1、ICS 77.120.99 H 68 中华人民主t_，、不日国国家标准GB/T 17473.3-2008 代替GB/T17473.3-1998 微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定Test methods of precious metals .pastes used for microelectronics一Determination of sheet resistance 2008-03-31发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会2008-09-01实施发布GB/ T 17473.3-2008 .画. 目U吕本标准是对GB/T17473-1998(厚膜微电子技
2、术用贵金属浆料测试方法(所有部分)的整合修订，分为7个部分:一-GB/T17473.1-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法固体含量测定:一-GB/T17473.2- 2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法细度测定;一-GB/T17473.3-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定;一-GB/T17473.4-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法附着力测试:一-GB/T17473.5-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法粘度测定;一一-GB/T17473.6-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法分辨率测定;一一-GB/T17473.7-2008 微电子技术用贵金属浆
3、料测试方法可焊性、耐焊性测定。本部分为GB/T17473-2008的第3部分。本部分代替GB/T17473. 3-1998(厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定。本部分与GB/T17473.3-1998相比，主要有如下变动:一一将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定;一一增加低温固化型浆料方阻的测定方法:一一原标准的原理中，将浆料用丝网印刷在陶磕基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚，度、宽度不变的情况下修改为.将浆料用丝网印刷在陶在基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下;一一一测厚仪修改为3光切显微测厚仪罔于挠结型浆料:范围为o
4、mm蝠-5mm，精度为0.001mm. 千分尺用于固化型浆料:范围为omm-5 mm，精度为0.001mm, 本部分的附录A为规范性附录。本部分由中国有色金属工业协全提出。本部分由全国有色金属标准化在宋委员会归口。本部分由贵研铀业股份有限公司负责起草e本部分主要起草人:金勿躁，到i继松、李文琳、陈伏生、朱武勋、李晋。本部分所代替标准的历出版本发布情况为:一一-GB/T17473. 3- l .9 glf. I 1 范困微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定本部分规定了微电子技术用贵金属浆料方阻的测试方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。2 规范性引用文件GD/T 17473.3-
5、2008 下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的51用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容或修订版均不适用于本部分.然而，鼓励根据本部分届戒协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不住日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。GB/T 8170 数值修约规则3 方法原理浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上.经过烧结或固化后，原层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下，膜层电阻与膜层带的长度成正比.通过测量规定膜层:氏度的电阻.计算方阻。4 材料基片:纬度不小子95%的氧化铝或有机树脂基片，表面粗糙度为O.5m-1.5m(在测量距离为10 mm的条件下测量)
6、.5 仪器与设备5. 1 数字式电阻电庄多用表范围为100(1-100M(1.分辨率为6位有效数字，可四线测量。5.2 超高阻绝缘电阻测量仪范围为1X10S(1- 1 X 1017 (1，精度为士2%。5. 3 测厚仪5.3.1 光切显微现IJ厚仪范围为omm-5 mm，精度为0.001mm . 5.3.2 千分尺范围为omm -5 mm，精度为0.001mm。5.4 丝网印刷机5.5 红外干燥箱最高使用温度为300C，控制温度精度为士5C.5.6 隧道烧结炉最高使用温度为1OOOC I控制温度精度为士10C.6 测试步骤实验环境要求:环境温度15C-35C，相对温度45%-75%，大气压力.
7、86kPa-106 kPa. 1 GB/T 17473.3-2008 6. 1 将待测浆料搅拌均匀后取样，用孔径为74m丝网印刷机将浆料印刷在基片上.烧结型浆料用陶资基片，固化型浆料用有机树脂基片，印制6片。6.2 印制圆形如图1所示，试样长度方数为100方，膜宽为1mm.1 mmX1 mm为l方，电阻浆料需印烧电极。6.3 基片水平放置不少于10mino 6.4 将陶暨基片放入干燥箱中于70-C80.C干燥.将干燥后的试样基片放入隧道炉中烧结，烧结温度根据浆料型号确定。基片取出后在测试环境下放置4h后测量。6:5 将有机树脂基片于浆料固化温度下固化，基片取出后在测试环境下放置4h后测量。1-
8、一印烧电极区;2-.-电阻量测点$3-一导带量测点34一一膜带.4 圈1电极膜手普及测试点示意图6.6 根据试样估计阻值范围，选择电阻测:!d仪茧程挡位，在此盐程下调整零点.6. 7 将电阻测量仪两电极分别放在测试样片膜层的两端点上，使之良好接触(接触点见图1)。低电阻采用四钱量测。每个试样分别在正反电流方向下各测量3次，取6次读数的算术平均值作为100方电阻的测量值。6.8 在陶瓷基片烧结试样膜层上选择不同的位置，取不少于6点用光切显微测厚仪进行膜层厚度测量，取其算术平均值作为膜厚测量值。6. 9 在有机树脂困化试祥膜层上选择不同的位置，取不少于6点用电子千分尺进行膜层厚度测量，取其算术平均
9、值作为膜厚测量值。7 过验结果计算7.1 方阻的测试结果按式(1)进行计算:式中zR. -方阻值，单位为欧姆每方(0./口hR一一100方电阻值.单位为欧姆(n)o瓦_R _-100 7.2 数值修约按GB/T8170规定进行，取两位有效数字。 ( 1 ) 7.3 规定标准膜厚为10m.当测定的试样的膜厚不是本标准所规定的厚度时，可按附录A的式(A.1)进行换算。7.4 若6个试样的测试数据中的可疑结果与其除外的平均值的差值的绝对值大于该组(不包括可疑结果标准偏差的4倍时，则舍弃该可疑结果。GB/T 17473. 3-2008 8 试验报告报告应包括以下主要内容2a) 试样名称;b ) 浆料编
10、号、牌号;c) 浆料，批号;d) 试样膜厚;e ) .测试结果及检测部门印章;f) 本标准编号;g) 测试人和测试日期.DON-内的h守hFFH国UGB/T 17473.3-2008 附录(规范性附录)不同腹厚方阻的换算A 根据材料电阻与电阻系数的关系可得如下关系，见式CA.l), R =p专A.1 ( A.l ) 式中zR 电阻，单位为欧姆(0); 一一电阻系数.单位为欧姆毫米(0mm); L一一膜带长度，单位为毫米(mm);S一一膜带横植面积，单位为平方毫米Cmm2)。由式(A.l)，根据方阻定义，浆料膜带的方阻为:R.=D =o=.f ，=p言=5灭EZJA.2 .(A_ 2) . ( A.3 ) 即p=R，h式中:R, 方阻值.单位为欧姆每方CO/口); h一一膜厚度，单位为微米(m); b 膜宽度.单位为微米(m)。同一试样浆料的电阻系数应是一定的，故曲式(A.2)可得zR1h1 = Rzhz 利用武(A.3)可对不同厚度膜的方阻进行换算，对方阻进行比较。标准号:GB/T 17473.3-2008 价:13元定侵权必究* 版权专有GB/T 17473.3- 2008
