1、ICS 31. 080. 1 L 40 中华人民共和国国家标准GB/T 4937.2-2006/IEC 60749-2 :2002 部分代替GB/T4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法第2部分:低气压Semiconductor devices嗣-Mechanical and climatic test methods一Part 2: Low air pressure CIEC 60749-2: 2002 , IDT) 2006-08-23发布2007-02-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局也世中国国家标准化管理委员会。叩中华人民共和国国家标准半导体器件机械和气候试验方
2、法第2部分:低气压GB/T 4937. 2-2006/IEC 60749-2: 2002 恰中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里问北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销争舍开本880X 1230 1/16 印张0.5字数8千字2007年1月第一版2007年1月第一次印刷非书号:155066 1-27687 定价8.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533GB/T 4937.2-2006/IEC 60749-2 :2002 前言本部分是GB/T4937(半导体器件
3、机械和气候试验方法的第2部分。下面列出了本标准的预计结掏z一一第1部分半导体器件机械和气候试验方法第1部分z总则)(IEC60749-1) 一一第2部分半导体器件机械和气候试验方法第2部分:低气压)(IEC60749帽2)一一第3部分半导体器件机械和气候试验方法第3部分z外部目检)(lEC60749-3) 一一第4部分半导体器件机械和气候试验方法第4部分t强加速稳态湿热试验(HAST)(lEC 60749-4) 一一第5部分半导体器件机械和气候试验方法第5部分=稳态温温度偏置寿命试验(lEC 60749-5) 一一第6部分半导体器件机械和气候试验方法第6部分:高温贮存)(IEC60749-6)
4、 一一第7部分半导体器件机械和气候试验方法第7部分z内部水汽含量测试和其他残余气体分析)(IEC60749-7) 一一第8部分半导体器件机械和气候试验方法第8部分:密封)(IEC60749-8) 一一第9部分半导体器件机械和气候试验方法第9部分t标志耐久性)(IEC60749-的一一第10部分半导体器件机械和气候试验方法第10部分:机械冲击)(lEC60749-10) 一一第11部分半导体器件机械和气候试验方法第11部分:快速温度变化一双鞭槽法(IEC 60749-11) 一一第12部分半导体器件机械和气候试验方法第12部分:变颇振动机IEC60749-12) 一一第13部分半导体器件机械和气
5、候试验方法第13部分z盐气)(IEC60749-13) 一一第14部分半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引线牢固性(引线强度) (IEC 60749-14) 一一第15部分半导体器件机械和气候试验方法第15部分:通孔安装器件的耐焊接热(IEC 60749-15) 一一第19部分半导体器件机械和气候试验方法第19部分:芯片剪切强度)(lEC60749-19) 一一第20部分半导体器件机械和气候试验方法第20部分z塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热)(lEC60749-20) 一一第21部分半导体器件机械和气候试验方法第21部分:可焊性)(IEC60749-21) 句一一第22部分半导体器件机
6、械和气候试验方法第22部分:键合强度)(IEC60749-22) 一一第25部分半导体器件机械和气候试验方法第25部分:快速温度变化(空气一空气冲(IEC 60749-25) 一一第31部分半导体器件机械和气候试验方法第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的)(lEC 60749-31) 一一第32部分半导体器件机械和气候试验方法第32部分t塑封器件的易燃性(外部引起的)(lEC 60749-32) 一一第36部分半导体器件机械和气候试验方法第36部分:恒定加速度)(lEC60749-36) GB/T 4937的第2部分等同采用IEC60749-2: 2002(半导体器件机械和气候试验方法第2
7、部分:低气压)(英文版)。I GB/T 4937.2-2006/lEC 60749-2: 2002 为便于使用，本部分做了下列编辑性修改:a) 用小数点.代替作为小数点的逗号，fb) 删除国际标准的前言。本部分代替GB/T4937-1995(半导体器件机械和气候试验方法中第四篇第3章低气压。本部分与GBjT4937-1995第皿篇第3章低气压的主要差异为:本部分规定了完整的低气压试验方法，而GB/T4937-1995第四篇第3章低气压是在引用GB2423. 21(电工电子产品基本环境试验规程试验M:低气压试验方法的基础上规定了半导体器件的特殊要求。E 本部分由中华人民共和国信息产业部提出。本部
8、分由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本部分起草单位E中国电子科技集团公司第十三研究所。本部分主要起草人z崔披、陈海蓉。本部分第一次修订。GB/T 4937.2-2006/IEC 60749-2 :2002 引言本试验是模拟飞机或其他飞行器在高空飞行中所遇到的低气压条件来进行的。即使低气压不会使介质完全击穿，但会增强电晕放电及其介质损耗和电离等有害影响。此项模拟高空条件的试验还可以用来检验低气压下的其他效应其中包括绝缘材料介电常数的变化和稀帮空气使元器件散热能力降低)对元器件工作特性的影响。回GB/T 4937.2-. 2006/IEC 60749-2: 2002 1 范围半导体器件机械和气
9、候试验方法第2部分:低气压本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1000V的器件。本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。本项低气压试验方法和IEC60068心13大体上一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，使用本部分条款。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过GB/T4937的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各
10、方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。IEC 60068-2-13环境试验第2部分:试验M.低气压3 试验设备本试验所需仪器设备包括一台真空泵、一个合适的密封室(必要时，该密封室还应具备能观察样品的装置)、一台可用于测量密封室模拟高度的气压表和一只能在直流到30MHz内检测电流的微安表或示波器。4 程序样品应按规定放置在密封室内，并按规定把气压减小到表l中的某个试验条件。把样品保持在规定的气压下，对它们进行规定的试验。在试验期间及试验前的20min内，试验温度应为25.C士10.C。对器件施加规定的电压，在从常压到规定的最低气压并恢复到常压的整个过
11、程中监测器件是否出现故障。表1气压对应高度的试验条件试验条件最大气压高度Pa 口1A 59000 4500 B 30000 9000 C 12000 15000 D 4400 21000 J E 1000 30000 F 150 45000 G 3.2X10-4 200 000 GB/T 4937.2-2006/IEC 60749-2: 2002 NOONH 4. 1 试验测量连接器件，进行测量，并且在整个抽气过程中施加规定的电压。用微安表或示波器监视施加最大电压(见5c)的器件引出端，从直流到30MHz范围内看其是否出现电晕放电电流。在未放置试验器件的情况下，施加适用的试验条件，校准试验线路
12、电流，以保证试验数据真实反映被试器件的特性。4.2 暴露盾处理在试验的最后，将样品从密封室中移出并在标准大气条件下保持2h24 h。样品上吸附的冰和水汽应预先除去。4.3 失效判据如果在详细规范规定的条件下，器件的参数超过极限或功能无法实现，则认为器件失效。如果器件出现飞弧、有害的电晕或任何影响器件工作的缺陷或退化，都应视为失效。5 说明有关的采购文件应规定如下的内容za) 安装方法(见第4章)。b) 试验条件(见第4章)。除另有规定外，应采用条件E。c) 降压期间的测试(见第4章)。除另有规定外，器件应承受在额定工作条件下的最大电压。d) 暴露后处理时间(见第4章。的适用时，进行终点测试(见第4章)。除另有规定外，应对器件规定的特性或参数进行全面的电测试。f) 样品尺寸。Ntm叮hou国SON-N-h的寸回阁。版权专有侵权必究铃书号:155066 1-27687 GB/T 4937.2-2006 定t:8.00元
