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SJ T 10482-1994 半导体中深能级的瞬态电容测试方法.pdf

上传人：李朗 文档编号：75131 上传时间：2019-07-08 格式：PDF 页数：6 大小：144.87KB
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资源描述

本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。

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