1、中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10253-91电子元器件详细规范半导体集成电路CC4046型CMOs数字锁相环Detail specification for electronic componentsSemiconductor integrated circuit-CC4046 typedieital chase-locked loop(可供认证用)1991-11-12发布1992-01-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CC4046型CMOs数字锁相环Detail specification for electronic
2、 componentsSemiconductor integrated circuit-CC4060 typeDigital phase一locked loop(可供认证用)SJ/T 10253-91本规范规定了半导体集成电路CC4046型CMOS数字锁相环质量评定的全部内容。本规范符合GB 4589.1半导体器件分立器件和集成电路总规范和GB 12750 K半导体集成电路分规范(不包括混合电路)的要求。中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。中华人民共和国机械电子工业部1991-11-12批准1992-01-01实施一1一SJ/T 10253-91国家技术监督局IEC
3、Q评定器件质量的依据:GB 4589.1半导体器件分立器件和集成电路总规范GB 12750半导体集成电路分规范(不包括混合电路)CC 4046型CMOS数字锁相环详1111规范订货资料:见本规范第7帝I机械说明外形依据:GB 7092半导体集成电路外形尺寸外形图:按GB 7092二P li 5.5 A 5.5.1D t 5.3 A 5.3.11 V 5.4 A 5.4.1引出端排列:(顶视图)_火夕_ PP 0一160 VDDOUTPD,二2150 VZINcnNP区3 14二INOUTVco二413刁OUTPD 11INH 0习RtCPS二611口P,C.口7 10 0 OUT DFM2简要
4、说明CMOS数.r锁相环半导体材料:硅封装:空封、非空封逻辑框图见本规范第Il章品种:、裳Ym-44-85 0C (E)-55-125 0C (M)1口16.2 15.4 13.5 12.6 11塑料直插(P)CC4046EP陶瓷直抽(D)CC4046EDCC4046MD黑瓷直插(I)CC4046EJCC4046MJ注意:静电敏感器件3质量评定类别11、IIIA. IIIB, IIICVss 1 8 91_I vCO一引出端符号名称见本规范第II章标志:按GB 4589.1, 2.5及本规范第6章按本规范鉴定合格的器件，其制造厂的有关资料，4极限值(绝对最大额定值)若无其它规定，适用于全工作温
5、度范围。基准电压为Vss-可在现行合格产品目录中查到。SJ/T 10253-91条款号参数符号数值单位最小最大4.1电源电压vDD-0518V4.2输入电压V,-05vDD +0.5V4.3输入电流I410mA4.4工作环境温度范MlETmb-4085.C-55125M4.5贮存温度范围T:.-65150T4.6每个封装的功耗)PD500mw注:1) P型封装在60 0C以上，D. J型封装在100 0C以上时，P。按12 mW/0C线性降额.5推荐工作条件和电特性电特性的检验要求见本规范第8章。5. 1推荐_工作条件若无其它规定，适用于全工作温度范围。基准电压为vss条款11参数符号单位5.
6、1.1VDD:月jl、5.1.2l5l5电源电压(压控振荡器部分)作固定的振荡器锁相环工作电源电压(相位比较器部分)压控振荡器工作比较器工作VDDSJ/T 20253-952电特性若无其它规定，适用于全工作温度范围。基准电压为Vss-条款号(V)一 vDDv)最刁最大最小压控振荡器部分$.2.1愉出低电平电流价L_魄s吃=0.4 V50L 一0.61 一!1.$价x=介D肠=。.$ VD VO=104.24.0冷二1.$ V1$.22输出高电平电流匕L_吮s Vp=4.6 V5七H-0.64一0.6，-2.0一1.8Vix=VDD Vp=2.$ V$-1.6-15Vp=9.$ V10-4.2-
7、4刀Vp=13.$ V1$.2.3输出低电平电压hL=凡s Vex= VDD110卜1”人5叱L0.0$0.0$100.0$155.24输出高电平电压VD.=VSS VJH= VDDJIOJ 10 kn5VOD1015相位比较器部分电源电流5一一!一一!一IN端开路I-INH端=踢D匕L=VSS VIH=布D154-加-805一10一15IN端= Vss或VDDINH端，几DVIL-VSS价“=VDDADDSJ/T 20253-9续表条款号特”“”万厂符号-55 0CVDD(V)最小最大最小5.2.9输出低电平电流VIL=魄s吃=0.4 V510H0.640.61VIH=踢。肠=0.5 V10
8、1.61.5肠=1.5 VIS4.24.05.2.10输出高电平电流VIL二Vss肠=4.6 V5几H-0.64-0.61匕“二介D吮=2.5 V5-2.0一:8Vo =9.5 V10一1.6一15肠=13.5 V15-42一t05.2.11输入低电平电压肠L =0.5 V VDH =4.5 V5VIL玲1.=I V Vom=9.V10VOL =1.5 v吃H =13.5 V155.2.12输入高电平电压VOL =0.5 V冷H =4.5 V5VIH肠L=I V肠H =9 V10VoL=1.5 V VDH=13.5 V155.2.13输入低电平电流价L，VSS VIH = VDD(IN除外)1
9、8八L-0.15.2.14输入高电平电流VIL = V55 VIH = VDD(IN除外)1811H0.15.2.15输出高阻态时低电平电流18,OIL一。.45.2.16输出高阻态时高电平电流18IOIH0.4510SJ/T 20253-续表条款号”条”一下一符号-55 0C蛛cV)最小最大最沪5218压控振荡器最高工作频率C, =50pFRz=匕(INVCO)二踢。R,=10 kit5f.1015R2=5 kQ510155.2.19相位比较器交流输入电压灵敏度f,H=100 kHz(正弦波)5犬AVS10155.2.20输出转换时间5THLITLH1015SJ/T 10253-91标志器件
10、上的标志示例:认证合格标志(适用时)CC4046ED -t-型号引出端识别标志8854111人月-十，质量评定类别制造单位商标检验批识别代码若受器件尺寸限制，允许将“检验批识别代码”，“质量评定类别”标志在器件背面。订货资料产品型号;详细规范的国家标准编号;质量评定类别;其他。氏卜乙吐试验条件和检验要求若无其它说明，本章引用条款均为GB 4589.1的条款。抽样要求:根据采用的质量评定类别，参照GB 12750第9章的有关规定。妇蛤盼的辅样蓉卖分组AQLII类III类ILAQLILAQLAI110.65II0.65人3II0.15II0.15人3aS41.0S41.0人3bS41.0S41.0
11、A4S41.0S4l.0SJ/T 10253-91B组、C组和D组检验的抽样要求分组LTPD1类川类ABCBI15151515CI20202020C2615151515B3 C315151515B4 C410101010B5 C510101010C620202020C715l51515B8 C8105710C91557】5CII20202020B2120101015C2320101520C2420101520D8105710A组一逐批全部试验均为非破坏性的(见3.6.6)检验或试验引用标推条件若尤其它规足，:.b=25 C(见第4章)检验要求规枢值At分组外部目检4.21.l标志清晰，表面无损
12、伤和气孔人3分组25 0C下的睁态特性GB 3834半导体集成电路CMOs电路11试方法的基本原理GB 14032半导体集成电路数字锁相环测试方法的纂本原理按本规范5.2.1至5.2.16按本规范5.2.1至5.2.16SJ/T 10253-91续表检验或试验引用标准条件若无其它规定，T6=25 0C(见第4章)检验要求规范值A3a分组”最高工作温度下的静态特性GB 3834imb按本规范4.4条件:按本规范52.1至52石，528至5.2.16按本规范5.2.1至5.2.6,5.2.8至5.2.16A36分组”最低作温度下的静态特性GB 3834imb按本规范4.4同A3a分组同Ma分组A4
13、分组25 0C下的动态特性GB 14032按本规范5.2.17至5.2.20按本规范5.2.17至5.2.20注:1)允许相关测量。B组一逐批标有(D)的试验为破坏性试验(见3.6.6)条件!检验或试验弓!用标准若无其它规定，几.b=25 0C(见第4章)检验要求规范值BI分组尺寸B3分组引线强度弯曲(D)4.2.2及附录B按本规范第1章rl口通On半导体集成电路机械和气候试验方法2.2外加力的值按22表2干拐栩B4分组可焊性GB 4590. 2.5按方法b(槽焊法)浸润良好SJ/T 10253-91险验或试验引用标准续表条件若无其它规定，T;y=25 0C(见第4章)检验要求规范值B5分组温
14、度快速变化GB 4590。 3.1TA=-65-C, TB 150 0C循环次数:10次1,: 5 min随后进行(a)空封器件电测量(同A3分组)密封:细检漏同A3分组按规定同A3分组粗检漏GB 4590,或3.123.13按规定(b)非空封及环氧封的空封器件外部目检稳态湿热4.2.1.1GB 4590,3.113.7严格度A (850C, 85%R.H)不加电，24 h电测量(IM A3分组).、n，、no刀1n电耐久性(168 h)最后测量(同A3和A4分组)B21分组高版蒸汽(D)(非空封器件)最后测量(同A3分组)CRRL分组同A3分组同人3分组GB 4590, 4.7温度按本规范4
15、.4最大值其它按本规范10.3同人3分组和同A4分组同A3分组和同A4分组GB 4590.按严格度C (24 h)同A3分组日8和B21提供计数检查结果同A3分组州!引BS，就B3. B4,SJ/T 10253-91C组一周期标有(D)的试验为破坏性试验(见3.6.6)检验或试验引用标准条件若无其它规定.T,.e 25 0C(见第4帝)检验要求规范值CI分组尺寸4.2.2及附录B按本规范第1章C2分组最高和最低工作温度下的电特性GB 3834同A4分组同A4分组C3分组引线强度拉力(D)GB 4590. 2.1外加力的值按GB 4590. 2.1表1无损伤C4分组耐焊接热(D)最后测量(同A3
16、分组)GB 4590. 2.6按GB 4590. 2.6方法1同A3分组同人3分组C5分组u温度快速变化(D)(非空封及环氧封的空封器件)随后进行外部目检GB 4590. 3.14.2.1.1T,=-65-C, T,=150 -C循环次数:500次1,: 5 min稳态湿热GB 4590.严格度A (850C. 85%R.H)不加电，24h电测量(同A3分组)C6分组稳态加速度(D)(空封器件)最后测量(同A3分组)同A3分组同A3分组GB 4590.加速度:196000m/s37一210】同A3分组周期可延长为一年一次。同A3分组注:1)连续三次通过后，SJ/T 10253-91续表检验或试
17、验引用标准条件若无其它规定，a.6=25 C(见第4章)检验要求规范值C7分组稳态湿热(D)a空封器件b非空封及环氧封的空封器件最后测量(同A3分组)GB 4590 3.6GB 4590. 3.7严格度:56 d严格度A (850C 85IR.H)1000 h同A3分组同A3分组C8分组rLI耐久性(1000 h )最后测量(同A3和A4分组)GB 4590. 4.7同BS分组(同A3和A4分组)(同人3和A4分组)C9分组高温贮存(D)最后测量(同A3和A4分组)GB 4590， 3.31 000 h温度按严格度C (1500C)同A3和A4分组同A3和A4分组Cll分组标志耐久性GB 45
18、90. 4.3按GB 4590. 4.3.2方法1溶液:A型按GB 4590, 4.3.2I一l(抗挤性(D)(非空封器件)C24分组易燃性(D)非空封器件)CRRL分组GB 4590 4.4按GB 4590 4.4.2按GB 4590. 4.4.2GB 4590. 4.1按GB 4590 4.1.2按GB 4590 4.1.2就C3, C4, C5, C6, C7, C8, C9, C11, C23和C24提供计数检查结果。9 D组D组检验应在鉴定批准之后立即开始进行，其后侮年进行一次。SJ/T 10253-91检验或试验引用标准条件检验要求规范值D8分组电耐久性(D)最后测量(H A3和A
19、4分组)GB 4590, 4.711类:2000 h川类:3000 h其他同B8分组同A3和A4分组同A3和A4分组附加资料电特性测试1采用GB 3834半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理的电特性测101010试符号测试方法场DGB 3834, 2.15VOLGB 3834, 2.8VOHG日3834, 2.7VILGB 3834, 2.2VIHGB 3834, 2.110LGB 3834, 2.12IoHGB 3834, 2.11IILGB 3834, 2.10非被测输入端接VD。或VSS几HGB 3834, 2.9非被测输入端接VD。或VSSloZL了6zHITLH行HL10.1
20、.2采用GB的电特性测试。GB 3834, 2.14GB 3834, 2.13GB 3834, 3.4GB 3834, 3.514032半导体集成电路数字锁相环CMOs电路测试方法的基本原理符号测试方法P,GB 14032, 2.1f -GB 14032, 2.2Vn0GB 14032, 2.5KAVSGB 14032, 2.610.2电耐久性试验线路13SJ/T 10253-91凡=100Q呢p=7.5 V户25 kHz1312二109诌寸0寸口0G1L刃f-50 kHzR=47 kS Rx4Vss=-7.5 V10.3特性曲线制造厂应在产品手册中提供电特性与温度的特性曲线。如典型的中心频率
21、频偏与压控振荡器的定时元件C, R,凡的关系曲线。10.4设计参考参数(T,b =25 0C )SJ/T 10253-91条款号特性和条件日pp (V厂-符号典型值单位呢。(V)10.4】压控振荡器线性度1从,co 2.5 V30.3 V, Rl=10 k45EL】7%0.5I从co=5 Vtl V, R1=100 M1041Nvco=5 V士2.5 V, R1=400 kQ100.51从尸co=7.5 Vtl.s V, R1=100 kit1571Nvco=7.5 Vf5 V, Rl=1 Mil1510.42压控振荡器频率温度系数f ;. o5气士0.12r Iocto士0.04Is士0.0
22、15士0.09I ,.*o510士0.07土0.03151111. 1型号说明逻辑框图R,、月肖川尹:朴.陈电Vss Vz11.2引出端名称和符号15SJ/T 10253-91序号符号弓，。:端名称序号符号引出端名称IPP相位脉冲9INvco压控振荡器输入2OUT,相位比较器;输，OUTDEM解调输出3INCOMP相位比较输入11. 12Rt定时电阻4OUTVCO压控振荡器输。、OUTPD 11相位比较器H输出5INH禁止IN输入7CFS频率设定电容VZ齐纳二极管SASS负。源V DD正电源SJ/T 10253-91附录A筛选(补充件)1 11类器件:制造厂应规定必要的筛选项目和条件2H工类器
23、件:按下述筛选程序进行。内部目检CB 4590, 4.6高温稳定GB 4590, 3.3150 0C, 96 h温度快速变化GB 4590, 3.1-65-1500C, 10次稳态加速度uGB 4590, 2.10密封uGB 4590, 3.11或3.123.13老化前电测量同A3分组剔除不合格品老化GB 4590, 4.7b -, 240 h老化后电测量同人3分组剔除不合格品”内部目检GB 4590, 4.6高温稳定GB 4590, 3.3150 0C, 48 h温度快速变化GB 4590, 3.1-65- 150 0C, 10次稳态加速度)GB 4590, 2.10密封。GB 4590, 3. 11或3.123.13内部目检GB 4590, 4.6老化前电测量同A3分组剔除不合格品老化GB 4590, 4.7几，。二，168 h老化后电测量同人3分组MIJ除不合格品2)老化前电测量同人3分组Pa9除不合格品老化GB 4590, 4.7几nb二，168 h老化后电测量同A3分组剔除不合格品2注:功不适用于非空封器件。2)不合格品大于5%，则该批拒收。SJ/T 10253-91附加说明:本标准由全国集成电路标准化分技术委员会提出。本标准由上海元件五厂负责起草。本标准主要起草人:毛智勤高信令。
