析。原则上也适用于其他V族化合物材料补偿度的测试分析。
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