本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为、或、电阻率为10?m10?m、位错密度在0cm10cm之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。本方法也适用于硅单晶片。
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