1、 NORME INTERNATIONALECEIIECINTERNATIONAL STANDARD 62373Premire ditionFirst edition2006-07Essai de stabilit de temprature en polarisation pour transistors effet de champ mtal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET
2、) Numro de rfrence Reference number CEI/IEC 62373:2006 Numrotation des publications Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI sont numrotes partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 devient la CEI 60034-1. Editions consolides Les versions consolides de certaines publications de la CEI incorpo
3、rant les amendements sont disponibles. Par exemple, les numros ddition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent respectivement la publication de base, la publication de base incorporant lamendement 1, et la publication de base incorporant les amendements 1 et 2. Informations supplmentaires sur les publications de
4、la CEI Le contenu technique des publications de la CEI est constamment revu par la CEI afin quil reflte ltat actuel de la technique. Des renseignements relatifs cette publication, y compris sa validit, sont dispo-nibles dans le Catalogue des publications de la CEI (voir ci-dessous) en plus des nouve
5、lles ditions, amendements et corrigenda. Des informations sur les sujets ltude et lavancement des travaux entrepris par le comit dtudes qui a labor cette publication, ainsi que la liste des publications parues, sont galement disponibles par lintermdiaire de: Site web de la CEI (www.iec.ch) Catalogue
6、 des publications de la CEI Le catalogue en ligne sur le site web de la CEI (www.iec.ch/searchpub) vous permet de faire des recherches en utilisant de nombreux critres, comprenant des recherches textuelles, par comit dtudes ou date de publication. Des informations en ligne sont galement disponibles
7、sur les nouvelles publications, les publications remplaces ou retires, ainsi que sur les corrigenda. IEC Just Published Ce rsum des dernires publications parues (www.iec.ch/online_news/justpub) est aussi dispo-nible par courrier lectronique. Veuillez prendre contact avec le Service client (voir ci-d
8、essous) pour plus dinformations. Service clients Si vous avez des questions au sujet de cette publication ou avez besoin de renseignements supplmentaires, prenez contact avec le Service clients: Email: custserviec.ch Tl: +41 22 919 02 11 Fax: +41 22 919 03 00 Publication numbering As from 1 January
9、1997 all IEC publications are issued with a designation in the 60000 series. For example, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1. Consolidated editions The IEC is now publishing consolidated versions of its publications. For example, edition numbers 1.0, 1.1 and 1.2 refer, respectively, to the b
10、ase publication, the base publication incorporating amendment 1 and the base publication incorporating amendments 1 and 2. Further information on IEC publications The technical content of IEC publications is kept under constant review by the IEC, thus ensuring that the content reflects current techn
11、ology. Information relating to this publication, including its validity, is available in the IEC Catalogue of publications (see below) in addition to new editions, amendments and corrigenda. Information on the subjects under consideration and work in progress undertaken by the technical committee wh
12、ich has prepared this publication, as well as the list of publications issued, is also available from the following: IEC Web Site (www.iec.ch) Catalogue of IEC publications The on-line catalogue on the IEC web site (www.iec.ch/searchpub) enables you to search by a variety of criteria including text
13、searches, technical committees and date of publication. On-line information is also available on recently issued publications, withdrawn and replaced publications, as well as corrigenda. IEC Just Published This summary of recently issued publications (www.iec.ch/online_news/justpub) is also availabl
14、e by email. Please contact the Customer Service Centre (see below) for further information. Customer Service Centre If you have any questions regarding this publication or need further assistance, please contact the Customer Service Centre: Email: custserviec.ch Tel: +41 22 919 02 11 Fax: +41 22 919
15、 03 00 . NORME INTERNATIONALECEIIECINTERNATIONAL STANDARD 62373Premire ditionFirst edition2006-07Essai de stabilit de temprature en polarisation pour transistors effet de champ mtal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors
16、 (MOSFET) Pour prix, voir catalogue en vigueur For price, see current catalogue IEC 2006 Droits de reproduction rservs Copyright - all rights reserved Aucune partie de cette publication ne peut tre reproduite ni utilise sous quelque forme que ce soit et par aucun procd, lectronique ou mcanique, y co
17、mpris la photocopie et les microfilms, sans laccord crit de lditeur. No part of this publication may be reproduced or utilized in any form or by any means, electronic or mechanical, including photocopying and microfilm, without permission in writing from the publisher. International Electrotechnical
18、 Commission, 3, rue de Varemb, PO Box 131, CH-1211 Geneva 20, SwitzerlandTelephone: +41 22 919 02 11 Telefax: +41 22 919 03 00 E-mail: inmailiec.ch Web: www.iec.ch CODE PRIX PRICE CODE N Commission Electrotechnique InternationaleInternational Electrotechnical Commission 2 62373 CEI:2006 SOMMAIRE AVA
19、NT-PROPOS4 INTRODUCTION.8 1 Domaine dapplication 10 2 Termes et dfinitions 10 3 Equipement dessai 14 3.1 Equipement .14 3.2 Exigences de manipulation14 4 Echantillonnage dessai16 4.1 Echantillon 16 4.2 Encapsulation16 4.3 Circuit de protection les DES.16 5 Procdure 18 5.1 Mesure initiale et mesure d
20、u point de lecture 18 5.2 Essai.18 5.3 Notes pour MOSFET de champ .20 5.4 Jugement 22 Annexe A (informative) Essai de fiabilit au niveau de la plaquette (WRL).24 Bibliographie.26 Figure 1 Courbe VGS-IDSexplicative de Vth-ex12 Figure 2 Connexion entre les lectrodes MOSFET et les bornes externes .16 F
21、igure 3 Exemple de circuit de protection contre les DES 18 Figure 4 Circuit dessai BT MOSFET (Nch) 20 62373 IEC:2006 3 CONTENTS FOREWORD.5 INTRODUCTION.9 1 Scope.11 2 Terms and definitions .11 3 Test equipment.15 3.1 Equipment.15 3.2 Requirement for handling 15 4 Test sample17 4.1 Sample17 4.2 Packa
22、ging .17 4.3 ESD protection circuit17 5 Procedure 19 5.1 Initial measurement and read point measurement19 5.2 Test.19 5.3 Notes for field MOSFET 21 5.4 Judgment 23 Annex A (informative) Wafer level reliability test (WLR test).25 Bibliography27 Figure 1 VGS-IDScurve to explain Vth-ex.13 Figure 2 Conn
23、ection between MOSFET electrodes and external terminals .17 Figure 3 Example of ESD protection circuit 19 Figure 4 MOSFET BT test circuit (Nch) 21 4 62373 CEI:2006 COMMISSION LECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE _ ESSAI DE STABILIT DE TEMPRATURE EN POLARISATION POUR TRANSISTORS EFFET DE CHAMP MTAL-OXYDE-S
24、EMICONDUCTEUR (MOSFET) AVANT-PROPOS 1) La Commission Electrotechnique Internationale (CEI) est une organisation mondiale de normalisation compose de lensemble des comits lectrotechniques nationaux (Comits nationaux de la CEI). La CEI a pour objet de favoriser la coopration internationale pour toutes
25、 les questions de normalisation dans les domaines de llectricit et de llectronique. A cet effet, la CEI entre autres activits publie des Normes internationales, des Spcifications techniques, des Rapports techniques, des Spcifications accessibles au public (PAS) et des Guides (ci-aprs dnomms “Publica
26、tion(s) de la CEI“). Leur laboration est confie des comits dtudes, aux travaux desquels tout Comit national intress par le sujet trait peut participer. Les organisations internationales, gouvernementales et non gouvernementales, en liaison avec la CEI, participent galement aux travaux. La CEI collab
27、ore troitement avec lOrganisation Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixes par accord entre les deux organisations. 2) Les dcisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques reprsentent, dans la mesure du possible, un accord international sur les suj
28、ets tudis, tant donn que les Comits nationaux de la CEI intresss sont reprsents dans chaque comit dtudes. 3) Les Publications de la CEI se prsentent sous la forme de recommandations internationales et sont agres comme telles par les Comits nationaux de la CEI. Tous les efforts raisonnables sont entr
29、epris afin que la CEI sassure de lexactitude du contenu technique de ses publications; la CEI ne peut pas tre tenue responsable de lventuelle mauvaise utilisation ou interprtation qui en est faite par un quelconque utilisateur final. 4) Dans le but dencourager luniformit internationale, les Comits n
30、ationaux de la CEI sengagent, dans toute la mesure possible, appliquer de faon transparente les Publications de la CEI dans leurs publications nationales et rgionales. Toutes divergences entre toutes Publications de la CEI et toutes publications nationales ou rgionales correspondantes doivent tre in
31、diques en termes clairs dans ces dernires. 5) La CEI na prvu aucune procdure de marquage valant indication dapprobation et nengage pas sa responsabilit pour les quipements dclars conformes une de ses Publications. 6) Tous les utilisateurs doivent sassurer quils sont en possession de la dernire ditio
32、n de cette publication. 7) Aucune responsabilit ne doit tre impute la CEI, ses administrateurs, employs, auxiliaires ou mandataires, y compris ses experts particuliers et les membres de ses comits dtudes et des Comits nationaux de la CEI, pour tout prjudice caus en cas de dommages corporels et matri
33、els, ou de tout autre dommage de quelque nature que ce soit, directe ou indirecte, ou pour supporter les cots (y compris les frais de justice) et les dpenses dcoulant de la publication ou de lutilisation de cette Publication de la CEI ou de toute autre Publication de la CEI, ou au crdit qui lui est
34、accord. 8) Lattention est attire sur les rfrences normatives cites dans cette publication. Lutilisation de publications rfrences est obligatoire pour une application correcte de la prsente publication. 9) Lattention est attire sur le fait que certains des lments de la prsente Publication de la CEI p
35、euvent faire lobjet de droits de proprit intellectuelle ou de droits analogues. La CEI ne saurait tre tenue pour responsable de ne pas avoir identifi de tels droits de proprit et de ne pas avoir signal leur existence. La Norme internationale CEI 62373 a t tablie par le comit dtudes 47 de la CEI: Dis
36、positifs semiconducteurs. Le texte de cette norme est issu des documents suivants: FDIS Rapport de vote 47/1862/FDIS 47/1875/RVD Le rapport de vote indiqu dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant abouti lapprobation de cette norme. Cette publication a t rdige selon les Dir
37、ectives ISO/CEI, Partie 2.62373 IEC:2006 5 INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION _ BIAS-TEMPERATURE STABILITY TEST FOR METAL-OXIDE, SEMICONDUCTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTORS (MOSFET) FOREWORD 1) The International Electrotechnical Commission (IEC) is a worldwide organization for standardization com
38、prising all national electrotechnical committees (IEC National Committees). The object of IEC is to promote international co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields. To this end and in addition to other activities, IEC publishes International Sta
39、ndards, Technical Specifications, Technical Reports, Publicly Available Specifications (PAS) and Guides (hereafter referred to as “IEC Publication(s)”). Their preparation is entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested in the subject dealt with may participate in this pre
40、paratory work. International, governmental and non-governmental organizations liaising with the IEC also participate in this preparation. IEC collaborates closely with the International Organization for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by agreement between the two organ
41、izations. 2) The formal decisions or agreements of IEC on technical matters express, as nearly as possible, an international consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representation from all interested IEC National Committees. 3) IEC Publications have the form
42、of recommendations for international use and are accepted by IEC National Committees in that sense. While all reasonable efforts are made to ensure that the technical content of IEC Publications is accurate, IEC cannot be held responsible for the way in which they are used or for any misinterpretati
43、on by any end user. 4) In order to promote international uniformity, IEC National Committees undertake to apply IEC Publications transparently to the maximum extent possible in their national and regional publications. Any divergence between any IEC Publication and the corresponding national or regi
44、onal publication shall be clearly indicated in the latter. 5) IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any equipment declared to be in conformity with an IEC Publication. 6) All users should ensure that they have the latest edition of this pub
45、lication. 7) No liability shall attach to IEC or its directors, employees, servants or agents including individual experts and members of its technical committees and IEC National Committees for any personal injury, property damage or other damage of any nature whatsoever, whether direct or indirect
46、, or for costs (including legal fees) and expenses arising out of the publication, use of, or reliance upon, this IEC Publication or any other IEC Publications. 8) Attention is drawn to the Normative references cited in this publication. Use of the referenced publications is indispensable for the co
47、rrect application of this publication. 9) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this IEC Publication may be the subject of patent rights. IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights. International Standard IEC 62373 has been prepared b
48、y IEC technical committee 47: Semiconductor devices. The text of this standard is based on the following documents: FDIS Report on voting 47/1862/FDIS 47/1875/RVD Full information on the voting for the approval of this standard can be found in the report on voting indicated in the above table. This publication has been drafted in accordance with the ISO/IEC Directives, Part 2. 6 62373 CEI:2006 Le comit a dcid que le contenu de cette publication ne sera pas modifi avant la date de maintenance indique sur le site web de la
