【公务员类职业资格】申论-36及答案解析.doc

上传人:sofeeling205 文档编号:1306263 上传时间:2019-09-25 格式:DOC 页数:2 大小:26KB
下载 相关 举报
【公务员类职业资格】申论-36及答案解析.doc_第1页
第1页 / 共2页
【公务员类职业资格】申论-36及答案解析.doc_第2页
第2页 / 共2页
亲,该文档总共2页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述

1、申论-36 及答案解析(总分:3.00,做题时间:90 分钟)一、B注意事项/B(总题数:3,分数:3.00)1.请用不超过 150 字的篇幅,概括出给定资料所反映的主要问题。(分数:1.00)_2.用不超过 350 字的篇幅,提出解决给定资料所反映问题的方案。要有条理地说明,要体现针对性和可操作性。(分数:1.00)_3.就给定资料所反映的主要问题,用 1200 字左右的篇幅,自拟标题进行论述。要求中心明确,内容充实,论述深刻,有说服力。(分数:1.00)_申论-36 答案解析(总分:3.00,做题时间:90 分钟)一、B注意事项/B(总题数:3,分数:3.00)1.请用不超过 150 字的

2、篇幅,概括出给定资料所反映的主要问题。(分数:1.00)_正确答案:()解析:该材料反映了我国艾滋病及其防治的现状:一方面艾滋病目前在我国已呈现出向普通人群迅速蔓延的趋势;另一方面由于公众认识不足等原因,阻遏艾滋病传播的途径和手段仍然异常薄弱。因此,遏止艾滋病传播蔓延迫在眉睫。2.用不超过 350 字的篇幅,提出解决给定资料所反映问题的方案。要有条理地说明,要体现针对性和可操作性。(分数:1.00)_正确答案:()解析:(1)加大宣传和健康教育力度,使公众真正认识艾滋病,尤其是开展针对农村及流动人口的艾滋病防治宣传教育活动,提高人群知晓率,远离艾滋病。 (2)广泛发动社会各个方面力量,以预防为

3、主,积极治疗,加强监测,综合治理。积极开展艾滋病防治综合示范区建设。 (3)遏制艾滋病经血源和性传播,对重点人群进行行为干预。加强全国血站网络建设,加强对采供血机构的质量体系建设和监督,依法严厉打击非法采供血活动,严格血液及原料血浆采集的管理,加强无偿献血知识的普及,提高无偿献血率。强制推广使用一次性注射器等一次性医疗用品,并做好用后处理工作。 (4)为艾滋病病毒感染者和艾滋病患者提供规范化的医疗和社会救助措施。 (5)采取相应措施,鼓励国内药品生产企业和研制机构加速艾滋病防治药物的研发、生产及仿制,早日实现药物国产化,降低艾滋病药物的价格。 (6)加强国际合作,共同遏止艾滋病的蔓延。3.就给定资料所反映的主要问题,用 1200 字左右的篇幅,自拟标题进行论述。要求中心明确,内容充实,论述深刻,有说服力。(分数:1.00)_正确答案:()解析:

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
  • DLA MIL-PRF-19500 741 A-2009 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) TRANSISTOR DIE N-CHANNEL AND P-CHANNEL SILICON VARIOUS TYPES.pdf DLA MIL-PRF-19500 741 A-2009 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) TRANSISTOR DIE N-CHANNEL AND P-CHANNEL SILICON VARIOUS TYPES.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 742 A-2009 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON ULTRAFAST RECOVERY POWER RECTIFIER TYPES 1N5802CB 1N5804CB 1N5806CB 1N5807CB 1N5809CB AND 1N5811CB 1N5802CBUS 1N5804C.pdf DLA MIL-PRF-19500 742 A-2009 SEMICONDUCTOR DEVICE DIODE SILICON ULTRAFAST RECOVERY POWER RECTIFIER TYPES 1N5802CB 1N5804CB 1N5806CB 1N5807CB 1N5809CB AND 1N5811CB 1N5802CBUS 1N5804C.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 743 B-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) TRANSISTOR N-CHANNEL SILICON TYPES 2N7503U8 AND 2N7503U8C JA.pdf DLA MIL-PRF-19500 743 B-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) TRANSISTOR N-CHANNEL SILICON TYPES 2N7503U8 AND 2N7503U8C JA.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 744 D-2013 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL RADIATION HARDENED LOGIC-LEVEL SILICON TYPES 2N7616UB 2N7616UBC 2N7616UBN 2N7616UBCN JANTXVR JAN.pdf DLA MIL-PRF-19500 744 D-2013 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL RADIATION HARDENED LOGIC-LEVEL SILICON TYPES 2N7616UB 2N7616UBC 2N7616UBN 2N7616UBCN JANTXVR JAN.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 745 D-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) LOGIC-LEVEL SILICON TYPES 2N7626UB 2N76 .pdf DLA MIL-PRF-19500 745 D-2012 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) LOGIC-LEVEL SILICON TYPES 2N7626UB 2N76 .pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 746 B-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) TRANSISTOR N-CHANNEL SILICON TYPES 2N7587U3 2N7587U3C 2N75895.pdf DLA MIL-PRF-19500 746 B-2011 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) TRANSISTOR N-CHANNEL SILICON TYPES 2N7587U3 2N7587U3C 2N75895.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 748 VALID NOTICE 1-2013 Semiconductor Device Field Effect Transistor P-Channel Silicon Type 2N7505T3 JANTX JANTXV and JANS.pdf DLA MIL-PRF-19500 748 VALID NOTICE 1-2013 Semiconductor Device Field Effect Transistor P-Channel Silicon Type 2N7505T3 JANTX JANTXV and JANS.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 748-2008 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL SILICON TYPE 2N7505T3 JANTX JANTXV AND JANS.pdf DLA MIL-PRF-19500 748-2008 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL SILICON TYPE 2N7505T3 JANTX JANTXV AND JANS.pdf
  • DLA MIL-PRF-19500 749 A B-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) SILICON TYPES 2N7506U8 AND 2N7506U8C .pdf DLA MIL-PRF-19500 749 A B-2010 SEMICONDUCTOR DEVICE FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) SILICON TYPES 2N7506U8 AND 2N7506U8C .pdf
  • 相关搜索

    当前位置:首页 > 考试资料 > 职业资格

    copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
    备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1