2018年秋七年级数学上册第6章平面图形的认识一6.5垂直6.5.2点到直线的距离导学课件新版苏科版201901142113.pptx

上传人:diecharacter305 文档编号:964128 上传时间:2019-03-10 格式:PPTX 页数:13 大小:290.09KB
下载 相关 举报
2018年秋七年级数学上册第6章平面图形的认识一6.5垂直6.5.2点到直线的距离导学课件新版苏科版201901142113.pptx_第1页
第1页 / 共13页
2018年秋七年级数学上册第6章平面图形的认识一6.5垂直6.5.2点到直线的距离导学课件新版苏科版201901142113.pptx_第2页
第2页 / 共13页
2018年秋七年级数学上册第6章平面图形的认识一6.5垂直6.5.2点到直线的距离导学课件新版苏科版201901142113.pptx_第3页
第3页 / 共13页
2018年秋七年级数学上册第6章平面图形的认识一6.5垂直6.5.2点到直线的距离导学课件新版苏科版201901142113.pptx_第4页
第4页 / 共13页
2018年秋七年级数学上册第6章平面图形的认识一6.5垂直6.5.2点到直线的距离导学课件新版苏科版201901142113.pptx_第5页
第5页 / 共13页
点击查看更多>>
资源描述

1、第6章 平面图形的认识(一),6.5 垂直,目标突破,总结反思,第6章 平面图形的认识(一),知识目标,第2课时 点到直线的距离,6.5 垂直,知识目标,1.通过操作活动,理解垂线段的概念,明确垂线与垂线段是两个不同的概念;理解点到直线的距离的含义,会量度点到直线的距离. 2.通过具体的情景体会垂线段最短的性质,会根据垂线段最短的性质解释生活中的实际问题.,目标一 理解垂线段、点到直线的距离的含义,6.5 垂直,例1 教材补充例题如图656所示,已知POR90,OQPR于点Q,则下列说法错误的是( ) A.点P到OR的距离是线段PO的长 B.点R到OP的垂线段是线段OR C.线段OQ是点Q到直

2、线PQ的垂线段 D.线段PQ的长是点P到直线OQ的距离,图656,C,6.5 垂直,6.5 垂直,【归纳总结】点到直线的距离是一个长度,是垂线段的长度,而不是一个图形,更不是垂线段.,目标二 会根据垂线段最短的性质解决实际问题,例2 教材补充例题如图657所示,P,Q为分别在公路两旁的两个村庄,现要在公路边上建一个购物中心. (1)若要使P村的人到购物中心的距离最短,则购物中心应建在何处?画图表示并说明理由. (2)若要使P,Q两村的人到购物中心都方便, 且这个购物中心到两村的距离之和最短,则购 物中心应建在何处?,6.5 垂直,图657,6.5 垂直,解析 (1)要使P村的人到购物中心距离最

3、短,应过点P作已知直线的垂线段; (2)连接这两点的线段与公路的交点即为所求,6.5 垂直,解:(1)过点P作公路的垂线段,交公路于点M,如图所示,则点M即为购物中心的位置理由:垂线段最短 (2)连接PQ交公路于点N,如图所示,则点N即为购物中心的位置理由:两点之间线段最短,注意点到直线的距离是数量,是线 段的长度,不可说成“点到直线的距离 是垂线段”.,直线外一点到这条直线的垂线段的长度叫做点到直线的距离.如图658,点P到直线l的距离为垂线段PO的长度,也可以说成P,O两点间的距离.,总结反思,知识点一 点到直线的距离,小结,6.5 垂直,图658,知识点二 垂线段的性质,6.5 垂直,直线外一点与直线上各点连接的所有线段中,垂线段最短.简称:垂线段最短.,反思,6.5 垂直,图659,6.5 垂直,解:亮亮的说法不对,因为题意要求说明从李庄修一条和铁路垂直的道路,这种方案是唯一的,不是要求说明其最短,因此亮亮的说法不对,其正确的理由是“过一点有且只有一条直线与已知直线垂直”,

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
  • BS EN 62391-2-2006 Fixed electric double-layer capacitors for use in electronic equipment - Sectional specification - Electric double-layer capacitors for power application《电子设备用双层.pdf BS EN 62391-2-2006 Fixed electric double-layer capacitors for use in electronic equipment - Sectional specification - Electric double-layer capacitors for power application《电子设备用双层.pdf
  • BS EN 62394-2014 Service diagnostic interface for consumer electronics products and networks Implementation for echonet《消费者电子产品和网络用服务诊断接口 echonet的实现》.pdf BS EN 62394-2014 Service diagnostic interface for consumer electronics products and networks Implementation for echonet《消费者电子产品和网络用服务诊断接口 echonet的实现》.pdf
  • BS EN 62395-1-2013 Electrical resistance trace heating systems for industrial and commercial applications General and testing requirements《工业和商业用电阻式轨道加热系统 测试要求和总则》.pdf BS EN 62395-1-2013 Electrical resistance trace heating systems for industrial and commercial applications General and testing requirements《工业和商业用电阻式轨道加热系统 测试要求和总则》.pdf
  • BS EN 62395-2-2013 Electrical resistance trace heating systems for industrial and commercial applications Application guide for system design installation and maintenance《工业和商业用电阻式.pdf BS EN 62395-2-2013 Electrical resistance trace heating systems for industrial and commercial applications Application guide for system design installation and maintenance《工业和商业用电阻式.pdf
  • BS EN 62402-2007 Obsolescence nmanagement — nApplication guide《报废管理 应用指南》.pdf BS EN 62402-2007 Obsolescence nmanagement — nApplication guide《报废管理 应用指南》.pdf
  • BS EN 62403-2006 High density recording format on CD-R RW disc system - HD-BURN format《CD-R RW磁盘系统上的高密度记录格式 HD-BURN格式》.pdf BS EN 62403-2006 High density recording format on CD-R RW disc system - HD-BURN format《CD-R RW磁盘系统上的高密度记录格式 HD-BURN格式》.pdf
  • BS EN 62415-2010 Semiconductor devices - Constant current electromigration test《半导体器件 恒定电流电迁移试验》.pdf BS EN 62415-2010 Semiconductor devices - Constant current electromigration test《半导体器件 恒定电流电迁移试验》.pdf
  • BS EN 62416-2010 Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors《半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验》.pdf BS EN 62416-2010 Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors《半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验》.pdf
  • BS EN 62417-2010 Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)《半导体器件 金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验 n》.pdf BS EN 62417-2010 Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)《半导体器件 金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验 n》.pdf
  • 相关搜索

    当前位置:首页 > 教学课件 > 中学教育

    copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
    备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1