(聊城专版)2018年中考政治第二部分突破重点专题赢取考场高分板块七家乡建设专题一民生聊城课件.ppt

上传人:bowdiet140 文档编号:1199452 上传时间:2019-05-18 格式:PPT 页数:8 大小:1.05MB
下载 相关 举报
(聊城专版)2018年中考政治第二部分突破重点专题赢取考场高分板块七家乡建设专题一民生聊城课件.ppt_第1页
第1页 / 共8页
(聊城专版)2018年中考政治第二部分突破重点专题赢取考场高分板块七家乡建设专题一民生聊城课件.ppt_第2页
第2页 / 共8页
(聊城专版)2018年中考政治第二部分突破重点专题赢取考场高分板块七家乡建设专题一民生聊城课件.ppt_第3页
第3页 / 共8页
(聊城专版)2018年中考政治第二部分突破重点专题赢取考场高分板块七家乡建设专题一民生聊城课件.ppt_第4页
第4页 / 共8页
(聊城专版)2018年中考政治第二部分突破重点专题赢取考场高分板块七家乡建设专题一民生聊城课件.ppt_第5页
第5页 / 共8页
点击查看更多>>
资源描述

1、第二部分 突破重点专题 赢取考场高分,板块七 家乡建设,专题1 民生聊城,【命题猜押】 1党和政府怎样解决民生问题?(1)全面贯彻落实科学发展观,努力构建和谐社会。 (2)贯彻“三个代表”重要思想,践行“以人为本、执政为民、和谐发展”的执政理念。 (3)坚持党的基本路线不动摇,以经济建设为中心,大力发展生产力,坚定不移推进改革开放。 (4)实施科教兴国、可持续发展、西部大开发等战略,全面建成小康社会,实现共同富裕。 (5)加快推进以改善民生为重点的社会建设,大力弘扬顽强拼搏、同舟共济的抗灾精神。 (6)政府部门要依法行政,切实解决群众最关心、最直接、最现实的利益问题。,2关注民生、保障民生、改

2、善民生体现了我国社会主义的什么原则?体现了共同富裕是社会主义的根本原则。3我市实施一系列改善民生的举措,突出体现了构建和谐社会的哪一具体要求?为什么要这样做?(1)公平正义。 (2)公平正义是人们在社会生活中追求的一个重要主题,社会稳定发展需要公平。实施一系列改善民生的举措,有利于维护社会公平;正义因制度而有保障,没有正义制度的支持,就难以实现真正的社会公平。实施一系列改善民生的举措,是维护正义制度的保证。,4我市加快农村危房、城市棚户区改造有什么重要意义?(1)有利于推进新农村和城镇化建设改善农村和棚户区居民的生存条件,提高他们的幸福指数,体现社会主义制度的优越性。 (2)有利于改善农村落后

3、面貌,提升和完善城市功能,促进城乡协调发展。 (3)有利于增加社会就业,缓解社会就业压力,推动经济和社会发展。 (4)有利于密切党同人民群众的血肉联系,减少社会矛盾,促进社会和谐。 (5)有利于保障和改善民生,使人民共享改革发展成果。,5为解决民生问题,我市采取了哪些重大举措?(1)实施城镇居民医疗保险、新型农村合作医疗合并、加大就医报销比例。 (2)增加资金投入,加快农村危房、城区棚户区改造。 (3)实施扶贫攻坚,精准扶贫、精准脱贫。 (4)加快推进县域内城乡义务教育学校建设标准统一,推动城乡义务教育均衡发展。 (5)加快户籍制度改革,支持农民工在城镇落户。 (6)完善收入分配制度,提高最低

4、工资标准等。,6为保障和改善民生,我们青少年能做些什么?(1)树立远大理想,增强社会责任感,立志成才。 (2)珍惜受教育机会,不断提高个人综合素质,自觉肩负起振兴中华的历史使命。 (3)关注我市建设,关心、帮助弱势群众,积极宣传党和政府的惠民政策,运用所学知识为党和政府解决民生问题提出一些可行性建议。,7为更好地解决民生问题,推动幸福聊城建设,我市应着力做好哪些方面的工作? (1)坚持以经济建设为中心,大力发展生产力,不断满足人民日益增长的物质文化需要。 (2)深化收入分配制度改革,不断增加城乡居民收入,努力实现共同富裕。 (3)继续贯彻实施创新驱动发展战略,不断提升我市的创新能力。 (4)坚持依法治国的基本方略、正确处理各种社会矛盾,切实维护公平正义。 (5)加强社会主义精神文明建设,大力弘扬社会主义先进文化,不断提高人们的思想道德素质和科学文化素质。 (6)坚持可持续发展战略,努力建设“资源节约型、环境友好型”城市,让人民生活得更舒心。 (7)采取有效措施,着力解决医疗、住房、教育等事关百姓生活质量的民生问题。,

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
  • DLA MIL-PRF-19500 430 C-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE DUAL FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL SILICON TYPES 2N5545 2N5546 AND 2N5547 JAN JANTX AND JANTXV.pdf DLA MIL-PRF-19500 430 C-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE DUAL FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL SILICON TYPES 2N5545 2N5546 AND 2N5547 JAN JANTX AND JANTXV.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 431 E-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL SILICON TYPES 2N4091 2N4092 2N4093 2N4091UB 2N4092UB AND 2N4093UB JAN JANTX AND JANTXV.pdf DLA MIL-PRF-19500 431 E-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL SILICON TYPES 2N4091 2N4092 2N4093 2N4091UB 2N4092UB AND 2N4093UB JAN JANTX AND JANTXV.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 433 H VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Transistor PNP Silicon High-Power Type 2N4399 and 2N5745 JAN JANTX JANTXV and JANS.pdf DLA MIL-PRF-19500 433 H VALID NOTICE 1-2011 Semiconductor Device Transistor PNP Silicon High-Power Type 2N4399 and 2N5745 JAN JANTX JANTXV and JANS.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 435 L-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON LOW-NOISE VOLTAGE REGULATOR TYPES 1N4099-1 THROUGH 1N4135-1 1N4614-1 THROUGH 1N4627-1 1N4099UR-1 THROUGH 1N4135UR-1 A.pdf DLA MIL-PRF-19500 435 L-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON LOW-NOISE VOLTAGE REGULATOR TYPES 1N4099-1 THROUGH 1N4135-1 1N4614-1 THROUGH 1N4627-1 1N4099UR-1 THROUGH 1N4135UR-1 A.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 436 A VALID NOTICE 2-2011 Semiconductor Device Diode Silicon Voltage-Variable Capacitor Types 1N5461B thru 1N5476B and 1N5461C thru 1N5476C JAN JANTX and JANTXV.pdf DLA MIL-PRF-19500 436 A VALID NOTICE 2-2011 Semiconductor Device Diode Silicon Voltage-Variable Capacitor Types 1N5461B thru 1N5476B and 1N5461C thru 1N5476C JAN JANTX and JANTXV.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 439 G-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE TRANSISTOR NPN SILICON HIGH-POWER TYPES 2N5038 AND 2N5039 JAN JANTX JANTXV JANS JANHC AND JANKC.pdf DLA MIL-PRF-19500 439 G-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE TRANSISTOR NPN SILICON HIGH-POWER TYPES 2N5038 AND 2N5039 JAN JANTX JANTXV JANS JANHC AND JANKC.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 441 K-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE TRANSISTOR PNP SILICON POWER TYPES 2N3740 2N3740U4 2N3741 AND 2N3741U4 JAN JANTX JANTXV JANS JANSM JANSD JANSP JANSL JANSR JANSF J .pdf DLA MIL-PRF-19500 441 K-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE TRANSISTOR PNP SILICON POWER TYPES 2N3740 2N3740U4 2N3741 AND 2N3741U4 JAN JANTX JANTXV JANS JANSM JANSD JANSP JANSL JANSR JANSF J .pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 444 M-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON SWITCHING SCHOTTKY TYPES 1N5711-1 1N5711UR-1 1N5711UB 1N5711UBCA 1N5711UBD 1N5711UBCC 1N5712-1 1N5712UR-1 1N5712UB 1-.pdf DLA MIL-PRF-19500 444 M-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON SWITCHING SCHOTTKY TYPES 1N5711-1 1N5711UR-1 1N5711UB 1N5711UBCA 1N5711UBD 1N5711UBCC 1N5712-1 1N5712UR-1 1N5712UB 1-.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 446 E VALID NOTICE 1-2013 Semiconductor Device Silicon High-Power Single Phase Full Wave Bridge Rectifier Types SPA25 SPB25 SPC25 and SPD25 JAN JANTX and JANTXV.pdf DLA MIL-PRF-19500 446 E VALID NOTICE 1-2013 Semiconductor Device Silicon High-Power Single Phase Full Wave Bridge Rectifier Types SPA25 SPB25 SPC25 and SPD25 JAN JANTX and JANTXV.pdf
  • 相关搜索

    当前位置:首页 > 教学课件 > 中学教育

    copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
    备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1