GB T 28177.2-2011 识别卡 柔性薄卡 第2部分：磁记录技术.pdf

1、ICS 3524015L 64 囝旦中华人民共和国国家标准GBT 28177220112011-12-30发布识别卡柔性薄卡第2部分：磁记录技术Identification cardsThin flexible cardsPart 2：Magnetic recording technique(IS0lIEC 154572：2007，MOD)20120601实施宰瞀醐鬻瓣訾鑫攀瞥霎发布中国国家标准化管理委员会仅19GBT 281772201 1目 次前言引言1范围2规范性引用文件3术语和定义、缩略语31术语和定义32缩略语4一般特性41介绍-42对所有规格的共同要求43环境条件5磁条的特性-51

2、磁条表面52磁条粘合-53磁条寿命54磁特性55磁条预留区6 TFC0数据记录-61磁道特性62磁道数量63编码特性7 TFC1数据记录71磁道特性72 TFC1特定磁条要求73编码特性8 TFC5数据记录81磁道特性82 TFC5特定磁条要求83编码特性附录A(规范性附录)磁特性类别附录B(规范性附录)编码类别参考文献一I1l1l3444455666666677799m加如加u”坫前 言GBT 281772201 1GBT 28177(识别卡柔性薄卡分为以下3个部分：第1部分：物理特性；第2部分：磁记录技术；第3部分：测试方法。本部分为GBT 28177的第2部分。本部分按照GBT 1120

3、09给出的规则起草。本部分使用重新起草法修改采用ISOIEC 154572：2007(识别卡柔性薄卡第2部分：磁记录技术。本部分与ISOIEC 154572：2007相比，在结构上增加了引言和缩略语。本部分还做了下列编辑性修改：增加了引言，将国际标准的范围中对柔性薄卡的用途和采用的记录方法等的描述放在引言中；为了便于使用，增加了缩略语。与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下：GBT 3505 2009产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法术语、定义及表面结构参数(ISO 4287：1997，IDT)请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专

4、利的责任。本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SACTC 28)提出并归口。本部分起草单位：中国电子技术标准化研究所、深圳市华正联实业有限公司、东信和平智能卡股份有限公司、云南南天电子信息产业股份有限公司、深圳市百得力电子有限公司。本部分主要起草人：金倩、段霞、严金波、王国升、阎学众、高林、冯敬、赵继红、夏蒂娜、乔申杰。GBT 2817722011引 言柔性薄卡(TFC)通常用于货物或服务通行的自动控制，如公共交通、高速公路收费系统、停车场、凭证和储值等。在这些应用中，数据可被采用不同记录技术的机具写入和或读出，例如磁条、光学字符识别(OCR)、条码、非接触技术等。1范围识别卡柔性薄卡第2部

5、分：磁记录技术GBT 281772201 1GBT 28177的本部分规定了在生命周期内的两个时点上的柔性薄卡上磁条和编码特性的要求装载到卡发行设备时；发行给公众时。在各种环境条件下存储和使用成品卡(包括磁条卡)的相关指引在ISOIEC 15457一i中给出。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。ISO 4287产品几何技术规范(GPS) 表面结构：轮廓法 术语、定义及表面结构参数(Geometrical Product Specifications(GPS)-

6、Surface texture：Profile method Terms，definitions andsurface texture parameters)ISOIEC 78112 识别卡 记录技术 第2部分：磁条 低矫顽力(Identification cardsRecording technique-Part 2：Magnetic stripe-Low coereivity)ISOIEC 78116 识别卡 记录技术 第6部分：磁条 高矫顽力(Identification cardsRecording technique-Part 6：Magnetic stripe-High coerc

7、ivity)ISOIEC 154571识别卡柔性薄卡第1部分：物理特性(Identification cards-Thin flexiblecards-Part 1：Physical characteristics)ISOIEC 154573识别卡柔性薄卡第3部分：测试方法(Identification cards-Thin flexiblecardsPart 3：Test methods)3术语和定义、缩略语31来语和定义ISOIEC 154571中界定的以及下列术语和定义适用于本文件。311磁道track由单通道磁记录读写界面编码的数据所占据的磁条表面区域。312中心磁条central s

8、tripe位于卡横向轴中心的磁条。313旁侧磁条lateral stripe任何不位于卡横向轴中心的横向磁条。GBT 2817722011314重复使用的卡re-usable card可从现场(通常由自动设备操作)被恢复和被重复发行的耐用卡。315未编码未使用的卡unused unencoded card具有预期用途所要求的全部组件，未进行过任何个人化或测试操作，并且被保存在清洁的环境中，在5-30的温度和1090的湿度条件下并且暴露在目光下的时间不超过48 h，也未遭受过热力冲击的卡。316已编码未使用的卡unused encoded card根据315，为了将来的应用，只是数据已被编码(例

9、如，磁编码、印刷等)的卡。注：在ISO 78112中使用的涉及凸印和电子编码的定义没有在本标准中解释。然而，在柔性薄卡的应用中，发行印刷(相对于预印刷)经常伴随磁条编码。317返回的卡returned card根据316，在它被发放给持卡人后为了测试的目的又返回的卡(如可重复使用的卡被返回以能重复发行)。注：在柔性薄卡的某些应用中，测试返回的卡的目的是为了确认其是否适合重复发行重复使用。此类测试一般由批量分类编码设备自动完成。318R。，R：按ISO 4287定义的表面不规则测量值。319最大磁场maximum field日按测试方法描述的被施加的最大磁场强度的绝对值。3110矫顽力coerc

10、ivityHmH“连续作用的磁场把磁性材料从先前的饱和磁化状态，沿相反方向把磁化减小到零时，在与磁条纵轴平行的方向测量到的磁场强度。3111纵向矩形比longitudinal squarenessSQ=MrM(当日一)沿磁条纵轴方向测量到的剩磁(M，)与磁场强度最大值(H一)对应的磁化强度(M)的比值。3112开关场分布swish field by derivativeSFD静态磁化由线M(H)的微分曲线的半高宽度除以同一曲线上矫顽力的值。3113开关场斜率switch field by slopeSFs在静态磁化M(H)回路上截取M(H)一o5M。和M(H)一一05M，时的磁场强度的差值，除

11、以矫2GBT 2817722011顽力。表示如下：sFs一(1H：fIH，I)HL，其中M(一IH。1)一o5m,，M(一lH：I)一-05M：。3114记录技术recording techniqae用于在卡上存储数据的技术，如磁编码或光编码。3115标称位密度nominal bit densityDR一个磁道上规定的编码密度。3116最大测试电流maximum test currentI一用于测试TFC磁条的两个测试写电流中较大的测试电流。3117 最大测试密度maximtest densityD用于测试TFC磁条的两个测试记录密度中较大的测试密度。3118最小测试电流minimum tes

12、t currentIm用于测试TFC磁条的两个测试写电流中较小的测试电流。3119最小测试密度minimum test densityDm用于测试TFC磁条的两个测试密度中较小的测试密度。3120单个信号幅度individual signal amplitudeU单个读出信号脉冲的基一峰值幅度。3121平均信号幅度average signal amplitudeU读出波形中出现的多个单信号幅度的绝对值的算术平均值：u*生(n为单个信号幅度的个数)modulation由公式m一些赭定义的读出信号变化范围。式中，U，为以Dm“和Jm蛆条件下记录的单个读出信号幅度，u“为相同条件下记录的平均读出信号

13、幅度。32缩略语TFC：柔性薄卡(Thin Flexible Card)3吣挖洲。3GBT 2817722011NRZ：非归零电平编码(NonReturn to Zero)4一般特性41介绍TFC0、TFC1和TFC5三种卡的规格在ISOIEC 154571中定义。每种规格的卡的共同物理特性及几何外形特性在ISOIEC 154571中规定。在本部分，每种规格的卡的磁条及磁道的物理特性在单独的章条中规定。共同的特性在第4章中规定。允许的磁特性和编码特性在附录中规定。本标准所有部分的全部条款适用于成品卡或可得到这些卡的卷筒包装。然而某些条款，如耐久性，是卡的整个生命周期都涉及到的特性。考虑到方便性

14、和实用性，只要能被证明其特性在随后的处理中没有大的变化，某些测试可以在非成品卡上进行。42对所有规格的共同要求421一般要求柔性薄卡根据其应用系统要求的不同可以通过不同的方法制成。本部分规定了带有磁条的柔性薄卡。根据本部分，磁条可以被磁化编码。磁条和磁条编码的增加不应影响成品卡符合本标准的其他部分。当卡带有磁条时，应不存在可能会影响使用的缺陷，如连接、不连续、微粒缺失、嵌入碎片、折痕、压痕和严重污染。它们不应与卷筒或包装上相邻的卡胶着或在相邻卡上留下压痕。422参考边一旦认定卡片符合ISOIEC 154571定义的准则，相同卡的正面和参考边将唯一确定，并且贯穿使用于本标准的所有相关部分，包括本

15、部分。注1：对于一个中心磁条而言，在参考边和编码信息起始间有一种唯一关系的约束。注2：例如，对旁侧磁条而言，参考边和磁条的唯一约束关系见图1。参考边由黑色三角标出。图1旁侧磁条的参考边43环境条件431测试环境本部分规定的特性的测试环境在IsOIEC 154573中已规定。432存储环境和包装按照ISOIEC 154571规定的存储环境和包装条件进行存储后的磁条应始终符合本部分的规定。4GBT 2817722011433使用环境在IsOIEc 154571规定的使用环境中使用的磁条应保持结构上的可靠性和可用性。5磁条的特性51磁条表面511凸起为了适应磁条(如磁带)的生产过程，本部分定义了以下

16、两种类型的凸起类型1：基材表面磁条的表面最大凸起应不小于0 pm不大于12 pm。类型2：基材表面磁条的表面最大凸起应不小于0 pm不大于25 pm。类型2凸起只允许在纸质或复合材质制成的TFC1卡上存在。512轮廓偏差穿过大于3 mm宽度磁条的直线与磁条轮廓的偏差，应小于8 ptm。513粗糙度沿与磁条的高度和宽度平行的方向测量到的磁条表面粗糙度应符合表1的要求。表1磁条粗糙度 单位为微米编码密度 R。(最大) R。(最大)3 bitmm 16 103 bitram 14 8514磁条区域翘曲由于磁条应用导致的卡片材料的最大变形应为：当卡的背面平放在一个平面上，在其正面均匀地施加一个22 N

17、的力，从磁条上任意一点测量到的与平面间的最大垂直距离不得超过80 Ixm。515磁条区域卷曲卡的正面平放在一个平面上，当在磁条的下边缘和卡的下边缘之间的区域施加一个49 N的力，单张卡的卷曲不应超过1 mm(见图2)。图2磁条区域的卷曲GBT 281772201152磁条粘合在卡的整个生命周期中，磁条都应与卡片材料保持牢固的粘合。在不剥离部分卡片材料的情况下，磁条不能被去除。磁条材料与卡片表面的粘合应为：不论使用何种方法，磁条都不能被完整去除。而且，去除磁条的任何部分都会导致卡片表面肉眼可见的损坏。53磁条寿命531磁条磨损经过适当的磨损测试后，磁条被磨损的部分应仍然符合在A1中给出的返回的卡

18、的性能要求。532其他要求所有磁条，应能抵抗卡在正常使用时暴露于光线及其他可能遇到的环境因素的劣化影响。对于可能影响到预期寿命的非常规要求条件，在选择合适的材料和制造方法时应予以考虑。54磁特性附录A规定了磁特性分为三种类型。类型L和类型H可用于任何TFC规格。类型S只可用于使用TFC0格式的现有应用。55磁条预留区磁条区域应延伸到覆盖卡片背面的全部宽度。磁条的位置和尺寸直接决定可使用的磁道数量(磁道高度和位置在下面的章条中定义)。除非对卡的规格和磁道位置做出特别声明，磁道高度应覆盖包含所有已使用的磁道的区域，并且覆盖到距离它们上下边界至少08 1TlITl的位置，如图3所示。说明：n08 m

19、m；6O8 FnITI。6 TFC0数据记录61磁道特性62磁道数量TFC0卡应具有一个中心磁道。6图3最小磁条区域621磁道位置GBT 281772201 1磁道位置应如图4所示。磁道应占据磁条的全部高度。注：实际上，写磁道的高度(也即写头磁道的高度)会大于以上定义的磁条高度。因此，磁道高度由磁条高度决定说明：对于A型磁条：a-1420 mm最,1430 mE最大；61580 mm Ib1590 mm最大。对于B型磁条：a=1260 mm t、1290 mm最大；b=1760 mm最,b1790 mm最大。63编码特性631编码数据图4 TFC0磁道位置中心磁道具有读和写的功能。632编码方

20、式和位密度TFC0应以135 bitram或3 bitram的位密度进行编码，采用F2F或分相的编码方式(见附录B)。633编码区距离任何卡边缘15 mm之内的磁条区域不包含在编码区内，此区域应用零进行填充。在其余区，信息应从最靠近卡参考边的位置开始编码。编码区应允许的记录为：至少8个前导和后导零位用于同步；应用数据。7 TFC1数据记录71磁道特性711磁道数量TFC1卡应对一个位于中心或旁侧的单一磁道或者最多四个旁侧磁道进行编码。712中心磁道的位置单一中心磁道的位置应如图5所示。7GB1r 2817722011彳一亍一丁项目 中心磁道最大2559 1,nTll6 最大2839 rlr1标

21、称2699 Iill11图5 TFC1中心磁道的位置713多磁道的位置多个旁侧磁道的位置应如图6所示。8， 、亍一亍一丁项目 磁道1 磁道2 磁道3 磁道4最小833 T13i11 最小1163 1T,_1一1 最小1582 irnl33最大579 TET11 最大909 1T111 最大1265 rnTll 最大1621 133rn最小833 T11i11 最小1163 T13m 最小1519 TnTn 最小1875 111111b最大909 rt3133 最大1265mm 最大】582mm 最大1951 mm标称706 I】113rl 标称1036 TNITI 标称1392 133113

22、标称1748 mm图6 TFC1卡多个旁侧磁道的位置kGBT 28177 22071 4单一旁侧磁道的位置单一旁侧磁道的位置应为图6所示的4个磁道中的任意一个的位置。72 TFC 1特定磁条要求TFC卡在被公开发行后，其磁条预留区不应被印刷或任何机器处理所干扰。然而，如果有需要，来使用的磁道占据的区域在发行时可被预印刷或印刷。因此根据磁条区的定义(见73)，最小磁条区能够容纳如图7所示的同一张卡上的全部可能的磁道。f，。十心磁通(6 8 mmt誊)说明：一5 39 mm；6=19 68 mm一2359 mm；d一30 59 mm-注：最小氆条预留区的最大值，为将来的磁道位置(如位于上参考边和旁

23、侧磁道1之间的磁道o)僦了充分的准备从上边绦向下一直扩展到中心磁条的下边界图7 TFC1磁条预留区73编码特性73，1编码数据中心磁道和所有旁侧磁道均具有读和写的功能。732编码方式和缩码密度TFC1卡上的磁道应以135 bitram或3 bitram的位密度使用F2F的方式进行编码(见附录B)。同一张卡上不同的磁道允许使用不同的密度进行编码。733编码区距离任何卡边缘29mill之内的磁条区域不包含在编码区内，此区域应用零进行填充。在其余区，信息应从最靠近卡参考边的位置开始编码。编码区应允许的记录为z至少10个前导和后导零位用于同步应用数据。作为选择，指定为最大可用位区的磁道部分可被分割为多

24、个独立的编码区称为。块”。可对这些独立的块进行写人，每个块都应有前导军和后导零。洼：独立块的编码可能台导致伪读出信号麓写块与块之I可的空昧。9GBT 28177 2208 TFC5数据记录81磁道特性8 1 1磁道数量TFC5卡最多可有4个旁侧磁道。812磁道的位置磁道的位置如图6所示。8 2 TFC5特定磁条要求当全部4个磁道都被使用时磁条位置应如图8所示说明：一5 396=19 68m“囤8 4个磁道的磁条位置和高度83编码特性831编码数据所有4个磁道均具有读和写的功能。832编码方式和编码密度TFC5卡上的磁道应以3 bitmm、6 bitmm或83 bitram的位密度使用F2F的方

25、式进行编码(见附录B)。同一张卡上不同的磁道允许使用不同的密度进行编码。833编码区距离任何卡边缘29 rltrl!以内或者距离穿孔线A和C15mm以内的磁条区域，不包含在编码区内，此区域应用零进行填充。在其余的两个区内，对应于卡的第l部分和第2部分(见ISOIECl5457 1)，信息应从最靠近卡参考边的位置开始编码。每个编码区的内容应为：第1部分z在应用数据前和后至少应有21个零位用于同步；第2部分：在应用数据前和后至少应有21个零位用于同步。作为选择，指定为最大可用位区的磁道部分可被分割为多个独立的编码区，称为。块”。可对这些独立的块进行写入，每个块都应有自己的前导零和后导零。洼：独立块

26、的编码可能会导致伪读出信号被写人块与块之间的空隙。10附录A(规范性附录)磁特性类别本附录规定了在本标准的分类表中指定的s、L和H类别磁条的磁特性。类别S只用于支持已有的应用，不宜再用于新的应用。A1信号幅度要求A11新的、未编码未使用的卡新的、未使用、未编码的磁条的信号幅度特性要求见表A1。表A1信号和噪声要求GBT 2817722011符号 测试密度t 测试电流。 类别S 类别L 类别Ho4URul 08URul 08URU1UAl D。 jUAlo65UR Ul13UR Ul12URUd D。 J U107UR U1136UR Un126URUA2 D I一 04URUAz 08URU此

27、 08URUA2U船 D In， 07uA2UM 07uz【，船 07Uz【，3U D。 In。 033URu。2 055URU2 065URU2M。 D山。 In， 015 015 015U4 0(dc) I uA002UR UM003UR uMo03URU“ 0(dC) j U003UR 巩005UR U“005URU5 0(de) Id 无规定 无规定 08uRU5矾5 0(dc) 厶 无规定 元规定 07矾巩UA6 3(75) I一 无规定 无规定 无规定Um 4 3(75) I一 无规定 无规定 U*007UM注：I和I叫，之间饱和曲线的斜率不应为正值。1由符号u代表的测量量值在第3

28、章中定义，但为了完整地理解，它应被相关连的浏试方法读出(见IsOIEc15457-3)。这些量值在测试方法中定义(见ISOEC 154573)。此要求可适用于有需要的应用。这对于D一1型卡(见IsOIEc 78112和ISOIEC 78116)的相应要求是附加的。此要求只适用于塑料基材的TFC卡(见ISOIECl54571)。对于使用其他材料为基材的卡，建议其限值由客户和供应商进行协商。GBT 2817722011A12已编码未使用的卡064【，R【，136UR注：此标准也适用于重复使用的卡，该卡在重复发行点上“刷新”其编码。A13返回的卡052URU136UR注：上述要求说明对每一个以指定位

29、密度编码的磁道位置上可交换信号的幅度限制。表A1规定的信号幅度要求反应了在指定记录频率和记录测试电流条件下对磁介质的限制。A2静磁特性如果应用要求了磁条的静态特性规格，它们应如表A2所示，或者对于更多的应用要求，参见GBT151206附录C。表A2静磁特性量值1 类别s 类别L 类别H矫顽力Hc“(kAm) 19225 22532 200335矩形比SQ 07 O7 08开关场SF。 07 07 07开关场SF。 无规定 无规定 05这些量值对不同的解释是开放的，并且其数值也会因测试条件和测试方法的不同而不同。为建立此标准的一致性，只能使用在ISOIEC 154573中定义的确切的解释和测量条

30、件。12附录B(规范性附录)编码类别本附录定义了主体为本部分的TFC磁条的磁编码方式和特性要求。B1编码方式TFC磁条应使用以下编码方式中的一种进行编码。注：对于新的应用建议使用F2F。B11 W2F一个F2F位流由一个如下NRZ位流构成，见图B1在相同位间隔内插入了极性翻转；在每位“1，的中间点插入额外的极性翻转。注：F2F编码对磁化极性不敏感，即与磁通积转的方向无关。GBT 2817722011。f。f。NRZ信号卜 厂 厂 A- 一F F F 2 F 2 F 2 FF2F信号图B1 F2F编码B12分相一个分相位流由如下NRZ位流构成，见图B2：插入相同问隔的极性翻转，每位一个，“o”位

31、和“1”位极性相反；“位”翻转间的中间必需插入额外的极性翻转。洼：分相编码对磁化极性敏感，即与磁通翻转的方向有关。I。l。l。NRZ信号一厂 -L Z n n n -k -k Z 分相信号图B2分相编码GBT 2817722011B2编码位密度TFC编码位密度应为如下一种；135 bitram(34 bitin)士5；3 bitmm(75 bitin)士5；6 bitram(150 bitin)士5；83 bitmm(210 bitin)土5。B21磁通翻转角度已记录的磁通翻转应与卡的横向参考边垂直，角度容差如下平均位密度为136 bitmm(34 bitin)：土13。；平均位密度为3 bi

32、tmm(75 bitin)：土08。；平均位密度为6 bitmm(150 bitin)：05。；平均位密度为83 bitmm(210 bitin)：o5。B22磁通翻转间距密度为3 bitram的第2磁道的磁通翻转间距应符合ISOIEC 781卜2(类别L和类别s)或ISOIEC 7811-6(类别H)中给出的要求。密度为83 bitmm的第3磁道的磁通翻转间距应符合ISOIEC 7811-2(类别L和类别s)或1so1EC 7811-6(类别H)中给出的要求。对标称位密度为1_35 bitmm和6 bitram的磁道，卡磁通翻转间距变化对已编码未使用的卡见表B1，对返回的卡见表B2。表B1

33、已编码未使用的卡的磁通翻转间距变化术语 描 述 要 求 变化B。 时钟磁通翻转间的平均长度 o9SDRB。105DR 土5B，。 时钟磁通翻转间的单个长度 093D。B。107DR 士7B 相邻位与位间的变化 090B。B110B，。 士10S。 子间距的长度 045DRs。055DR 士10S+1 相邻子问距的长度 o44B。S一。o56B。 土12注B。或S是紧邻B。的下一个磁通翻转间的距离。表B2返回的卡的磁通翻转间距变化术语 描 述 要 求 变化B 时钟磁通翻转间的平均长度 095DRB。1OSDR -k5B。 时钟磁通翻转问的单个长度 085DRB。115DR 土15BI 相邻位与位闽的变化 085风风+1115B。 士15S。 子间距的长度 040DRS。060DR 土20Sm+1 相邻子间距的长度 035B。S斛1065B。 士30B斛。或S是紧邻B。的下一个磁通翻转问的距离。注：本表只对具有正常功能的卡做出了限定，并不表示对已发行的卡整个有效期内磁通翻转间距的任何保证。参考文献1IEC 50(221)，国际电工词汇第221章：磁性材料和组件GBT 28177220”