半导体分立器件机械和气候试验方法

S 31.080.01 BS EN 60749-8:2003 This British Standard was published under the authority of the Standards Policy and S t r a t e g y C o m m i t t e e o

半导体分立器件机械和气候试验方法Tag内容描述:

1、S 31.080.01 BS EN 60749-8:2003 This British Standard was published under the authority of the Standards Policy and S t r a t e g y C o m m i t t e e o n 3 July 2003 BSI 3 July 2003 ISBN 0 580 42201 1 National foreword This British Standard is the official English language version of EN 60749-8:2003. It is identical with IEC 60749-8:2002. It partially supersedes BS EN 60749:1999 which will be withdrawn on 2005-1。

2、080.01 BS EN 60749-1:2003 This British Standard was published under the authority of the Standards Policy and Strategy Committee on 7 July 2003 BSI 7 July 2003 ISBN 0 580 42198 8 National foreword This British Standard is the official English language version of EN 60749-1:2003. It is identical with IEC 60749-1:2002. It partially supersedes BS EN 60749:1999 which will be withdrawn on 2005-10-01. The UK participatio。

3、tion (lEC 60749-3: 2002 , IDT) J 2013-02-15实施2012-11-05发布发布中华人民共和国国家质量监督检验检蔑总局中国国家标准化管理委员会二川/马GB/T 4937. 3-2012月EC60749-3 :2002 前言GB/T 4937(半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成:一一第1部分:总则;第2部分:低气压;一一第3部分z外部目检;一一第4部分:强加速稳态湿热试验CHAST);第5部分z稳态温湿度偏置寿命试验;第6部分:高温贮存;第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析;第8部分z密封;一一第9部分:标志耐久性;一一第10部分:机械冲击;第11部分z快速温度变化双液槽法;第12部分:变频振动;一一第13部分:盐气;一一第14部分:引线牢固性(引线强度); 一一一第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;第16部分:粒子碰撞噪声检测CPIND); 第17部分z中子辐射;第18部分:电离辐射(总剂量); 第19部分z芯片剪切强度;一一第20部分:塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热;一一第21部分:可焊性;一一第22部分:键合强度;一一。

4、49-2: 2002 , IDT) 2006-08-23发布2007-02-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局也世中国国家标准化管理委员会。
叩中华人民共和国国家标准半导体器件机械和气候试验方法第2部分:低气压GB/T 4937. 2-2006/IEC 60749-2: 2002 恰中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里问北街16号邮政编码:100045网址www.spc.net.cn电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销争舍开本880X 1230 1/16 印张0.5字数8千字2007年1月第一版2007年1月第一次印刷非书号:155066 1-27687 定价8.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533GB/T 4937.2-2006/IEC 60749-2 :2002 前言本部分是GB/T4937(半导体器件机械和气候试验方法的第2部分。
下面列出了本标准的预计结掏z一一第1部分半导体器件机械和气候试验方法第1部分z总则)(IEC60749-1) 一一第。

5、 , IDT) 2006-08-23发布2007-02圄01实施中华人民共和国国家质量监督检验检痊总局也世中国国家标准化管理委员会战叩GB/T 4937. 1-2006/IEC 60749叫:2002前本部分是GB/T4937(半导体器件机械和气候试验方法的第1部分。
下面列出了本标准的预计结构:一一第1部分半导体器件机械和气候试验方法第1部分z总则)(lEC60749-1) 一一第2部分半导体器件机械和气候试验方法第2部分:低气压)(lEC60749-2) 一一第3部分半导体器件机械和气候试验方法第3部分:外部目检)(IEC60749-3) 一一第4部分半导体器件机械和气候试验方法第4部分:强加速稳态温热试验(HAST)(IEC 60749-4) 一一第5部分半导体器件机械和气候试验方法第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验(IEC 60749-5) 一一第6部分半导体器件机械和气候试验方法第6部分t高温贮存)(lEC60749-6) 一一第7部分半导体器件机械和气候试验方法第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析)(IEC60749-7) 一一第8部分。

6、件技术委员会和 集成电路分会制定本修改单的文本以下列文件为依据六月法表决报告 二月法表决报告本修改单认可的所有表决资料可在上表所列的表决报告中找到 修改单由 中半导体器件技术委员会制定删除 表决报告本修改单认可的所有表决资料可在上表所列的表决报告中找到中华人民共和国国家标准半导体器件机械和气候试验方法代替国家技术监督局 批准 实施第 篇总则范围和用途本标准列出了适用于半导体器件 分立器件和集成电路 的试验方法 使用时可从中进行选择 对于非空腔器件 可以要求补充的试验方法注 非空腔器件是指器件结构中封装材料与管芯的所有暴露表面紧密接触且没有任何空间的器件本标准已尽可能考虑了 基本环境试验规程目的确定统一的优选试验方法及应力等级的优选值以便评价半导体器件的环境性能如本标准与有关规范相抵触时应以有关规范为准术语定义和文字符号引用下列标准电工电子产品基本环境试验规程 总则电工电子产品基本环境试验规程 试验方法电工电子产品基本环境试验规程 导则电工电子产品着火危险试验 针焰试验方法半导体器件 分立器件和集成电路半导体器件 集成电路标准大气条件引用 电工电子产品基本环境试验规程 总则除非另有规定 。

7、空腔器件是才旨在在件设计中的封装材料与所有管芯;器;需麦丽紧密攫触且没在任何空的本标准己尽可能考虑了SJ/29001 87 (IEC 68号标准)一基本环境试确定统一的优选试贤,可:715及世力等级自甘优选佳,!互支i平(ft半寻体辞件的环境性能。
如本棒准与有关规范丰f:汪汪虫叶,应以有关规活为准。
S术语、崽义和文字持引用下列标准zSJ/Z 9001 87 (IEC 68号标准一一基本环境试验规程,IEC 747号:和佳半导体嚣件分立器件和集成电路), IEC 748号标准一字字体潜件集成电路。
4 提准大气条件引用ISJ/Z 9001.1 37 ( IEC 68 1号掠准事55度,1912),第1部分s总则和导则。
除非另有规足,所有两企F:l恢复应在IEC6.8 1寻际准5.3条规边的原准大气条件下进行。
其条件是z1535C, 相对湿度I45 Yt 75% (适用时), 一一中华人民共和国电子工业部1987-0914挠准1 SJ/Z 9018 87 气压I8S ,&#。

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