1、ICS 31080.20K 46dj了灼入石改，士tT-n峨净大藉兄希1子竺夕、仁七步夸和1逛11丛1K牢刁屯 4mGB/T 13150-2005代替GB/T 13150-1991 I任己杀日倪才片曰之、1、马a办卜 千仔件命1=t-夕丁 % 1命1十电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范Semiconductor devices-Discrete devices-Blank detail specificationfor bidirectional triode thyristors(triacs)，ambient and case-rated，for currents
2、 greater than 100A(IEC 60747一6一2/QC 750111：1991，NEQ)2005-03-23发布2005-10-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局。， 1 T/LVIIri 1=17/Ji 1llL F1 1LTMM/X1CA/ J发布 GB/T 13150-2005告L吕月U胃本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一，这一系列国家标准现包括：-GB/T 6352半导体器件分立器件第6部分：闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 -GB/T 6590半导体器件分立器件第6部分：闸流晶体管第二篇100A以下环境或
3、管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 GB/T 13150半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 GB/T 13151半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第三篇：电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 GB/T 13153 5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范本标准参照IEC 60747-6-2;1991半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第二篇：电流小于等于100 A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管（triacs）空白详细规范）（英文版），修订GB/T 13150-1991(100A以上环境或管壳额定双向三极晶闸管空
4、白详细规范而产生。本标准与IEC 60747-6-2的一致性程度为非等效，主要差异如下：适用电流范围不同，本标准适用于额定电流大于100A的双向三极晶闸管，IEC 60747-6-2适用于额定电流小于等于100A的双向三极晶闸管；抽样要求不同，IEC 60747-6-2仅说明“A组检验的抽样方案在详细规范中可选择AQL或LT-PD，对B,C,D组检验的抽样未加规定，而本标准明确要求：A组检验对全部器件进行，B组和C,D组检验的抽样分别按LTPD=30和LTPD= 50;因勘误的不同：4. 2贮存温度和等效结温”应编辑为“4. 2贮存温度”和“4. 3等效结温”，后面条号作相应调整；5. 1中的
5、“2倍”应为“招倍”，5. 3中的“最大值”应为“最小值和最大值”，5. 7 ,5.8和5.9中的“最大值”均应为“最小值”;C组中删去了与A组中重复的I GT ,VGT , I DM2和VGD四项检验；本标准在B3分组中，增加了“转矩（D)”项目，并作了文字完善，A4分组增加了“换向电压临界上升率（适用时）”的检验，增加了“C2d分组热阻（适用时）”的检验；本标准极限值参数表中补充了四个符号：M, F,IZt，和I, t, o本标准与GB/T 13150-1991相比主要变化如下：标准名称中增加了引导要素文字：“半导体器件分立器件”并作了个别文字作改（见前版和本版的封面、首页）；增加了“前言
6、”，删去了“附加说明”（前版的“附加说明”；本版的“前言”）；删去了第8章各表中的抽样方案和附录A追加抽样表，增加了对A, B,C,1)组抽样要求的文字说明（前版第8章各表和附录A；本版第8章方括号中的文字）；增加了无再加反向电压、有再加反向电压的IZPt的符号分别为IZt，和IZ t2，并修改了IZFt试验的温度条件（见前版和本版的4.5.5); 5.11热阻”的文字和符号作了补充和完善；前版的A3分组（IGT , VGT）在本版并人了A2b分组，本版A2b分组中的断态峰值电流仅是IDRMI，而A3分组项目变为ID12M2 ; A4分组中删去了“断态电压临界上升率”项目（见前版和本版的A组检
7、验）；GB/T 13150-2005增加了“B3分组端子强度仁适用时转矩（D)”检验；C7分组的“稳态湿热”的单一试验条件改为按空腔、非空腔器件分别规定不同的试验条件（见前版和本版的B组检验、C组检验）。本标准中引用的国家标准如下：GB/T 2423. 23-1995电工电子产品环境试验试验Q：密封GB/T 4589. 1-1989半导体器件分立器件和集成电路总规范（idt IEC 60747-10:1984)GB/T 4937-1995半导体器件机械和气候试验方法（idt IEC 60749:1984)GB/T 7581-1987半导体分立器件外形尺寸（neq IEC 60191-2:197
8、4)GB/T 12560-1999半导体器件分立器件分规范（idtIEC 60747-11:1985)GB/T 15291-1994半导体器件第6部分晶闸管（eqv IEC 60747-6:1983)本标准由中国电器工业协会提出。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准起草单位：襄樊台基半导体有限公司、北京京仪椿树整流器有限公司、上海天公整流器有限公司、丹阳可控硅元件厂、丹阳威斯特整流器有限公司、西安电力电子技术研究所。本标准主要起草人：颜家圣、高占成、季节、徐志毅、蒋建明、秦贤满。本标准首次发布时间：1991年8月29日。GB/T 13150-2005半导体器件分立器件电流大于10
9、0A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范引言国际电工委员会电子元器件质量评定体系（IECQ）遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用规范要求所放行的电子元器件在其他所有成员国无需再试验同样为合格。本空白详细规范是半导体器件一系列空白详细规范的一个，应与下列国家标准一起使用。 GB/T 4589.1-1989半导体器件分立器件和集成电路总规范 GB/T 12560-1999半导体器件分立器件分规范要求的资料本页及下页方括号内的数字与下列各项要求的内容相对应，这些内容应填人相应空栏中。详细规范的识别1
10、授权发布详细规范的国家标准化机构名称。2详细规范的IECQ编号。3总规范和分规范的编号和版本号。4详细规范的国家编号、发布日期和国家体系要求的任何更多的资料。器件的识别5器件的型号。6典型结构和应用的资料。如果设计一种器件满足几种应用，则应在详细规范中说明。这些应用的特性、极限值和检验要求应予满足。如器件对静电敏感或含有危险材料，如含有氧化敏，则应在详细规范中给出注意事项。7外形图和（或）引用有关的外形标准。8质量评定类别。9能在器件型号之间进行比较的最重要特性参考数据。本标准中所有方括号中给出的内容供制定详细规范时用，而不包括在详细规范内。在本标准中，当特性或额定值适用时，11 X”表示在详
11、细规范中应填人数值。GB/T 13150-2005二4极限值（绝对最大额定值体系）除另有规定外，下列极限值在整个工作温度范围内适用。只重复使用带标题的条号。任何附加值应在适当的地方给出，但不用条号。曲线最好在本标准的第10章给出。GB/T 13150-2005万Ii(RMS）士入一了一了break Iamb(mas) /T-nmac)图1双向三极晶闸管的电流降额曲线（通态方均根电流与温度的关系）GB/T 13150-20055电特性检验要求见本标准第8章。只重复使用带标题条号。任何附加特性应在适当的地方给出，但不用条号。当在同一详细规范中规定几种器件时，有关的值应以连续方式给出，以避免相同值的
12、重复。特性曲线最好在本标准的第10章给出。万注1：这些额定值和特性是基于器件对称工作和两个方向的限制值。如果一项特性灵敏于门极触发方式，则应规定适用的一种或几种触发方式。6标志在第7栏（第1章）和（或）总规范的2. 5未给出的任何其他资料应在此给出。7定货资料除另有规定外，订购一种具体器件至少需要以下资料：准确的型号（和标称电压值，如要求）。当有关时，带有版本号和（或）日期的IECQ详细规范标准。按分规范的3. 7规定的质量评定类别，如要求，还应按分规范的3.6规定的筛选顺序。任何其他细节。GB/T 13150-20058试验条件和检验要求在下列各表中给出试验条件和检验要求，所采用的数值和确切
13、的试验条件，应按照给定型号的要求和有关标准中有关试验的要求规定。在编写详细规范时，有两种可采用的试验或试验方法，应选定一种。在同一详细规范中包括几种器件时，有关的条件和（或）数值应以连续方式给出，以避免相同条件和（或）数值重复。在本章中，除另有说明外，引用的条号对应于GB/T 4589. 1-1989的条号。电参数测试方法引自GB/T 12560-1999的第4章，机械和气候试验方法引自GB/T 4937-19950仁A组检验和试验应对全部器件进行。B组检验和试验应在逐批的基础上进行，抽样按LTPD=30 o C组和D组检验和试验的抽样按LTPD=50aA组逐批全部试验都是非破坏性的（3. 6
14、.6)引用标准条件检验要求极限子一华一T,_=250CMA,nt 5j!f gF(,.0 ftM* 4 V-) -平A2a分组极性颠倒：不工作或VTM I OUSI.;：或IDRM 100USL另有规定除外口一A26分组见注2：通态峰值电压（脉冲法）VTM T-101 ITM -涯I Tc RMS) ma= x；断态重复峰值电流Ir)RMi T-103 VDRM二额定值口x言门极触发电流IGT T-109 v。一12V仁另有规定除外二x门极触发电压VGT T-109规定门极电路条件x鲁见注2习鲁A3分组“一习羹IDRM: I一103 V DRML钡走沮又：断态重复峰值电流T一几5。比/ T.二
15、T= To,e,Ax兀。卜n。重A4分组见注2口换向电压临界上升率dv/dt(com) T-118 ITM=涯ITC R MS) m- xT= T-,- / T-bmza门极不触发电压VC:D T-110 VDRM一额定值，T = L Ta,mx / xTembn,、口仁门极电路条件三注2：对A2, A3, A4分组，应规定门极和主端子z的极性。如特性灵敏干门极触发方式，则应规定适用的一种或几种触发方式。cB/T 13150-2005B组逐批（对于I类，按总规范的2.6)LSL规范下限值1、USL一窥蔽上银覆按“组标有（D）的试验是破坏性试验（3.6.6)二GB/T 13150-2005C组周期LSI_=器黯按“标有（D）的试验是破坏性试验（3. 6. 6 )一GB/T 13150-2005续表井注3：本试验按在A2b分组规定Ic下讥丁的门极对主端子2的一种或几种极性进行。9 D组鉴定批准试验当要求时，本试验应在详细规范中规定（仅对鉴定用）。IVD各个器件的初始值）、USL一窥范王裱谊护一”一！按“组 GB/T 13150-2005护注4：如此试验在C8分组已完成，则在此不再要求。10附加资料（不作检验用）只要器件规范和应用需要，就应给出附加资料，例如：有关极限值的温度降额曲线；测量电路或附加方法的完整说明；详细的外形图。
